LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.     

采用保偏光子晶体光纤在1.6μm区域产生超连续谱

报道了利用保偏光子晶体光纤在1.6 μm区域产生超连续谱.通过将光参量放大器产生的中心波长为1.5938 μm、重复频率为250 kHz、脉冲宽度为250 fs的光脉冲耦合进纤芯直径为2.0 μm、长度为0.2 m的保偏光子晶体光纤,获得了1.6 μm区域的光谱展宽,展宽的光谱带宽为45.8 nm (1.5892~1.6350 μm).     

萘酞菁铅化合物的光限幅特性研究

应用调Q倍频ns/ps Nd：YAG脉冲激光,在波长为532nm,脉冲宽度为8ns,重复频率为1Hz的条件下,研究了溶于二甲基亚砜(DMSO)中的萘酞菁铅溶液的反饱和吸收和光限幅特性。实验表明,萘酞菁铅具有良好的光限幅特性,它的有效激发态吸收截面与基态吸收截面的比值约为15．21,大于萘酞菁铜。研究结果表明,萘酞菁铅的光限幅特性优于C60,激发态吸收是其主要的光限幅机理。实验结果证实了重原子效应可以通过增强系际跃迁而使三重态的反饱和吸收增强,从而提高光限幅的能力。     

17C反应截面测量及有限力程Glauber模型分析

用透射法测量了能量为79AMeV的¹⁷C在¹²C反应靶上的反应截面;利用有限力程Glauber模型对¹⁷C的密度分布进行了分析.由高能区(965AMeV)相互作用截面数据分析认为¹⁷C具有谐振子密度分布,但拟合本实验结果及高能区实验数据发现,¹⁷C的中子密度分布中存在一个尾巴;假设¹⁷C密度为芯核加单粒子密度分布形式,分析认为¹⁷C的价中子主要处于1d5/2?轨道.     

黑井明代瓦条的拉曼光谱研究

利用拉曼光谱并结合XRD和电子探针等技术分析发现 ,中国云南楚雄黑井明代瓦条的主要成分是SiO2 ,其中还含有月长石 (KAlSi3O8,属钾长石的变体 )、钠长石 (NaAlSi3O8)以及一种未知名矿物 (Al,Fe) 3(PO4 ,VO4 ) 2 (OH) 3·8H2 O等。月长石的存在 ,表明瓦条的烧结温度已高达 15 0 0℃ ,它说明云南明代陶器烧结工艺的技术已经达到了比较高的水平。此结果还显示了拉曼光谱所具有的独特优越性 :作为一种原位无损的检测技术 ,在辨别钾长石的变体———月长石方面 ,它具有简易性和可靠性 ,而其他技术却很难做到这一点 ;但拉曼光谱不能测出Fe的化合物存在 ,而电子探针和XRD能检测出Fe和Fe的化合物。文章表明 ,在科技考古中只有综合利用各种现代科技方法的优势 ,才能对古代文物作出比较全面的研究。     

白光有机电致发光器件的载流子传输与复合特性（英文）

基于一种将具有电荷传输性的双极性主体材料与蓝、黄光客体材料共蒸的单层结构的同质结结构,制备了色温可调的白光有机电致发光器件(OLED)。由于不存在激子阻挡层,单层结构容易发生漏电流现象,致使OLED器件具有较高的工作电压和较低的电流/功率效率。在空穴/电子传输层进行p/n型掺杂的同质结结构则大大改善了器件性能。研究表明:该种器件结构获得了相对较低的起压5.6V,较高的电流效率2.64cd/A和低效率滚降,其色坐标则随着亮度的增加沿着普朗克轨迹变化,产生类似于太阳光的发光特性。另外,对主体材料和共蒸层的电荷载流子的传输特性和复合机制也进行了一系列分析研究。     

Na_3AlF_6-Al_2O_3系熔盐离子结构的拉曼光谱研究

利用激光共焦拉曼光谱仪测定了不同氧化铝含量的Na3AlF6-Al2O3体系的常温与升温拉曼光谱,通过解析该拉曼光谱总结了其离子结构的种类以及随温度的变化规律,并对相应的拉曼谱峰进行了归属。结果表明当温度升至1173K及以上时,样品开始熔化并出现AlF63-→AlF4-的转化,同时伴有复杂离子的生成。将实验结果与模拟计算结合,发现在氧化铝含量较高的样品中存在络合离子Al2O2F42-。     

基于状态指标的更新决策方法研究

针对设备在实际运行和执行任务时经常涉及到维修、更新报废等管理活动缺乏定量模型支撑的问题,提出了利用典型部件的预测寿命和非典型部件的历史寿命对设备系统级的健康状态进行综合评估的方法,建立了一种以状态指标为决策序列的动态规划更新决策方法。该方法能综合考虑维修费用和更新费用,确定最优更新决策,降低保障费用,有效的提高了设备的经济效益。最后经过案例分析证明了该方法的有效性,对于提高设备的保障能力和经济效益提供了理论支撑和方法指导。     

预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响

研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In_1-xGa_x)Se₂(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%.     

High-Pressure Phase Transition in CTAB-Micellar Solutions： A Raman Spectroscopic Study

We use a diamond anvil cell for the first time to investigate the Raman spectra of an aqueous micellar solution of hexadecyltrimethylammonium bromide （CTAB） at pressures up to 3.85 GPa. The pressure-induced phase transition between the micellar and coagel phases is found to occur at 0.64 GPa and 60℃. This phase transition has a pressure hysteresis, and thus exhibits the first-order phase transition properties. Further experimental results show that although the structure of the coagel phase is similar to that of the CTAB crystal, the interchain distance is slightly larger in the coagel phase than that in the CTAB crystal.