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本文研究了利用大剂量的N+和O+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法. 相似文献
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绝缘层上多晶硅的激光再结晶所制备的SOI(sil con on insulator)材料,可用于制造高速、抗辐照器仲,复合功能电路及三维结构的集成电路.它具有易于隔离(因而可以缩小电路尺寸,提高集成度),寄生电容小(因而可提高器件速度及工作频率),抗辐照能力强。可靠性高,以及与常规的集成电路工艺相容等优点、价格也比蓝宝石上外延硅的SOS(silicon onapphire)材料低. 激光加热再结晶制备SOI材料.就是在热氧化后地Si材料上,用低压化学气相淀积(LPCVD)多晶硅层。然后用激光束辐照加热,使多晶硅层局部熔化再结晶。由于再结晶过程是局部熔化一周化的… 相似文献
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在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-Ti-Si/CoSi2/Si多层薄膜结构,一部分Si衬底中的As原子被分凝出来,向表面运动,并聚集在Co-Ti-Si三元硅化物中。对As原子的这一再分布行为进行了讨论。
关键词: 相似文献
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SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 . 相似文献
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FORMATION OF A BURIED LAYER OF ALUMINIUM NITRIDE BY HIGH DOSE N2+ IMPLANTATION INTO ALUMINIUM 下载免费PDF全文
Aluminium films with various thickness between 700 nm and 1μm were deposited on Si (100) substrates, and 400 keV N2+ ions with doses ranging from 4.3×1017 to 1.8×1018 N/cm2 were implanted into the alu-minium films on silicon, Rutherford Backscattering (RBS) and channeling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), Fourier transform infrared spectra (FTIR), X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and spreading resistance probes (SRP) were used to characterize the synthesized aluminium nitride. The experiments showed that when the implantation dose was higher than a critical dose Nc, a buried stoichiometric AlN layer with high resistance was formed, while no apparent AlN XRD peaks in the as-implanted samples were observed; however, there was a strong AlN(100) diffraction peak appearing after annealing at 500 ℃ for 1h. The computer program, Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS), has been modified and used to simulate the formation of the buried AlN layer as N2+ is implanted into aluminium. We find a good agreement between experimental measurements and IRIS simulation. 相似文献
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本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(10~(14)-10~(16)atom/cm~2)下的P_2~+和P~+注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P_2~+注入所产生的损伤总是大于P~+注入所产生的损伤。由移位效率之比N_D~*(mol)/2N_D~*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P_2~+),50keV(P~+)处达到极大值。P_2~+与P~+注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。 相似文献