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现代工业应用与技术领域要求材料具有良好的机械性质与热学性质,Kevlar纤维做为近年来材料领域研究的热点纤维材料,具有高强度、耐高温等良好的性能。纤维材料的性质依赖于自身的结构和组成,热分解过程对于研究材料的结构和热学性质有着十分重要的意义。热红联用技术做为一种新型的联用技术,既能定量又能定性地进行分析,在研究材料的热分解过程中具有明显的优势。由于Kevlar纤维的热分解过程在文献中少有报道,本文首次利用TG-FTIR联用技术对Kevlar纤维在室温到800 ℃的热解过程进行分析,得到了Kevlar纤维热解过程的详细步骤及各个步骤的反应产物。结果表明,Kevlar纤维的热解经历了3个阶段,分别为100~240,240~420,420~800 ℃。在500 ℃之前Kevlar纤维失重很缓慢,第三个阶段是纤维的主要失重阶段,最终固体的残留质量为56.21%。红外光谱数据表明,Kevlar纤维热解过程先释放出游离水,随后发生脱水反应和解聚反应,使纤维分子链断裂。最后纤维碎片进一步反应生成小分子气体,水、氨气、一氧化碳、二氧化碳为主要产物。其中水的析出量逐渐增大;氨气的析出量保持基本一致;一氧化碳仅在515~630 ℃产生,随后即氧化生成二氧化碳;二氧化碳的析出量经历了一个由于一氧化碳转化而产生的增长后,又下降到一定值保持稳定。 相似文献
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研究了环方铂三种立体异构体(SS,RS和RR)与小牛胸腺DNA的作用。差示扫描量热法(DSC)测得的数据显示出三种经合物与DNA作用的结果分别使其熔融温度下降了0.6,1.4和2.2K,有无DNA存在时三种化合物及方酸。的^13C核磁共振谱表明,当三种化合物DNA作用时,先释放出方酸根生成水铂,而后再与DNA结合。综述上述实验结果,对三种化合物与DNA的作用强度、方式及机理进行了讨论。 相似文献
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二甲基亚砜及一些含氮环化合物与DNA的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过实验探索了将既不溶于水又不能生成可溶性盐的一些含氮稠环化合物溶于二甲基亚砜(DMSO)水溶液中与小牛胸腺DNA作用的途径.溶解实验证明了DMSO及其水溶液对此类化合物极强的溶解性能,DMSO与小牛胸腺作用的紫外光谱(298 K)、圆二色谱(298 K)、~(31)P核磁谱(323 K)和摩尔焓变(298 K)数据均表明:在pH=7.0的水溶液中,当DMSO浓度小于0.15 mol·L~(-1)时,其与DNA无作用.溶于DMsO水溶液中的八种含氮稠环化合物与小牛胸腺DNA作用的紫外光谱(298 K)、圆二色谱(298 K)和摩尔焓变(298 K)实验结果显示出两种化合物对DNA有较强的嵌插作用.通过对实验结果的分析,本文对具有相同含氮稠环骨架的化合物与DNA嵌播作用的规律和化合物本身微观结构的关系进行了讨论. 相似文献
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提出了一种基于语句的查询扩展方法以及语句向量的融合策略,使得扩展后的查询语句的查询性能优于原始查询语句;基于微软高性能计算平台HPC Server和查询扩展策略,设计实现了一个分布式文本检索系统DQSSQE.实验结果表明,在检索性能方面,所提出的查询扩展策略能够有效的提高查准率,召回率上也有一定的提高;在分布式检索计算性能方面,DQSSQE系统具有较好的计算加速比,随着文本集规模的增加,其计算性能的优越性体现明显. 相似文献
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显微热成像系统可观测、记录分析细微目标的温度变化过程,在需要细微热分析的诸多方面有着广泛的发展前景。由于设备加工及工作过程中存在误差,影响微扫描系统的精度,使得微扫描系统扫描过程中偏离标准位置,故采集得到的四幅低分辨力图像会存在误差,最终影响显微热成像系统高分辨力图像的重建质量。为尽可能降低微扫描误差,文章提出了基于局部梯度插值与预处理相结合的微扫描误差修正技术,通过进行模拟仿真和实验证实该技术可以降低系统微扫描误差,提高系统的空间分辨力。 相似文献
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光外差-磁旋转-浓度调制光谱技术 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种针对瞬态分子光谱测量的新技术:光外差磁旋转浓度调制光谱技术,这种光谱技术具有很高的灵敏度,综合了光外差探测技术、磁旋转光谱技术和浓度调制光谱技术的特点,利用浓度调制光谱技术针对寿命很短的瞬态分子和激发态分子的光谱进行测量,利用光外差探测技术可以消除来自光源的幅度涨落噪声,实现散粒噪声的测量极限,利用磁旋转光谱技术可以对顺磁性分子进行选择性的测量,并且进一步提高探测灵敏度。详细讨论了这种光谱技术的工作原理,并用这种技术对O2分子的b1Σg+-X3Σg-三重禁戒跃迁光谱进行测量,获得了很好的测量信噪比。并对该技术的灵敏度作了详细的分析,估计最小相对吸收度可达1.9×10-9以及O2分子三重禁戒跃迁的吸收截面为σ=2.4×10-24cm2。 相似文献
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In this study, we investigate the effects of GaN cap layer thickness on the two-dimensional electron gas (2DEG) electron density and 2DEG electron mobility of AlN/GaN heterostructures by using the temperature-dependent Hall measurement and theoretical fitting method. The results of our analysis clearly indicate that the GaN cap layer thickness of an AlN/GaN heterostructure has influences on the 2DEG electron density and the electron mobility. For the AlN/GaN heterostructures with a 3-nm AlN barrier layer, the optimized thickness of the GaN cap layer is around 4 nm and the strained a-axis lattice constant of the AlN barrier layer is less than that of GaN. 相似文献
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