银纳米颗粒负载阶层多孔二氧化硅块体的制备及表征

以溶胶-凝胶伴随相分离法制备的阶层多孔二氧化硅作为载体,3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）为改性剂,乙醇为还原剂,在阶层多孔二氧化硅固体骨架上进行银纳米颗粒均匀负载. 利用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、汞压、N₂吸附/脱附、X射线光电子能谱（XPS）等测试技术对银纳米颗粒负载阶层多孔二氧化硅进行了表征,探讨了APTES表面改性、乙醇还原机理以及银纳米颗粒负载块体的孔结构特征变化规律. 结果表明：APTES表面改性将氨基接枝于阶层骨架上,氨基与银离子形成银氨离子,银氨离子经乙醇还原后将平均粒径约16 nm的银纳米颗粒成功负载于二氧化硅的大孔及介孔内部;负载后的阶层多孔块体的大孔骨架未受到破坏,但其比表面积由418 m²·g^-1下降到254 m²·g^-1,两次还原负载能提高银纳米颗粒的负载量.     

A位取代对(Ca0.61Nd0.26)TiO3陶瓷烧结特性和介电性能的影响

采用常规固相反应法,以(Ca0.61Nd0.26)TiO3体系为基体成分,研究了A位取代对(Ca0.61Nd0.26)TiO3陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律。结果表明:Zn,Mg的A位取代,促使(Ca0.61Nd0.26)TiO3陶瓷烧结温度从1350℃降至1250℃。Zn,Mg在一定范围内A位取代(Ca0.61Nd0.26)TiO3中的Ca可形成钙钛矿结构的固溶体,Zn、Mg最大固溶度(x(Zn),y(Mg))分别不超过0.1和0.15mol。当取代量超过固溶度后,分别形成Ca2Zn4Ti15O36和MgTi2O5第二相。随Zn和Mg取代量的增加,陶瓷介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τf)减小。陶瓷品质因数(Qf)值随Zn取代量先增后减,而随Mg取代量增加,其Qf值一直增大。Zn,Mg最佳取代分别为x(Zn)=0.15和y(Mg)=0.25,在1250℃烧结2h,[(Ca0.85Zn0.15)0.61Nd0.26]TiO3的介电性能:εr=93.60,Qf=12454GHz,τf= 150.3ppm·℃-1,[(Ca0.75Mg0.25)0.61Nd0.26]TiO3的介电性能:εr=72.48,Qf=14622GHz,τf= 108ppm·℃-1。     

活性炭纤维吸附脱除NO过程中NO氧化路径分析

在小型固定床吸附实验台上开展了黏胶基活性炭纤维吸附脱除NO的实验研究。采用H₂O₂溶液浸渍以及热处理方法对活性炭纤维表面进行修饰,以获得表面孔隙结构接近而含氧官能团含量不同的样品;考察样品在惰性氮气气氛、含氧气氛下吸附脱除NO的效果,以及表面含氧含氮官能团的变化规律。探讨了含氧官能团在NO催化氧化过程中的作用及含氧气氛下O₂对于NO转化为NO₂的影响,分析了活性炭纤维表面吸附的NO向NO₂的主要转化途径。结果表明,在氮气气氛下活性炭纤维表面C-O官能团对吸附态的NO起到氧化作用,吸附态NO被C-O官能团氧化生成-NO₂官能团;在含氧气氛下活性炭纤维吸附NO后表面出现-NO₂、-NO₃官能团,通过长时间实验测定三种样品在含氧气氛下对NO吸附的效果,发现三种样品稳定时催化氧化效果一致,表明含氧官能团对初始NO的物理吸附影响较大,而对整个吸附过程影响较小。吸附在活性炭纤维表面上的NO与环境气氛中的游离态O₂发生氧化反应是NO转变为NO₂的主要途径。     

基于阴极新结构的高性能自呼吸式mems微型氢/空气燃料电池

微型质子交换膜燃料电池;阴极结构;自呼吸;mems技术     

中药药对的化学成分研究川芎-赤芍挥发油的GC/MS分析

中药药对是复方的最小组成单位,具有中药配伍的基本特点. 药对化学是复方化学的核心内容. 联用色谱和化学计量学方法为中药复杂体系的分离与分辨提供了强有力的工具. 采用GC-MS法分离测定中药药对川芎-赤芍、 单味药川芎和赤芍的挥发油成分,并对其中的重叠色谱峰采用化学计量学解析方法(CRM)进行分辨,得到药对和各单味药的纯色谱曲线和质谱图,药对川芎-赤芍、 单味药川芎和赤芍分别分辨出82,78和57个色谱峰,通过质谱库对分辨的纯组分进行定性,分别得到61,52和33个定性结果,占总含量的90.18%,95.14%和95.82%.     

集值映象的图象拓扑与不动点的通有稳定性

本文进一步研究了上半连续集值映象不动点的稳定性问题,在集值映象的图象拓扑的意义下,我们证明了不动点的通有稳定性,也就是说,在Baire分类的意义下,绝大多数的映象具有本质不动点.     

关于一类自由作业机器排序问题

文章研究文［１］中提出的加工时间依赖于机器的自由作业排序问题。Ｍ．Ｄｏｒｏｒ在［１］中提出了一个算法（算法３．４）。最近，Ａ．Ｊ．Ｖａｋｈａｒｉａ、Ｂ．Ｃａｔａｙ［２］及项思明、唐国春［３］均指出Ｍ．Ｄｏｒｏｒ的算法不是最优的。项思明和唐国春提出对这类问题在机器连续加工情形下的一种求解方法，即将排序问题化成指派问题。本文对这种解法作了简化，并回答文［３］中提出的几个问题。     

Growth of AlGaN Epitaxial Film with Chemical Vapour High A1 Content by Metalorganic Deposition

A high-Al-content AlGaN epilayer is grown on a low-temperature-deposited AlN buffer on （0001） sapphire by low pressure metalorganic chemical vapour deposition. The dependence of surface roughness, tilted mosaicity, and twisted mosaicity on the conditions of the AlGaN epilayer deposition is evaluated. An AlGaN epilayer with favourable surface morphology and crystal quality is deposited on a 2Onto low-temperature-deposited AlN buffer at a low V/Ⅲ flow ratio of 783 and at a low reactor pressure of 100 Torr, and the adduct reaction between trimethylaluminium and NH3 is considered.     

Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique

In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray diffraction peaks to that of the sapphire substrate ones. This ratio shows a linear dependence on the GaN epilayer thickness up to 2 μm. The new method is more accurate and convenient than those of using the relationship between the integrated intensity of GaN epilayer diffraction peaks and the GaN thickness. Besides, it can eliminate the absorption effect of the GaN epilayer.     

Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量

利用X射线双晶多功能四圆衍射仪,对在Si(001)衬底上使用常压化学气相方法(APCVD)生长的3C-SiC进行了微孪晶的分析.Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,生长的取向关系为：(001)_3C-SiC//(001)_Si,［111］_3C-SiC//［111］_Si.3C-SiC的{111}极图在χ=15.8°出现了新的衍射,采用六角相{10^{1010}晶面的极图以及孪晶SiC(002)的倒易空间Mapping分析了χ=15.8°处产生的衍射为3C-SiC的孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%.