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21.
Nano-crystalline MgNb2O6 was prepared using Mg(NO3)2·6H2O, Nb2O5, HF and citric acid as raw materials by auto-ignition route. The process involves the formation of a viscous gel by thermal dehydration of the citrate-nitrate solution at about 80 ℃. The auto-ignition (at about 200 ℃) of the gel resulted in a high reactivity powder containing intimate blending of MgNbF7 and NbF3. The crystalline phase of MgNb2O6 could be formed easily at 700 ℃, which is 400 ℃ lower than that of common solid-state reaction process. The nano-crystalline MgNb2O6 (~30 nm) powder with good dispersity could be obtained at 850 ℃. 相似文献
22.
酞菁敏化混晶TiO2薄膜的低温制备及其对罗丹明B的催化降解 总被引:1,自引:0,他引:1
以四磺酸酞菁铜(CuPcTs)为敏化剂,采用溶胶-凝胶法制备了酞菁敏化的TiO2溶胶,经浸渍提拉成膜并室温晾干,制得CuPcTs-TiO2薄膜.采用XRD,UV-Vis和SEM等测试手段对薄膜样品进行了表征,并通过罗丹明B的降解考察了薄膜的可见光催化性能.结果表明,TiO2为锐钛矿-板钛矿-金红石混晶结构,CuPcTs-TiO2薄膜对罗丹明B降解具有较高的光催化活性.CuPcTs敏化能有效提高TiO2的可见光催化活性,但过多的CuPcTs会使催化活性降低.在可见光照射条件下,罗丹明B主要是先脱乙基生成罗丹明,然后再逐步被分解.CuPcTs-TiO2薄膜在经2~3次循环使用后,其光催化活性趋于稳定.CuPcTs可牢固地负载于TiO2薄膜中,从而保证了CuPcTs-TiO2薄膜重复使用的稳定性. 相似文献
23.
杨辉 《数学的实践与认识》2008,38(3):142-146
运用压缩影射原理证明了DS-H方程的初边值问题的局部解的存在性和唯一性. 相似文献
24.
In this paper,by use of the Schauder fixed-point theorem,the existence of solution of (k,n-k) Conjugate boundary value problems in Banach spaces is investigated. 相似文献
25.
考察了中性分子电对H_2Q/Q在13X型分子筛修饰电极上的电化学行为。发现H_2Q/Q电对在修饰电极上电响应迅速,为双电子可逆反应,不受溶液温度及电极与溶液相对运动的影响,而与溶液的pH值有关。当pH≤2.0时,修饰电极对H_2Q/Q电对的氧化/还原有明显的催化作用. 相似文献
26.
基于遗传算法的静态Ad-hoc拓扑结构控制 总被引:2,自引:0,他引:2
将遗传算法引入到了静态Ad—hoc无线网络的拓扑结构控制中,突破了网络中所有节点辐射半径都相同的固有思路,通过调节各无线节点的辐射半径,在相邻节点对之间形成有向路径,从而达到节省节点能源消耗和网络拓扑结构优化的目的,并取得了较好的实验结果。 相似文献
27.
掺镱类激光晶体由于具有大的受激发射截面和长的上能级寿命 ,近年来被人们普遍看好为未来激光惯性约束核聚变研究所需要的首选激光材料。掺镱的氟磷酸钙 [Yb:Ca5( PO4) 3F,简称 Yb:FAP]晶体的发射截面为 5 .9× 1 0 - 2 0 cm2 ,上能级寿命为 1 .0 8ms,因此特别适合作高能量激光增益介质。最近我们采用中国科学院上海光学精密机械研究所新生长的高质量Yb:FAP晶体 ,首次在国内实现了连续激光输出。实验中采用的晶体尺寸为 5 mm× 5 mm×1 0 mm,Yb离子的实际掺杂的原子数分数为 1 .3%。考虑到 Yb:FAP晶体的吸收特性和发射特性 ,我们在… 相似文献
28.
29.
30.
本文报道了一种基于1,2-二氰基苯(O-DCB)与聚(3-己基噻吩)(P3HT)复合薄膜的高耐久性有机阻变存储器(ORSM).ORSM表现出非易失型和双极性存储特性,电流开关比(Ion/off)超过104,耐久性高达400次,保持时间为105s,Vset和Vreset分别为-6.9 V和2.6 V.器件的阻变机理是陷阱电荷的俘获与去俘获,即负偏压或正偏压诱导电荷陷阱的填充和抽离过程,导致电荷传输方式的改变,从而产生高低电阻间的切换.器件的高耐久性一方面是由于O-DCB较小的分子尺寸和较好的溶解性形成了均匀分布且稳定的电荷陷阱,另一方面是由于O-DCB较好的分子平面促进了其与P3HT共轭链的相互作用.该研究为高耐久性ORSM的实现提供了一种有效途径,加快了ORSM的商业化应用进程. 相似文献