聚氧乙烯超薄膜中构象变化的红外光谱研究

近年来 ,有关聚合物薄膜的研究受到了广泛关注 .低维数高分子超薄膜的各种行为由于涉及到高分子运动的动力学、热力学本质而逐渐成为高分子科学研究中的一大热点 .实验结果表明[1～ 3] ,几何受限条件和基板对于聚合物薄膜结晶的形态及性能都会产生显著影响 .广角 X射线衍射实验和自由表面的掠入射 X射线实验 [4 ]表明 ,有些在本体中呈现液晶有序的聚酰亚胺在靠近基板附近变得更加有序 .Despotopoulou等 [5] 对聚二正己基硅烷在超薄膜中构象扰动的观察发现 ,当膜厚小于 2 0 0 nm时 ,聚二正己基硅烷的侧链变得无序 ,傅里叶变换红外光谱测试…     

Infrared laser-induced fast photovoltaic effect observed in orthorhombic tin oxide film

The SnO_2/SnO with an orthorhombic structure is a material known to be stable at high pressures and temperatures and expected to have new optical and electrical properties. The authors report a new finding of the infrared laser induced a fast photovoltaic effect arising from orthorhombic tin oxide film with an indirect band gap(~2.4 e V) which is deposited by pulsed laser deposition. The rising time of the photovoltaic signal is about 3 ns with a peak value of 4.48 mV under the pulsed laser beam with energy density 0.015 m J/mm~2. The relation between the photovoltages and laser positions along the line between two electrodes of the film is also exhibited. A possible mechanism is put forward to explain this phenomenon.All data and analyses demonstrate that the orthorhombic tin oxide with an indirect band gap could be used as a candidate for an infrared photodetector which can be operated at high pressures and temperatures.     

TMPTA红外激光光聚合的实时动力学研究

采用实时FTIR研究了在红外激光照射下,阳离子菁染料-有机硼络合物1,3,3,1',3',3'-六甲基-11-氯-10,12-亚丙基吲哚三碳菁-正丁基三苯基硼引发的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)的光聚合反应动力学.研究发现,随激光功率的提高,单体的聚合速度与双键转化率均有显著提高.在临界浓度以下,引发剂的含量增加可以加快光聚合反应速率.样品厚度的增加明显降低双键转化率与聚合速度.计算结果表明,该体系的量子聚合效率为41.8mol/einstein.在17.0mW/cm²激光照射下TMPTA最高双键转化率可以达到80%.     

某些分子光谱分析法测定蛋白质的进展

评述包括吸光光度法、荧光光度法及新近发展起来的共振光散射法等分子光谱分析方法定量测定蛋白质的某些进展。表列了重要的反应体系及分析特征。引用文献97种。     

丙烯酸β-羟丙酯与聚氯乙烯膜的紫外光接枝改性

采用液相接枝方法 ,在紫外线辐照下 ,合成了一系列丙烯酸 β-羟丙酯 (β -HPAT) /聚氯乙烯接枝膜。讨论了引发剂浓度、单体浓度、光照时间、光照强度对接枝率的影响。结果表明 ,引发剂浓度为 6 .5 1× 10 -3 mol/L ,单体浓度 2 .0mol/L ,光照时间为 2 .0h ,且光照强度越强时 ,接枝率最大。接枝膜的结构特征通过FT -IR光谱进行了确证 ,最后 ,对接枝膜进行TGA分析 ,结果表明聚氯乙烯经过表面改性后 ,表面极性增大 ,热稳定性大大提高。     

均匀喷灌的最优策略

本文建立了一个草地喷灌系统的数学模型 ,研究了喷淋半径可以不同时喷灌系统的效率 ,证明了喷淋半径不同时喷灌系统的最大效率为 1 831 1π ≈ 90 .2 % .此结果优于焦莹所给出的喷灌系统的最大效率3 32π ≈ 82 .7% .     

HgCdTe反型层的磁输运性质

利用成本低廉的液相外延技术, 成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件. 在该器件中, 观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台, 证明样品具有较高的质量. 测量零场附近的磁阻曲线, 在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应, 表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用. 利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论, 很好地拟合了反弱局域曲线. 由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大, 最大达到9.06 meV. 根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大, 与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.     

铬(Ⅵ)-碘化物-维多利亚蓝4R体系的共振瑞利散射和二级散射及其分析应用

研究了铬（Ⅵ）．碘化物．维多利亚蓝４Ｒ体系的共振瑞利散射光谱和二级散射光谱，考察了它们的光谱特征、影响因素和适宜的反应条件。确定了共振瑞利散射强度和二级散射强度与铬（Ⅵ）的浓度的关系，提出了用ＲＲＳ光谱间接测定痕量铬（Ⅵ）的新的高灵敏分析方法。     

N-(二茂铁酰胺基)硫脲类阴离子受体

我们将N-(苯甲酰胺基)硫脲类阴离子识别受体研究拓展至N-(二茂铁酰胺基)硫脲, 设计合成了N-(二茂铁甲酰胺基)-N'-(取代苯基)硫脲(3a～3e, 取代基X＝p-OCH₃, p-CH₃, H, m-Br, m-CF₃), 其中二茂铁基系芳香性的电化学活性基团、“—NH—”为连接臂．研究的目的是进一步理解 “—NH—”连接臂的特性和3a～3e作为阴离子的电化学响应受体的可行性. 我们发现, 3a～3e分子中的N'-苯环取代基不影响其半波电位(0.31V vs. Ag/AgNO₃); 二茂铁环芳香质子和酰胺基—NH质子的核磁化学位移不受取代基的影响, 而N'-苯基芳香质子和硫脲—NH质子的化学位移显著地受制于取代基; 说明受体3分子中酰肼基N—N单键高度扭曲, 阻碍了N'-苯环取代基电子效应传递至二茂铁基. 我们观察到乙腈中3的氧化电位因阴离子如CH₃CO₂^－和F^－的结合负移200 mV, 二茂铁基芳香质子的化学位移向高场移动, 意味着阴离子结合诱导了受体3分子中酰肼基N—N单键构型变化, 使阴离子结合信息得以传递至二茂铁环. 吸收光谱滴定实验表明, 乙腈中3a～3e与阴离子结合时在约315 nm处出现新的吸收峰, 光谱红移达5820 cm^－1, 阴离子如CH₃CO₂^－和F^－的结合常数在10⁶ mol^－1•L, 均远高于传统的二苯基硫脲类受体(1); 我们还发现, 尽管1和3a～3e分子中硫脲—NH质子酸性对取代基的依赖性相近, 3a～3e之阴离子结合常数的取代基效应强于1. 我们认为, 这是由于N—N键的变构作用导致3a～3e的吸收光谱红移、阴离子结合常数和阴离子结合常数的取代基效应远高于传统的N,N'-二苯基硫脲类受体, 因而体现了“—NH—”连接臂的独特性质.     

用染料荧光增益增强弱增益拉曼模式的受激拉曼散射的经典理论

建立了用染料荧光增益增强弱拉曼模式的受激拉曼散射(SRS)的经典理论,详细给出了拉曼增益gR,染料荧光增益gD和总损耗α的表达式,并在其推导过程中对经典理论作了修正,最后得到了荧光增益和受激拉曼增益可以共同使SRS强度的指数部分快速增长的结果,可以很好地解释观察到的实验现象,并为其提供理论依据。