化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞和微裂纹、夹杂、分层和胞状物.采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征.结合国内外文献和检测结果,对各类缺陷可能的产生机理及抑制方法进行了阐述与分析.     

腐竹中甲醛的亚临界水快速提取方法研究

1引言在食品中掺入过量甲醛和吊白块(甲醛亚硫酸氢钠),不但破坏了食品的营养成分,而且会使人产生不良反应。因此食品中甲醛和吊白块的检测受到了高度关注。为了将样品中的甲醛有效地提取出来,同时为了使吊白块分解生成甲醛以便测量,食品中甲醛和吊白块的测定首先要进行样品前处     

GdB3O6中Gd3+的级联发射特性

报道了Gd³⁺离子在GdB₃O₆基质中的光子级联发射特性。用Hitachi M850荧光分光光度计测定了Gd^{3+ 6}G_J能态的位置和Gd³⁺离子的光子级联发射光谱,Gd³⁺离子的第一个光子发射为⁶G_J→⁶P_J(～600nm)和⁶G_J→⁶I_J(～780nm),第二个光子的发射为⁶P_J→⁸S_7/2(～310nm)。由于⁶D_9/2与⁶I_11/2间能级差(～2900cm^-1)和⁶I_7/2与⁶P_J间能级差(～3900cm^-1)较小,多声子弛豫的几率明显超过辐射跃迁几率。因此,当用⁸S_7/2→⁶G_J(202nm)的紫外光激发时,只能观察到⁶P_J→⁸S_7/2(～310nm)、⁶G_J→⁶P_J(～600nm)和⁶G_J→⁶I_J(～780nm)的发射跃迁,未能观察到⁶I_J→⁸S_7/2(～275nm)和⁶D_J→⁸S_7/2(～250nm)的发射跃迁。     

物理教学应加强科普知识和实践性教育

随着教育改革的不断深入，职业教育面临着严峻的挑战与考验，各职业学校都在进行全方位的改革，以期从改革中求生存、求发展．作为职业教育中的文化基础课的物理课，怎样改革?我们的认识和尝试是加强科普知识教育和实践性教育，为提高学生的全面素质和“一专多能”服务．     

外场电压和Ag纳米尺寸对来自Ag的光电发射谱的影响

研究外场电压和纳米银粒子的尺寸对来自镶嵌在BaO薄膜中的纳米银粒子的光电发射的影响。在不同电压和不同尺寸条件下，计算了波长范围在 0.2到0.8μm的光电发射谱。给出了光电发射阈值对外场电压和纳米银粒子的尺寸依赖关系。同时认为在可见光范围中出现的光电发射是由于纳米银粒子的光学共振吸收所形成。这样的讨论有助于制备场助Ag-BaO光电薄膜的制备和工艺优化。     

铜溶胶的制备

本文探讨了铜溶胶的制备条件如保护剂、还原剂、铜盐的种类及用量、反庆温度对铅溶胶稳定性的影响。实验结果表明，在适当的条件下，在空气中可以制得稳定存在的铜溶胶，其在条件下可保存１８个月不被氧化，溶胶中铜粒子的平均粒径在４３－１７４ｎｍ的范围。     

疏水硅沸石Silicalite-I)结构性质的表征

用粉末XRD, FT-IR, 29^Si MAS NMR, 对高硅HZSM-5沸石及疏水硅沸石Silicalite I进行结构性质表征。在室温下, 疏水硅沸石具有ZSM-5的单斜对称性。它的红外骨架振动谱及高分辨29^Si固体核磁共振谱均显示出高的分辨率。在红外光谱中, 3700和3500cm^-1左右的表面Si-OH基振动消失。表明疏水硅沸石晶格中的[SiO~4]四面体排列完美。由-Si-O-Si-构成的微也表面, 具有优良的疏水性。     

灰树花β-葡聚糖的高效凝胶渗透色谱行为

以4种不同蛋白质含量的灰树花β-1,3/1,6-葡聚糖 (GF1,GF2,GF3,GF4) 和1种α-1,4/1,6-葡聚糖 (P100)为研究对象,探讨了它们在不同盐浓度和不同pH下的高效凝胶渗透色谱(HPGPC)行为。结果表明：灰树花β-葡聚糖相对分子质量在低于0.025 mol/L的氯化钠溶液中急剧降低,在0.1~0.2 mol/L的氯化钠溶液中趋于平稳。在pH 3~6时,其相对分子质量随pH增加而急剧增加;在pH 6~9范围内变化较小;pH高于9后又稍微增加。在相同条件下,α-1,4/1,6-葡聚糖的相对分子质量不受盐浓度和pH值变化的影响。灰树花β-葡聚糖在水溶液中可形成超螺旋结构,该结构受溶液盐浓度和pH值变化的影响,导致分子聚集状态不同,从而呈现不同的凝胶渗透色谱行为,表现为相对分子质量升高或降低。     

HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响.对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能.采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能.本研究得到了优化的沉积工艺参数.     

化学气相沉积(CVD)工艺对ZnS力学性能影响的研究

介绍了化学气相沉积法(CVD)制备ZnS过程中,CVD工艺对材料相关力学性能的影响和控制方法.通过X射线衍射分析、扫描电镜和金相显微镜等手段研究了不同工艺下制备的ZnS样品材料的内部结构和缺陷,提出了ZnS生长过程中晶粒尺寸和材料缺陷的控制方法.研究结果表明,设计合理的喷嘴结构,营造稳定的CVD生长环境,提高CVD ZnS毛坯一致性,抑制材料缺陷形成,有助于提升ZnS材料力学相关性能.