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THEORETICAL DEPENDENCE OF LONG WAVELENGTH PHOTOEMISSION UPON THE SIZE OF Ag NANOPARTICLES EMBEDDED IN BaO SEMICONDUCTOR THIN FILM 总被引:1,自引:0,他引:1
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The dependence of long wavelength photoemission upon the size of Ag nanoparticles embedded in a BaO semiconductor is predicted and discussed theoretically. The calculated results show that the increase in the diameter of the Ag nanoparticle, in the range from 1.5 to 37.0nm, leads to the emergence of a roughly Gaussian form of the photoemission spectra and the peaks become markedly narrower. The results also show that the increase in the diameter of the Ag nanoparticle leads to the decrease of the long wavelength threshold. The incident light wavelength corresponding to the peak value of the photoemission gets bigger with the increase of the size of Ag nanoparticles, thus showing a redshift. 相似文献
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两种含氟三氮烯显色剂FNDAA与FFDAA的合成及其与镉显色反应的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
报道了两种新显色剂 4 氟 4′ 硝基苯基重氮氨基偶氮苯 (FNDAA)和 4 氟 4′ 氟苯基重氮氨基偶氮苯 (FFDAA)的合成、性质及其与Cd(Ⅱ )的显色反应。在弱碱性介质中 ,TritonX 10 0存在下两种试剂均与Cd(Ⅱ )形成络合比为 3∶1的橙红色络合物。对FNDAA ,ε4 92 =1.5 4× 10 5 L·mol- 1·cm- 1,对FFDAA ,ε4 90 =1.17× 10 5 L·mol- 1·cm- 1。镉量分别在 0 15和 0 2 5 μg/2 5ml范围内遵守比耳定律。FNDAA有较好的选择性 ,用于测定环境水标样中镉含量 ,结果满意。 相似文献
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采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2.71×10-5和2.85×10-5,均方根值分别为6.46×10-6和4.98×10-6,正常区域的样品光学均匀性为9.53×10-6,均方根值为1.51 ×10-6,表明胞状物的存在会降低CVD-ZnS材料的光学均匀性;采用三点弯曲法测试材料弯曲强度,四组弯曲强度数据表明CVD-ZnS正常区的弯曲强度明显高于CVD-ZnS胞状物密集区. 相似文献
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疏水硅沸石Silicalite-I)结构性质的表征 总被引:5,自引:0,他引:5
用粉末XRD, FT-IR, 29^Si MAS NMR, 对高硅HZSM-5沸石及疏水硅沸石Silicalite I进行结构性质表征。在室温下, 疏水硅沸石具有ZSM-5的单斜对称性。它的红外骨架振动谱及高分辨29^Si固体核磁共振谱均显示出高的分辨率。在红外光谱中, 3700和3500cm^-1左右的表面Si-OH基振动消失。表明疏水硅沸石晶格中的[SiO~4]四面体排列完美。由-Si-O-Si-构成的微也表面, 具有优良的疏水性。 相似文献
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