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91.
以杯[4]芳烃和对氨基苯磺酸为原料,经重氮化-偶联反应合成了对磺酸基苯偶氮杯[4]芳烃,并使用紫外吸收光谱、红外吸收光谱、核磁共振等技术对其进行表征分析. 首次以CH3COOH-CH3COONa为缓冲溶液,使用循环伏安法研究对磺酸基苯偶氮杯[4]芳烃的电化学行为. 结果表明,当扫描电位在-0.5 ~ 1 V时,有1对氧化还原峰,其中氧化峰电位为0.302 V,还原峰电位为-0.003 V,且峰电流与峰电位均与扫描速率呈线性关系,推测该峰的形成受扩散控制影响,反应为动力学准一级可逆反应. 进一步利用多种电化学手段研究该电极反应,并求得动力学参数,反应活化能为14.84 kJ•mol-1. 相似文献
92.
在路易斯酸ZnCl2或MnSO4·7H2O作用下,通过1-甲基-1-氢-咪唑-4,5-二甲腈与NaN3水热原位合成了2个四唑配合物:{[Zn2(midt)(Hmidt)](N3)·H2O}n (1)和[Mn(midt)2·(H2O)2]·H2O (2)(midt=1-甲基-1-氢-咪唑-4,5-二四唑)。X射线单晶衍射表明尽管配合物1和2均结晶于同样的P1 空间群,但他们有完全不同的结构。配合物1为一个有趣的二维聚合物结构,含有两个不同配位环境的锌原子和多种配位模式的midt配体,而配合物2为一个三维超分子结构,包含一个有趣的水分子链结构。固态下1和2分别在353和382 nm处显示出较强的蓝色荧光。 相似文献
93.
94.
Nonpolar (1120) GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 (high) phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 (high) peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 (high) peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples. 相似文献
95.
96.
原位反应法制备金属基复合材料具有增强体与基体间无杂质、无污染、颗粒分布均匀等优点,已成为制备金属基复合材料的一种重要方法,揭示其动力学机制及规律具有重要的理论及工业价值.然而,原位反应过程具有反应时间短、随机发生、温度高等特点,目前采用原位实验观测其反应过程仍存在较大困难.本文采用相场法模拟金属熔体内的原位反应过程,首先建立了能够描述双束金属熔体界面反应形核的相场模型,并采用该模型模拟了不同参数下相界反应形核过程.结果表明,形核率随着曲率半径及噪声强度的增大而增大,小曲率半径及强噪声条件下新相颗粒尺寸分布更加均匀,形核率随着过冷度的增大而先增大后减小. 相似文献
97.
In microfluidic technology, dielectrophoresis (DEP) is commonly used to manipulate particles. In this work, the fluid-particle interactions in a microfluidic system are investigated numerically by a finite difference method (FDM) for electric field distribution and a lattice Boltzmann method (LBM) for the fluid flow. In this system, efficient particle manipulation may be realized by combining DEP and field-modulating vortex. The influence of the density ($\rho_{\rm p}$), radius ($r$), and initial position of the particle in the $y$ direction ($y_{\rm p0}$), and the slip velocity ($u_{0}$) on the particle manipulation are studied systematically. It is found that compared with the particle without action of DEP force, the particle subjected to a DEP force may be captured by the vortex over a wider range of parameters. In the $y$ direction, as $\rho_{\rm p}$ or $r $ increases, the particle can be captured more easily by the vortex since it is subjected to a stronger DEP force. When $u_{0}$ is low, particle is more likely to be captured due to the vortex-particle interaction. Furthermore, the flow field around the particle is analyzed to explore the underlying mechanism. The results obtained in the present study may provide theoretical support for engineering applications of field-controlled vortices to manipulate particles. 相似文献
98.
A position-sensitive detector is designed for neutron detection. It uses a single continuous screen of a self-made lithium glass scintillator, rather than discrete crystal implementations, coupling with a multi-anode PMT (MaPMT). The scintillator is fast and efficient; with a decay time of 34 ns and thermal neutron detection efficiency of around 95.8% for the 3 mm thick screen, and its light yield is around 5670 photons per neutron and 3768 photons per MeV γ rays deposition. The spatial resolution is around 1.6 mm (FWHM) with the energy resolution around 34.7% by using α (5.2 MeV) rays test. 相似文献
99.
100.