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基于化妆品产业发展前景和江南大学轻工特色优势、应用化学专业基础,通过教育部新工科项目"地方(行业)高校化学类专业应对产业变化升级改造的研究与实践"实施,对应用化学专业进行了系统性的升级改造。在调研分析的基础上,首先更新了专业定位和培养目标,进而确定课程体系、加强课程建设,以实现特色更鲜明、基础更扎实、素质更全面。针对新工科对人才培养的新要求,在多学科融合、多角度协同以及紧密结合产业方面形成了一些做法。从人才培养视角解决化妆品产业的发展难题,抢占科技制高点,将为人类社会进步发挥独特的作用。 相似文献
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Improvement on short-circuit ability of SiC super-junction MOSFET with partially widened pillar structure
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Xinxin Zuo 《中国物理 B》2022,31(9):98502-098502
A novel 1200 V SiC super-junction (SJ) MOSFET with a partially widened pillar structure is proposed and investigated by using the two-dimensional numerical simulation tool. Based on the SiC SJ MOSFET structure, a partially widened P-region is added at the SJ pillar region to improve the short-circuit (SC) ability. After investigating the position and doping concentration of the widened P-region, an optimal structure is determined. From the simulation results, the SC withstand times (SCWTs) of the conventional trench MOSFET (CT-MOSFET), the SJ MOSFET, and the proposed structure at 800 V DC bus voltage are 15 μs, 17 μs, and 24 μs, respectively. The SCWTs of the proposed structure are increased by 60% and 41.2% in comparison with that of the other two structures. The main reason for the proposed structure with an enhanced SC capability is related to the effective suppression of saturation current at the high DC bias conditions by using a modulated P-pillar region. Meanwhile, a good Baliga's FOM ($BV^{2}/R_{\rm on}$) also can be achieved in the proposed structure due to the advantage of the SJ structure. In addition, the fabrication technology of the proposed structure is compatible with the standard epitaxy growth method used in the SJ MOSFET. As a result, the SJ structure with this feasible optimization skill presents an effect on improving the SC reliability of the SiC SJ MOSFET without the degeneration of the Baliga's FOM. 相似文献
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室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×1015ions/cm2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势。对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论。 相似文献
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根据界面上应力和位移的连续条件,得到了单向拉伸状态下,含有椭圆夹杂的无限大双材料组合板的复势解。进一步通过求解Hilbert问题,得到了含有夹杂和半无限界面裂纹的无限大板的应力场,并由此给出了裂尖的应力强度因子K。计算了夹杂的形状、夹杂的位置、夹杂的材料选取以及上、下半平面材料与夹杂材料的不同组合对裂尖应力强度的影响。计算结果表明夹杂到裂尖的距离和夹杂材料的性质对K影响较大,对于不同材料组合,该影响有较大差异。夹杂距裂尖较近时,会对K产生明显屏蔽作用,随着夹杂远离裂尖,对K的影响也逐渐减小。另外,软夹杂对K有屏蔽作用,硬夹杂对K有反屏蔽作用,而夹杂形状对K几乎没有影响。 相似文献
87.
以丙烯酰胺(AM)、丙烯酸(AA)、(1-二甲氨基)-烯丙基磷酸(DMAAPA)和N-烯丙基油酰胺(CON)为原料,制备了一种水溶性磷酸盐共聚物AM/AA/DMAAPA/CON。确定了最佳合成条件:AM:AA:DMAAPA:CON=69.6:30.0:0.2:0.2(wt%)、pH=7、引发剂加量为0.2 wt%、单体浓度20 wt%、聚合反应温度40℃。对共聚物进行了IR和NMR表征。该聚合物表现出较好的增粘性、抗剪切、耐温和耐盐性能;0.8 wt%的共聚物溶液防膨率达到80.12%,与1.0 wt%的KCl复配后,防膨率达到96.54%。 相似文献
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89.
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目的:观察一线诱导化疗后低剂量吉西他滨持续静脉滴注维持化疗治疗晚期非小细胞肺癌(NSCLC)的疗效和安全性。方法对收治的66例初治ⅢB/Ⅳ期NSCLC患者,采用吉西他滨1000mg/m2(第1、8天)联合顺铂75mg/m2(分3d使用)方案诱导化疗,21d为1个周期。4个周期后有效或稳定的36例按2:1随机分为维持组(24例)和观察组(12例),维持组予低剂量吉西他滨(250mg/m2)6h持续静脉滴注,第1、8天使用,21d为1个周期,维持至疾病进展或患者对化疗毒性不能耐受。观察组停止化疗,观察直至疾病进展。结果维持组和观察组至疾病进展时间(TTP)分别为6.2个月和4.8个月(P=0.039);中位总生存时间分别为13.1个月和10.8个月(P=0.667)。维持化疗不良反应较轻微,主要表现为中性粒细胞、血小板数降低、贫血及恶心、呕吐。结论常规剂量吉西他滨联合顺铂一线化疗后序贯低剂量吉西他滨持续静脉滴注维持化疗安全、有效,应可进一步扩大样本量行研究是否有总生存时间的获益。 相似文献