纪念牛顿《原理》出版三百周年暨学术讨论会在京召开

牛顿不仅是一位伟大的物理学家、数学家,而且在力学、光学、化学、天文学、技术、经济和哲学等十多个领域均有建树。他不愧为十七世纪最伟大的科学家和哲学家,是世界科学史上的一位巨人。牛顿的《自然哲     

Zn,Cr∶LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其荧光光谱

通过选择合适的化学原料（Li2O∶48.6mol%, Nb2O5∶51.4mol%）、控制生长速度（<3 mm/h）及固液界面的温度梯度（20~40℃/cm）与温场，用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3 mol%、0.1 mol%,以及6 mol%、0.1 mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下，无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱（700~1200nm）及R带（710~740nm）的精细变温光谱.这些R带的光谱线由Cr离子所取代的Li(Cr3+Li)与Nb(Cr3+Nb)的发光中心以及声子辅助吸收所致.     

脉冲高能量密度等离子体薄膜制备与材料表面改性

脉冲高能量密度等离子体是一项全新的等离子体材料表面处理和薄膜制备技术。文章主要介绍了作者近几年来在这方面的研究成果。从理论和试验上研究了脉冲高能量密度等离子体的产生机制及其物理性质，研究了脉冲等离子体与材料相互作用的基本物理现象和物理机制，诊断测量表明，脉冲等离子体具有电子温度高（10－100eV）、等离子体密度高（10^14-10^16cm^-3）、定向速度高（－10^7cm/s）、功率大（10^4W/cm^2）等特点，在制备薄膜时具有沉积速率高，薄膜与基底粘结力强，并兼有激光表面处理、电子束处理、冲击波轰击、离子注入、溅射、化学气相沉积等综合性特点，可以在室温下合成亚稳态相和其他化合物材料。在此基础上，系统地进行了脉冲等离子体薄膜制备和材料表面改性及其机理的研究，在室温下的不同材料衬底上成功的沉积了性能良好的较大颗粒立方氮化硼、碳氮化钛、氮化钛、类金刚石、氮化铝等薄膜材料，沉积薄膜和基底之间存在一个很宽的过渡层，因此导致薄膜与基底有很强的粘结力，经脉冲等离子体处理过的金属材料表面性能得到了极大改善。     

代数方法在誤差糾正碼理論中的应用

设R是m个记号0,1,2,…,m-1的集合。我们常用长度为n的序列a=α_1α_2…α_n,α_i∈R来代表一个字,称为碼字。当要传送一个字时,需将α_i变作信号发送出去。由于杂声干扰等原因,对方所收到的可能不是a而是另一个序列b=β_1β_2…β_n,βi∈R,也就是说,可能有了誤差。因此,可靠性是信息传输中的中心问题。所谓誤差纠正码,就是由适当选取的某些序列所组成的集合C,使得当a传送成b时,即使有了誤差,也可根据一定的法则加以纠正。通常取R为整数模m的剩余类环或有限域,而码字a为R上的n维向量a=(α_1,α_2,…,α_n),α_i∈R。为了刻划码的纠正错誤能力,需要在码字之间引进“距离”的概念。我们对任意加法羣给出下列定义:     

右旋偏振波对高密度等离子体的穿透实验

本文分析了右旋偏振波穿透高密度等离子体的条件,给出了理论根据及原理性实验的结果。实验证实,当ω_(ce)≈2ω时,右旋偏振波(哨波模)可以穿透很高密度的等离子体(ω_(pe)~2>>ω~2),并可能成为克服“再入”时“黑障”的一个途径。     

Kinetics of Liquid Structure Transition of Sn-（40wt%）Bi Melt

The kinetics of temperature-induced liquid-liquid structure transition （TI-LLST） process in Sn-（40wt%）Bi melt is investigated in isothermal and continuous heating experiments with electrical resistivity method. The time evolution pattern of the electrical resistivity suggested the transition mechanism of TI-LLST for Sn-（40wt%）Bi melt in accordance with the autocatalytic reaction model, which is an indication of nucleation-growth type. With the calculated reaction rate constant KT and apparent activation energy Δ E, we deduce the reason for the characteristics of TI-LLST. The present result may be beneficial for further understanding of the nature of TI-LLST.     

基于色酮骨架的新型Pd(II)配合物的合成及其晶体结构

以3-碘代色酮、降冰片烯、新戊酸钯和三(4-甲氧苯基)膦为原料,通过“一锅法”合成了一种含色酮骨架的新型Pd(II)配合物,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR, ³¹P NMR和HR-MS（ESI-TOF）表征。X-射线单晶衍射分析显示该配合物晶体属于三斜晶系,P₁空间群,Pd与周围的4个原子形成了扭曲的平面四边形结构。     

2-茂铁基-4,5-二苯基咪唑离子液体的合成及对高氯酸铵热分解的催化作用

以2-二茂铁基-4,5-二苯基-1-氢咪唑(1)为原料,用较强碱Na H拔氢,经不同卤代烃取代制得化合物2a~2f,再与碘甲烷反应生成相应的咪唑离子碘盐(3a~3f),最后与六氟磷酸铵进行离子交换得到咪唑的六氟磷酸盐(4a~4f).通过红外光谱(IR)、核磁共振波谱(NMR)、质谱(MS)、高分辨质谱(HRMS)及X射线单晶衍射对目标化合物的结构进行了表征.运用循环伏安法(CV)探讨了其氧化还原过程,利用热重分析(TG)及差示扫描量热法(DSC)研究了化合物对高氯酸铵(AP)的燃速催化性能.电化学测试结果表明,化合物均仅有一组氧化还原峰,归属于分子中茂环(Fc/Fc~+)的氧化还原过程,且电极反应动力学基本受扩散控制.热分析结果表明,目标化合物对AP均具有优良的燃速催化效果,其中负离子为I-的化合物的催化分解效果明显优于负离子为PF-6的化合物.尤为突出的是化合物3b,其第二分解峰几乎消失,而第一分解峰则提前到270.5℃,将AP分解温度提前了180℃.     

聚合物材料缺口冲击强度与断面粗糙度参数Rs的关系

金属材料断面粗糙度的测定描述及其与材料性能间的关系已有很多报道,研究结果表明,随断面粗糙度表征参量（分形维数ＤＦ,表面粗糙度参数ＲＳ）增大,金属材料的一些宏观力学性能（断裂韧性ＫＩＣ,冲击韧性ａＫ,疲劳门槛值ΔＫｔｈ等）增高,但这些研究都较少涉及材料的断裂机制［１～３］．聚合物材料断面粗糙度的定量研究较少,有关聚合物材料断面粗糙度与材料韧性间关系的定量结论也不一致［４,５］,体现出聚合物材料断面粗糙度定量分析的复杂性．本文通过对不同试验温度下几种聚合物材料冲击断面粗糙度的定量测定,研究了聚合物材…     

Meso位直结型稳定双卟啉的合成及性质

利用氧化法成功地合成了同核meso位直结型稳定卟啉二聚体锌络合物,收率接近理论值;无论是碱式还是金属络合物都显示出卟啉环间成平面正交的电子吸收光谱;在循环伏安图谱中都显示出卟啉环间再氧化还原过程中较强烈的库仑作用;每个卟啉环的一电子氧化或还原均为可逆过程。