氢离子与碳膜相互作用的实验研究

此文报道了H+、H+2和H+3离子通过碳膜后,在其中产生的各种微量产物的测量结果.讨论了离子与碳膜作用中的电荷交换过程.分析了这些微量产物的形成机理.实验证明在产物的形成中电荷交换过程起关键作用.研究了离子与碳膜作用中的团簇效应和尾流效应.     

生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料，获得表面平整．光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高，为了保证铟在固相中组分不变，必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时，外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间，X射线双晶衍射曲线半高宽最窄，高于或低于这个温度区间，半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值，然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大，在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。     

强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

 利用强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行了辐照，测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示，经过强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行的辐照，在Si-SiO₂界面感生出新的界面态，感生界面态的增加与辐照剂量成正比，并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式，并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明，强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多，退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象，即辐照剂量大的阈电压漂移，在退火后恢复的绝对值，要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系，定性解释了滞后现象。     

幅相一致行波管高频电路CAD研究

 在行波管的设计和装配过程中，各部件的尺寸必须严格控制，高频电路参数的离散对行波管色散特性有极大的影响。使用螺旋导电面模型，模拟计算了高频结构各主要参数离散对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响。分析计算了夹持杆宽度、翼片高度、螺旋线平均半径、螺距、夹持杆介电常数等离散时对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响，为新型幅相一致行波管的设计和生产提供了很有价值的参考建议。     

激光聚变研究中心聚变靶物理实验和诊断技术研究进展北大核心CSCD

美国在国家点火攻关计划(NIC)的实施尽管未能实现点火目标,但建立了前所未有的点火靶物理精密实验能力,深化了点火靶物理认识,进一步明确了需要进一步解决的关键问题。激光聚变研究中心利用神光Ⅱ和神光Ⅲ原型装置条件,围绕黑腔等离子体能量学和内爆动力学开展实验与诊断技术研究,部分关键诊断技术取得突破,精密的实验能力显著增强,进一步丰富的配套实验结果在深化靶物理认识和校验数值模拟程序方面发挥了重要作用。     

汤川秀树与π介子理论的提出

日本物理学家汤川秀树(YuKawa Heidiki.1907～1981),因在1935年提出介子场理论而对核物理作出的贡献,被授予1949年度的诺贝尔物理奖,成为日本第一位诺贝尔奖获得者.汤川秀树的成功,轰动了日本,同时吸引了大批青年学生热爱物理并投入这一研究领域,为物理学在日本的发展起到了推动作用.     

激光测距机主要参数校准测量不确定度分析

简述激光测距机主要参数校准装置的组成，通过对其主要参数(最大测程、最小测程、测距准确度、重复频率、束散角)的校准测量进行详细的不确定度分析，评价激光测距机主要参数校准装置的达标程度。     

动态核极化核磁共振波谱学

正在发展的固体高分辨动态核极化（ＤＮＰ）技术是核磁共振波谱学中一个崭新的分支．ＤＮＰ是一种电子－核的双共振技术，它利用未配对电子与核的相互作用，在强磁场下用微波激发自由电子跃迁，使相关核的自旋能级分布发生极化，不仅大大增强了核磁共振方法的灵敏度，还提供了微观电子结构的宝贵信息，具有相当重要的理论研究及实际应用价值．目前，ＤＮＰ方法的应用日益广泛，已成为核磁共振波谱学中一种重要的手段．