全文获取类型
收费全文 | 375篇 |
免费 | 101篇 |
国内免费 | 119篇 |
专业分类
化学 | 237篇 |
晶体学 | 6篇 |
力学 | 29篇 |
综合类 | 10篇 |
数学 | 81篇 |
物理学 | 232篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 8篇 |
2020年 | 11篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 7篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 33篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 24篇 |
2011年 | 18篇 |
2010年 | 36篇 |
2009年 | 21篇 |
2008年 | 27篇 |
2007年 | 21篇 |
2006年 | 26篇 |
2005年 | 23篇 |
2004年 | 19篇 |
2003年 | 26篇 |
2002年 | 28篇 |
2001年 | 21篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 20篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 15篇 |
1995年 | 16篇 |
1994年 | 21篇 |
1993年 | 15篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
排序方式: 共有595条查询结果,搜索用时 664 毫秒
241.
242.
采用脉冲电沉积结合阳极氧化铝模板技术制备了不同生长方向的闪锌矿型InSb纳米线阵列. 结果表明, 控制电解液中十二烷基硫酸钠(SDS)的浓度, 可使纳米线的择优生长方向从[400]向[220]方向转变. 利用X射线衍射仪、 场发射扫描电子显微镜、 高分辨透射电子显微镜对所制备纳米线的相组成和微结构进行了表征. 激光拉曼光谱结果表明, 不同生长方向的InSb纳米线阵列的拉曼光谱有明显差异. 与体材料相比, InSb纳米线阵列的红外吸收声子散射峰发生强烈红移, 其吸收带边发生了明显蓝移. 相似文献
243.
利用多参考组态相互作用方法计算得到了He-S2(X3∑-g)与He-S2(B3∑-u)的势能曲面;计算并讨论了He原子与S2分子的相对位置R与S2(B3∑-u→X3∑-g)跃迁矩和诱导偶极矩变化的关系;分析了He对S2分子轨道的压缩随R的变化,以及在实验中加入缓冲气体对实现S2分子发光的影响. 相似文献
244.
245.
246.
247.
248.
碱熔融-ICP-AES法对锰矿石中主量、次量与痕量元素的同时测定 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了一种同时测定锰矿石中主量、次量和痕量元素的电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES).锰矿石样品经碱熔融和盐酸浸取后,选用SeaSpray雾化器和旋流雾室,选定了待测元素的分析线,优化了样品提升速率、载气压力、入射功率和冷却气流速;研究了基体效应,认为大量存在的易电离元素钠(3.5 g/L)使得各元素间的相互影响可以忽略;研究了酸度效应,随着酸度的增加,每个待测元素的净光强均略有下降.该方法用于4种标准物质GBW07262 ~GBW07264和No.5406-90的实际分析,Mn、Fe、Si、Al、Ca、Ba、Mg、K、Cu、Ni、Zn、P、Ti的测定值与标称值吻合,RSD(n=7)为0.1% ~6.8%;Co、Cr、V、As、Pb的回收率为92% ~110%,RSD(n=7)为0.1% ~3.4%.该方法可极大地提高锰矿石中多元素测定的工作效率. 相似文献
249.
通过对现行初中化学教材中燃烧条件探究实验的理性分析,以学生已有的生活经验和化学知识为基础,选择学生所熟知的可燃物--纸条和木炭作实验物品,对燃烧条件探究实验进行了绿色化改进。从根本上解决了教材实验的污染问题,将氧气、二氧化碳的实验室制法与性质实验及一氧化碳的可燃性等前后几部分教学内容紧紧地联系在一起,降低了学生的学习难度,培养了学生的创新意识,降低了实验成本,提高了教学的有效性。 相似文献
250.
采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO (GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93;,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3 Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7.36cm2 ·V-1 ·S-1增至9.53 cm2·V-1·S-1. 相似文献