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131.
The evolution of shower parton distributions in a jet is investigated in the framework of a quark recombination model. The distributions are parameterized and the Q^2 dependence of the parameters is given by polynomials of In Q^2 for a wide range of Q^2  相似文献   
132.
Recently, two papers presented by Ortigoso et al. [Phys. Rev. Lett. 93 (2004) 073001 and Phys. Rev. A 72 (2005) 053401] develop a novel strategy in which the best sustainable molecular alignment/orientation has been achieved. We intend to analyse the dynamic mechanisms, including those Ortigoso et al. have not clarified.  相似文献   
133.
杨文火 《波谱学杂志》1984,1(2-3):143-152
本文把计算隔两个化学键的偶合常数2J的原理和方法,推广到烃类分子中的隔三个化学键的偶合常数3J和远程偶合常数4J5J……的计算。对20个化合物的57个偶合常数的计算结果表明,除了个别与实验值相差较大外,一般都能较好地符合。  相似文献   
134.
 为改善大偏转角度的偏转像质,设计了一种高时间分辨、大扫描长度的扫描变像管电子光学和行波偏转系统。对变像管后加速技术进行了实验研究,结合图像外增强技术,解决了大面积扫描图像的探测灵敏度问题,达到了同时扩展扫描变像管的时间量程和提高时间分辨力的目的,研制出了宽时间量程、高时间分辨力的扫描变像管。初步实验表明,在量程为5 ns时,时间分辨力达到5 ps,也就是时间分辨力与时间量程之比达到1/1 000。  相似文献   
135.
通过对球面弯晶背光成像系统的分析,获得了空间分辨率、能量分辨率等关键性能参数随成像系统设计参数变化的关系。利用这一关系对背光成像系统的不同成像方式应用进行分析,并用光路追踪模拟进行验证。在此基础上,利用X射线衍射仪开展了单能成像系统的成像演示实验,获得与模拟和数值分析一致的结果。通过对成像系统的设计优化,这种高分辨单能成像技术将能够在神光激光装置上开展的物理实验中获得广泛应用。  相似文献   
136.
 本文利用FT-IR和Raman光谱对用不同触媒高压合成的不同颜色立方氮化硼晶格振动的声子吸收和散射进行了研究。获得了较完整的晶格振动信息,并在1 000~1 300 cm-1范围内,观测到了3个新的振动谱带,其中一个位于1 089 cm-1, 归属为体TO声子和表面TO声子组合带,另两条513、801 cm-1推测为杂质诱发吸收带。  相似文献   
137.
 复合片钻头的钻速与其切削齿的自锐性密切相关,钻头台架试验反映了这种内在联系,并用平均钻速(v)和平均钻速变化率(α)等指标对复合片自锐性能进行描述与评价。试验结果表明,复合片的自锐性在微观上取决于聚晶体发生串晶断裂和沿晶界断裂的程度,宏观上则依赖于复合片双层结构间在耐磨性能上互为因果的关系。  相似文献   
138.
采用密度泛函理论(DFT)方法对Nin(n=1-9)团簇的结构, 稳定性和磁性进行了详细的研究. 得到了一些以前文献中没有提到的稳定结构, 并与其它方法得到的结构进行了比较, 得到的最稳定结构与实验结果相一致. 团簇能量的二阶差分、分裂能、HOMO-LUMO能隙随团簇尺寸的演化都没有表现出明显的奇偶振荡行为, 但在n=5、7时均有较大的值, 说明相对应的团簇具有较高的稳定性、较低的化学活性. 团簇磁性的研究表明团簇的平均每原子磁矩随团簇尺寸的增加有一定振荡, 但有逐渐减小的趋势, n≥5时团簇的构型对团簇磁性的影响较小.  相似文献   
139.
美国在国家点火攻关计划(NIC)的实施尽管未能实现点火目标,但建立了前所未有的点火靶物理精密实验能力,深化了点火靶物理认识,进一步明确了需要进一步解决的关键问题。激光聚变研究中心利用神光Ⅱ和神光Ⅲ原型装置条件,围绕黑腔等离子体能量学和内爆动力学开展实验与诊断技术研究,部分关键诊断技术取得突破,精密的实验能力显著增强,进一步丰富的配套实验结果在深化靶物理认识和校验数值模拟程序方面发挥了重要作用。  相似文献   
140.
 利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明,强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象。  相似文献   
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