国际纯粹与应用物理联合会1990年举办的国际会议

C2 符号、单位、命名、原子质量和基本常数委员会 C2.1 第8届国际原子质量和基本常数会议 日期:9月 9日-14日 地址:以色列 耶路撒冷 组织者:Prof、N.Zeldes The Racah Inst.of　Physics Hebrew Unlv.of Jerusalem Jerusalem 91904,ISRAEL C2.2 精密电磁测量会议 日期:6月11日-15日 地址:加拿大 渥太华 组织者:Dr.J.Vanier National　Research Council Ottawa,Ontarir K1A OR6 CANADAC4 宇宙射线委员会 C4.1 第 21届国际宇宙射线会议 日期:1月 6日- 19日 地址:澳大利亚 阿得富德 组织者:Prof.J.R.Prescott Dept.Of Phy. &…     

用位相共轭方法研究阶梯量子阱的三阶非线性极化系数X(3)及其色散关系

用位相共轭的实验方法,以TEA CO₂激光器作为激发光源,研究了阶梯量子阱子带间光学跃迁三阶非线性极化系数X⁽³⁾(-ω;ω,-ω,ω)及其随波长变化的色散关系,得到在近共振情况下的X⁽³⁾为8×10^-5esu,位相共轭反射率η为6×10^-3用实验的方法验证了位相共轭信号,并对实验结果进行了分析.     

1987年以来我国高温超导研究进展

本文评述了自１９８７年以来我国高临界温度氧化物超导体研究工作的进展，包括超导体材料研究和制备，超导薄膜研究和制备，基础性研究以及超导量子干涉器件等应用方面的进展．     

国际纯粹物理与应用物理联合会(IUPAP)召开第20届代表大会

国际纯粹物理与应用物理联合会的代表大会每三年召开一次,进行执委会和下属各专业委员会的换届选举.第20届大会已于1990年9月25日至28日在民主德国德累斯顿(Dresden)举行,来自28个国家和地区物理学会的代表参加了会议.中国物理学会派出杨国祯、王义遒、杜祥琬三人组成代表团参加,台北物理学会有古焕球、胡进锟、朱国瑞三人参加.会议由两部分组成:IUPAP大会会务报告和科学报告.前者包括上届主席的总结报告、秘书长工作报告、各专业委员会的工作报告、财务情况报告、提名和选举执委会和各专业委员会有关人员、以及讨论各种提案等等.后者包…     

Pico-second photoelectric characteristic in manganite oxide La0.67Ca0.33MnO3 films

Ultrafast photoelectric characteristic has been observed in La_0.67Ca_0.33MnO₃ films on tilted SrTiO₃ substrates. A pico-second (ps) open-circuit photovoltage of the perovskite manganese oxide films has been obtained when the films were irradiated by a 1.064μm laser pulse of 25 ps duration. The rise time and full width at half-maximum of the photovoltage pulse are ～300 ps and ～700 ps, respectively. The photovoltaic sensitivity was as large as ～500 mV/mJ.     

Unit-Cell by Unit-Cell Homoepitaxial Growth Using Atomically Flat SrTiO3（001） Substrates and Pulsed Laser Deposition

Using a combination of chemical etching and thermal annealing methods, we have obtained atomically fiat TiO2-terminated SrTiO3 (001) with large terraces. The average width of the terrace is only determined by miscut angles.When we continuously grow tens of SrTiO3 monolayers on such a surface under pulsed laser ablation deposition condition at 621℃, the growth proceeds in a layer-by-layer mode characterized by un-damped oscillations of the specular RHEED intensity. After the growth of 180 monolayers, the surface morphology is restored to the pre-growth condition with similarly large terraces after annealing in vacuum for only 30 rain, indicating efficient mass transfer on TiO2-terminated terraces.     

新兴的波前工程学

基于光学衍射原理而发展起来的新光学技术，应用于光学掩模设计，可制作逼近监界尺寸的微小元件和极高密度的集成电路芯片，波前工程学可能导致集成电路模板制作上的一场革命，其前景十分引人瞩目。     

《高温超导》书评

高温氧化物超导体问世已经多年了.国际商用机器公司在苏黎世的科学家贝德诺茨和米勒教授于1986年发现了高温超导体以来,经过各国科学家的共同努力,将高温超导体的研究不断地推向了高潮.高温氧化物超导体的发现和发展,不仅导致了世界性的研究热浪,而且引起了各国政府和工业界的巨大兴趣.竞争的激烈择度是空前的,许多的科研成果直接通过新闻媒介和社会大众见面,造成了一次又一次的轰动.这就使得高温超导不但成为科学家的话题。而且成为了一般民众,特别是青少年们津津乐道的话题.高温超导作为一门深奥的学问,能如此深入地渗透到民间大众和青少…     

Si1-xGex/Si量子阱价带子带间跃迁的偏振特性及Kerr效应的研究

首先用Fourier红外吸收谱对p型掺杂的Si_0.75Ge_0.25/Si量子阱价带子带间跃迁的偏振特性进行了研究。实验表明TE和TM偏振光均能激发价带子带间跃迁,并在HH₁→HH₂跃迁中观察到很强的二向色性。同时分别在45°及垂直入射的情况下,对加有直流电场的样品进行Fourier红外电致吸收测量,首次得到样品在不同直流电场下吸收系数变化谱和折射率变化的电场依赖关系(Kerr效应)。在外电场作用下测得的较大△n(∝E²)及子带间跃迁的偏振特性表明,SiGe/Si半导体量子阱材料在焦平面阵式布列的集成线路及光电器件等应用方面具有潜在优势。     

集成微光机电系统中的矢量光学问题

集成微光机电(MOEM) 系统是近年来迅速地发展起来的一门新兴的综合学科,它融合了微光学元件、微电子器件和微机械结构的优点.不但在技术上有重要的应用,还蕴涵着与小尺寸器件有关的力学、热学、电学、光学,以及材料科学等丰富的基础科学研究课题.文章探讨了MOEM 系统中典型的微光学元件,如衍射微透镜、折射微透镜和微光栅中的矢量光学问题,简要地介绍了相应的求解方法.