超宽带天线中同轴到平板过渡研究

 从理论上分析了渐变式传输线阻抗变换的反射与频率的关系，进而分析了同轴到平板过渡的电压驻波比关系式； 用3维FDTD方法动态模拟了瞬态脉冲信号在同轴到平板过渡中的传输过程，分析了信号在过渡中的损耗，设计了具有高功率容量的渐变式同轴到平板过渡和TEM喇叭天线，对渐变式同轴到平板过渡的反射和带过渡结构的天线方向图进行了测量。实验表明瞬态脉冲信号经过同轴到平板过渡没有产生畸变，适当选择过渡长度可使脉冲传输效率大于85%。实验结果验证了理论和数值模拟的结果。     

高功率半抛物面冲击脉冲辐射天线系统实验研究

 描述了研制的一种集高重复频率、高功率冲击脉冲源和半抛物面反射器冲击脉冲辐射天线为一体的新型超宽带辐射天线系统,内容包括天线理论分析、系统工程设计和实验。研制的紧凑型高功率半IRA实验系统,在轴上30m处电场达13kV/m。     

非线性传输线产生射频脉冲原理研究

介绍了非线性传输线的工作原理和色散特性,给出了用于模拟交叉耦合磁饱和非线性传输线的计算方法。算法基于传输线各节点的时域差分方程组进行步进迭代,其中利用J-A模型描述传输线中NiZn铁氧体磁芯的非线性磁化行为,并模拟了非线性传输线的工作方式。实验获得了中心频率165MHz的宽带脉冲输出,初步验证了用于产生宽带电磁脉冲的非线性传输线关键技术。     

强流短脉冲相对论速调管放大器实验研究

 利用无箔空心石墨阴极和0.65T的脉冲引导磁场，从Sinus加速器二极管引出了电压约750kV、电流约8.6kA、脉宽40ns的环形电子束，经过输入腔和中间腔间隙调制后,得到了7kA/43ns的基波调制电流，经过输出腔间隙后，得到了2.1GW/15ns的最大微波输出功率，束波转换效率33％，最高增益为40dB,并发现脉冲缩短现象。     

利用场耦合理论研究开放微波谐振腔

在高功率微波(HPM)和驻波加速器的研究中，开放微波腔模式(微波场分布、频率和Q值)一直是大家所关心的问题，微波腔通常是具有复杂形状的圆柱腔；多年来，关于微波腔模式的研究一直在进行。从电磁理论(Maxwell方程)和有关的数学方法出发，建立开放微波腔模式同封闭微波腔模式之间的场耦合方程，由此确定开放微波腔模式。     

含氟液晶研究进展

本文简述了含氟液晶的研究进展。根据小分子含氟液晶中氟原子或含氟基团的位置不同,将其分为3类：末端是氟原子或含氟基团的液晶、苯环上氢原子被氟原子取代的液晶、中心桥键上的氢原子被氟原子取代的液晶。根据小分子含氟液晶特点,归纳了氟原子或含氟基团对液晶分子物理性质的影响。同时对高分子含氟液晶的研究进展也做了介绍。     

可调频高功率宽谱微波的产生和辐射

 设计了一种可调谐频率的高功率宽谱微波辐射装置,装置由可调谐长度的1/4波长低阻同轴谐振器、环形开关、电容耦合器和宽谱辐射天线组成,中心频率调谐为200～400 MHz。低阻传输线与环形开关构成1/4波长短路谐振器,它产生的宽谱微波振荡通过耦合器耦合到宽谱辐射天线上辐射,而耦合器由集中电容与分布电感组成,实现宽谱微波在频率调谐范围内以较为一致的耦合度提取微波能量。通过转动螺杆滑动安装在同轴谐振器内芯上的环形开关,达到改变谐振频率的目的。最后,将可调频宽谱辐射装置与输出电压为500 kV的Tesla变压器脉冲功率源联试,得到200～400 MHz宽谱微波辐射,辐射因子为95～130 kV,频谱百分比带宽为10%～30%。     

高功率超宽谱辐射源实验研究

 对高功率超宽谱辐射源的参数进行了理论分析设计,对高压电源、脉冲产生、阻抗变换及传输线、天线等各部分的具体参数进行了分解匹配。根据理论计算结果,设计了一套高功率超宽谱辐射装置并进行了实验研究,对输出功率、辐射效率等进行了调试,在2.7 Ω负载上获得脉冲输出功率超过30 GW、脉冲宽度1.6 ns,通过超宽谱Cassegrain双反射面天线辐射,等效辐射峰值功率超过2×10¹² W,辐射因子超过8 MV,H面与E面3 dB宽度分别为2.35°和2.27°。     

低速度零散的双阳极磁控注入电子枪设计

根据0.14 THz共焦波导回旋行波管对电子枪的要求,完成了双阳极磁控注入电子枪的设计。使用PIC软件对理论设计得到的结构参数进行了模拟优化,最终得到该枪的电子注横纵速度比为0.75,纵向速度零散1.33%。讨论了电极形状、阴极磁场、控制极电压及发射电流对电子注性能的影响,结果表明,设计过程中应对它们进行充分的优化。