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171.
本文从理论上推导出程序柱柱效及分离度的函数关系式,并将程序柱与常规柱进行比较,理论计算和实验结果都表明正切程序柱是一种较理想的程序柱。 相似文献
172.
新型引发体系引发MMA"活性"自由基聚合 总被引:1,自引:0,他引:1
传统的原子转移自由基聚合(ATRP)引发体系是由卤化物(引发剂)、低价过渡金属和合适的配体组成的络合物(催化剂)[1,2],即RX/Mnt/LX,三部分组成的.但由于卤化物的毒性和低价过渡金属易被空气中的氧气氧化,因此Matyjaszewski等[3,4]和Teyssié等[5]提出了新的引发体系反向ATRP.反向ATRP用传统引发剂(如AIBN)代替卤化物,用高价过渡金属络合物代替原来的催化体系,即AIBN/Mn+1t/LX,就避免了上述两个缺点.反向ATRP的引发反应机理表述如下: 目前已见诸报道的关于反向ATRP的文献甚少[3~5],所使用的引发剂均为AIBN.Wang和Matyja… 相似文献
173.
报道了一种简便易行的绿色合成4-羟基苯基-1′-O-D-吡喃葡萄糖苷(即熊果苷及其端基异构体)新方法,采用固体酸蒙脱石K-10或4A分子筛为催化剂,将四苄基保护的葡萄糖(2)或α-三氯乙酰亚胺酯糖给体(3)与氢醌直接进行糖基化反应,最高以86%的产率获得4-羟基苯基-2,′3,′4,′6′-四-O-苄基-1′-O-D-吡喃葡萄糖苷(4),进而脱除苄基保护,定量获得熊果苷及其端基异构体(1)。中间体(4)的结构经IR、MS、1H NMR及元素分析等测试技术进行了确认,化合物(1)的理化数据与文献值相同。 相似文献
174.
The mechanisms of reactions between CCI3OO radical and quercetin, rutin and epigal-locatechin gallate (EGCG) have been studied using pulse radiolytic technique. It is suggested that the electron transfer reaction is the main reaction between CCI3OO radical and rutin, EGCG, but there are two main pathways for the reaction of CCI3OO" radical with quercetin, one is the electron transfer reaction, the other is addition reaction. The reaction rate constants were determined. It is proved that quercetin and rutin are better CCI3OO radical scavengers than EGCG. 相似文献
175.
176.
建立液体火箭发动机燃烧稳定性数值仿真模型, 对液氧/煤油, 煤油/气氧/气氢, 气氢/液氧发动机的两相燃烧稳定性进行了数值仿真. 首次得到的系列自激燃烧振荡的仿真结果与试验规律相符: 氢气有利于烃氧火焰稳定; 提高同轴式喷嘴的气相喷射速度有利于稳定. 对仿真结果的进一步分析表明, 燃烧室头部附近的预混低温区为燃烧振荡提供了能量. 根据仿真结果提出了抑制燃烧不稳定的技术措施: 在推进剂中添加催化剂降低反应活化能, 或者改进喷注器的设计以缩小喷嘴附近的预混低温区. 相似文献
177.
178.
放线菌素D是一种和双链DNA和单链DNA都能发生选择性结合的抗生素, 而这种结合作用大大增加了DNA的光敏性. 利用电子顺磁共振(EPR)和自旋捕捉技术, 对放线菌素D光动力作用过程中产生的活性氧进行了系统研究, 发现无论是在溶液中还是在与DNA形成复合物以后, 1O2和O2—. 都是重要的活性产物, 而且两者的产额存在竞争关系. 实验结果说明, 放线菌素D的光敏作用是通过能量转移(Ⅱ型机制)和电子转移(Ⅰ型机制)两种反应途径进行的. 当在溶液中氧自由存在时, 以能量转移形成1O2为主; 而当和DNA形成复合物时, 放线菌素D的激发态与DNA之间的电子转移反应成为主要的反应途径. 相似文献
179.
Various Recipes of SiNx Passivated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors in Correlation with Current Slump 下载免费PDF全文
The current slump of different recipes of SiN~ passivated AIGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is investigated. The dc and pulsed current-voltage curves of AIGaN/GaN HEMTs using different recipes are analyzed. It is found that passivation leakage has a strong relationship with NH3 flow in the plasma-enhanced chemical vapor phase deposition process, which has impacted on the current collapse of SiNs passivated devices. We analyze the pulsed IDS -- VDS characteristics of different recipes of SiNx passivation devices for different combinations of gate and drain quiescent biases (VGso, VDSO) of (0, 0), (-6, 0), (-6, 15) and (0, 15)V. The possible mechanisms are the traps in SiNxpassivation capturing the electrons and the surface states at the SiNx/AIGaN interface, which can affect the channel of two-dimensional electron gas and cause the current collapse. 相似文献
180.