磷青铜表面合金镀层的辉光放电发射光谱逐层分析

应用辉光放电发射光谱分析技术，从纯金属求得难以测定的试样表层合金的溅射率，对磷青铜薄带的镀层（Ａｇ－Ｃｕ）合金进行表面逐层分析，得到镀层中银和铜含量随深度的变化曲线，同时测得了镀层的厚度。     

橄榄苦甙的NMR数据解析

对橄榄苦甙进行了¹H和¹³C MNR检测, 通过DEPT和¹H-¹H COSY、HMQC、HMBC、NO ESY等2D NMR对其¹H和¹³C NMR数据进行了全归属和较详细的解析, 并指出其NMR数据特征.     

纳米粒子与单晶硅表面碰撞的反弹机理研究

应用分子动力学方法模拟了纳米粒子与单晶硅(001)表面碰撞、反弹飞离的现象，分析了粒子的反弹行为、基体弹性形变和塑性形变的原子构型特征，以及碰撞过程的能量转化.碰撞后单晶硅表面形成半球形的小坑，小坑周围的基体原子呈非晶态.碰撞过程中与颗粒相邻的基体原子立即非晶化，在非晶层外面基体以可恢复的(111)［110］滑移结构存储弹性形变能.在射入过程，基体发生压缩弹性形变；颗粒反弹时基体势能振荡下降,交替形成压缩形变构型和拉伸形变构型.射入过程中存贮的压缩弹性形变能的释放为颗粒提供了反弹、飞离的能量. 关键词： 碰撞 纳米粒子 单晶硅表面 分子动力学模拟     

不同掺杂的钇系-123薄膜磁通特性

我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0．2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0．5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系．利用最近Zhang et al.[Phys．Rev．B71（2005），052502]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论．     

Deep InP Gratings for Opto-Electronic Devices Etched by C12/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma

Deep InP gratings are etched by C12/CH4/Ar inductively coupled plasma （ICP） at room temperature. A comparison is made between SiNz mask patterns formed by wet and dry etching. SF6 reactive ion etching is adopted for smooth and vertical sidewall. The etching conditions of C12/CH4/Ar ICP are optimized for high anisotropy, and a 1.7-μm-deep InP grating with an aspect ratio of 10：1 is demonstrated. The technique is then used for the fabrication of 1.55-μm laterally coupled distributed feedback A1GMnAs-InP laser.     

Ti-Zr-Ni单相准晶合金的室温力学性能研究

以Ti40₄₀Zr40₄₀Ni20₂₀合金为研究对象，用铜 模吸铸法制备出直径为3mm的致密单相准晶棒，通过维氏显微硬度测定和单向压缩实验方 法研究了该合金的室温力学性能 .结果表明：Ti40₄₀Zr40₄₀Ni20₂₀准晶具有良好 的弹性变形能力，室温弹性应 变可达125%.同时，它具有相对高的室温硬度（约55GPa），是普通Ti合金的15倍.T i40_{40 关键词： 准晶 Ti-Zr-Ni合金 解理断裂}     

第一届全国应用化学学术报告会在京举行

第一届全国应用化学学术报告会于8月1日至5日在北京西郊卧佛寺别墅举行。来自全国各地的科研单位、高等院校、工厂企业等200余名代表出席了会议。中国科学院长春应用化学研究所所长中国化学会应用化学委员会副主任委员王佛松主持了第一天的大会。中国科学院化学研究所名誉所长中国化学会应用化学委员会主任委员柳大纲致开幕词。他详细阐述了开展应用化学研究对促进四化建设的重要意义,指出工程师并不就