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101.
光纤布拉格光栅采用非电磁信号测试方式,具有显著的抗电磁干扰以及可嵌入被测结构内部等特性,已成为近些年广受关注的光学应变、温度传感与测试新技术。但在极端条件下(如超低温环境),光纤由于受到其自身材料特性的局限,传感特性不明显甚至限制了其应用。基于结构变刚度的力学増敏方法,本文提出了一种适用于低温区的光纤布拉格光栅温度传感増敏的结构设计方法。研究结果表明:该传感结构可有效感应低温下的温度变化,増敏效果明显;并获得増敏效果随结构材料与几何特性的依赖关系,经过优化可使得光栅区对温度和应变的敏感性大大提高,甚至提高1个数量级。最后,完成了这一増敏结构的设计和制备,实验验证了所提方法的有效性和可靠性。  相似文献   
102.
 为改善大偏转角度的偏转像质,设计了一种高时间分辨、大扫描长度的扫描变像管电子光学和行波偏转系统。对变像管后加速技术进行了实验研究,结合图像外增强技术,解决了大面积扫描图像的探测灵敏度问题,达到了同时扩展扫描变像管的时间量程和提高时间分辨力的目的,研制出了宽时间量程、高时间分辨力的扫描变像管。初步实验表明,在量程为5 ns时,时间分辨力达到5 ps,也就是时间分辨力与时间量程之比达到1/1 000。  相似文献   
103.
光电隐身一般包括红外隐身、激光隐身、可见光隐身、雷达隐身和声波隐身.本讲座较系统地介绍红外隐身、激光隐身、可见光隐身的技术内涵,光电隐身技术的应用和国内外发展现状,隐身原理和隐身措施.重点介绍光电隐身的性能评估,包括性能评价方法和模型,隐身性能测试,隐身性能测试仪器的计量检定和校准等.  相似文献   
104.
RFID技术的应用在有效降低商品库存损耗率的同时,也增加了供应链企业的运营成本,尤其是具有资金压力的供应链中小企业。在零售商具有资金约束的二级供应链下分析RFID技术的应用对资金约束供应链绩效的影响,通过构建贸易信贷下基于批发价合同的Stackelberg博弈模型,对比采用RFID前后资金约束供应链成员的均衡决策及期望收益,探讨了该供应链采用RFID的必要条件。结果显示当RFID标签成本低于某个阈值,或RFID库存损耗恢复率高于某个阈值时,供应链成员会选择采用RFID。此外,当RFID单位标签成本或零售商标签成本分摊系数较低,或RFID库存损耗恢复率较高时,制造商会提供比不采用RFID时更高的批发价;在采用RFID的条件下,零售商订购数量低于不采用RFID时的数量。通过设计收益分享契约实现了采用RFID时资金约束供应链的协调。  相似文献   
105.
光电隐身一般包括红外隐身、激光隐身、可见光隐身、雷达隐身和声波隐身。本讲座较系统地介绍了红外隐身、激光隐身、可见光隐身的技术内涵,光电隐身技术的应用和国内外发展现状及隐身原理和隐身措施。重点介绍了光电隐身的性能评估,包括性能评价方法和模型、隐身性能测试、隐身性能测试仪器的计量检定和校准等。  相似文献   
106.
We present a new cellular automata model for one-lane traffic flow. In this model, we consider the driver prejudgment according to the state of the leading car. We also consider that the vehicle deceleration capability is finite and the braking distance of the high-speed running cars cannot be ignored, which is not considered in most models. Furthermore, comfortable driving is considered, too. Using computer simulations we obtain some basic qualitative results and the fundamental diagram of the proposed model. In comparison with the known models, we find that the fundamental diagram of the proposed model is more realistic than that of the known models.  相似文献   
107.
This paper reports that the blend films of poly (2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylene vinylene) (MEH-PPV) and N,N'-bis(1-ethylpropyl)-3,4: 9,10-perylene bis (tetracarboxyl diimide) (EP-PDI) with the weight ratio of 1:2.5 have been prepared by spin-coating from chloroform (CF) and chlorobenzene (CB) solutions respectively. The absorption spectra and the morphology of the blend films show that large crystal-like EP-PDI aggregates are formed in film prepared from CB solution, which corresponds to a new absorption shoulder near 590nm, while there is no shoulder around 590\,nm in the UV--Vis absorption spectra of the blend film from CF solution. The electric-field dependence spectra of the photocurrent generation quantum yield of the film from CB solution shows that at weak electric field the EP-PDI aggregates act as more efficient sensitizers, but at strong electric field the quantum yields become almost invariable over the entire spectral range no matter what the state of EP-PDI, monomer or aggregate. At strong electric field, the photocurrent generation yields of both films from CF and CB solution saturate and their yield spectra become spectrally similar, mentioning that at strong electric field the photoexcitons dissociate efficiently and the free charges are collected by the electrodes almost completely.  相似文献   
108.
研究了在不同气体环境下,利用532nmNd:YAG纳秒脉冲激光累积辐照单晶硅表面形成的微结构,结果表明,在其他条件相同,背景气体不同的情况下,背景气体对硅表面形貌的形成起着重要的作用。具体分析了真空、N2和SF6 3种环境气氛下形成的微结构,结果显示,在sF6中形成的锥形微结构的数密度比在N2和真空中的大,并且锥形具有更大的纵横比;在N2、真空和sF6中形成的微结构尺寸依次减小。sF6气氛下,激光辅助化学刻蚀的效率比在真空和N2气氛中的高。另外,辐照区域边缘有波纹微结构形成,分析认为,该微结构的形成是由表面张力波的冷却导致的。  相似文献   
109.
采用水热法,以溴化六甲双铵(HMBr2)为模板剂,硅溶胶、偏铝酸钠为硅铝源,以六水硝酸铈为铈源合成了稀土Ce-EU-1分子筛,并通过XRD、FTIR、紫外-可见漫反射光谱、热重分析(TG-DTG)和氮气吸附-脱附等测试手段对合成样品的孔道结构、物化性能及Ce的存在状态进行了表征。XRD结果表明,合成样品不仅具有很高的纯度和结晶度,为典型的立方有序排列的EU-1结构,而且部分Ce已取代Si或Al进入微孔分子筛的骨架。样品的FTIR图谱在980cm-1附近有明显的Si—O—Ce特征吸收峰,证明Ce存在于分子筛的骨架中。紫外-可见漫反射图谱显示,在253nm附近出现O—Ce之间的电子跃迁特征峰,进一步证明了Ce进入了分子筛骨架。氮气吸附-脱附结果表明了Ce的掺入对分子筛的物化性能和孔道结构产生了影响。同时考察了镧系其他金属离子(Ln:La、Nd、Sm和Gd)对EU-1分子筛的影响,发现随着镧系离子半径的减小,Ln-EU-1分子筛的相对结晶度逐渐降低,晶胞体积减小。  相似文献   
110.
用自行研制的X射线条纹晶体谱仪首次测量了线状锗等离子体的X射线时间分辨谱。给出了类Ne-锗L线共振线的时间演化过程,并用类Ne-锗L线共振线与其双电子俘获伴线的相对强度比粗估了锗等离子体的电子温度及其随时间的变化,实验给出了X光激光增益区介质的电子温度为400~760eV,同时给出了电子温度保持相对恒定的时间不小于90ps(电子温度变化小于2%)。  相似文献   
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