首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   607篇
  免费   297篇
  国内免费   237篇
化学   272篇
晶体学   11篇
力学   87篇
综合类   14篇
数学   206篇
物理学   551篇
  2024年   3篇
  2023年   14篇
  2022年   36篇
  2021年   17篇
  2020年   15篇
  2019年   31篇
  2018年   27篇
  2017年   24篇
  2016年   22篇
  2015年   28篇
  2014年   35篇
  2013年   29篇
  2012年   25篇
  2011年   36篇
  2010年   29篇
  2009年   32篇
  2008年   46篇
  2007年   44篇
  2006年   42篇
  2005年   40篇
  2004年   43篇
  2003年   40篇
  2002年   43篇
  2001年   35篇
  2000年   41篇
  1999年   22篇
  1998年   22篇
  1997年   19篇
  1996年   25篇
  1995年   27篇
  1994年   32篇
  1993年   28篇
  1992年   16篇
  1991年   16篇
  1990年   13篇
  1989年   19篇
  1988年   11篇
  1987年   17篇
  1986年   10篇
  1985年   10篇
  1984年   14篇
  1983年   8篇
  1982年   14篇
  1978年   3篇
  1977年   5篇
  1965年   3篇
  1963年   3篇
  1961年   3篇
  1960年   4篇
  1934年   3篇
排序方式: 共有1141条查询结果,搜索用时 15 毫秒
921.
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。  相似文献   
922.
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。  相似文献   
923.
This paper investigates the synchronization problem for two different complex dynamical Lurie networks, The first one is with constant coupling and the second one is with constant coupling and discrete-delay coupling. Based on contraction theory and matrix measure properties, some new delay-independent synchronization conditions depending on coupling strength and network topology are proposed. Finally, simulation results are presented to support the theoretical results.  相似文献   
924.
逯纪涛  王林同 《化学通报》2015,78(9):825-829
本文通过水热合成的方法制备得到了一个新型的二维金属有机配位聚合物[Co2(L1)(4,4’-bipy)(3H2O).2H2O]n (1), (H4L1 = 3,3'-(1,4-苯二氧基)二邻苯二甲酸; 4,4’-bipy = 4,4’-联吡啶),并对其结构进行了系统的表征。研究表明3,3'-(1,4-苯二氧基)二邻苯二甲酸配体中的羧酸采用μ1-η1-η0和μ1-η1-η1两种桥联的方式跟两个钴离子配位形成十四圆环,形成的十四圆环被3,3'-(1,4-苯二氧基)二邻苯二甲酸配体连接进一步形成之字形的一维链状结构。最终,辅助配体4,4’-联吡啶将这些一维链状结构连接起来形成二维的(44)-sql网状拓扑结构。在本文中,我们还一步研究了这个配位聚合物的红外光谱以及热稳定性。  相似文献   
925.
在原子法激光同位素分离工程中,电子枪加热金属铀产生的原子蒸气的密度、速度以及温度等宏观量分布特性是非常重要的参数.为了分析电子枪功率和束宽对原子蒸气密度、速度、温度、质量通量和速度分布等物理特性的影响,采用直接MonteCarlo方法用柱坐标模拟了铀原子平面蒸发动力学过程.在电子枪加热方式下,蒸发源温度场不均匀,而且温度场随电子枪功率和束宽变化.着重研究这种变化对蒸气各种物理特性的影响.模拟结果表明,电子枪功率越高,蒸气径向宏观漂移速度越大,蒸发量越大;电子束束宽越窄,蒸发量越大. 关键词: 金属蒸发 原子法激光同位素分离 直接MonteCarlo 电子枪  相似文献   
926.
双模腔场中具有不同耦合常数的两原子多光子辐射谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
冯健  宋同强 《光子学报》1997,26(10):893-901
研究了与双模腔场具有不同耦合常数的两个二能级原子的多光子辐射谱,给出了双模多光子辐射谱的一般表达式.结果表明,当双模腔场分别处于不同数态时,虽然两原子与双模腔场之间具有不同的耦合常数,但对于任意的N1N2(Ni(i=1,2,)为模i腔场被每个原子吸收或发射的光子数),辐射谱总是关于共振频率ω0对称分布;并且,当N1N2时,对于任意的数态光子数n1n2交换,辐射谱不变.上述特点用解析方法给予了解释.计算了非简并双光子情况下的辐射谱,并得到了一些新结果.双模腔场中单原子及具有相同耦合常数的两原子辐射谱可从本文结果分别做为特例而得到.  相似文献   
927.
大破裂发生时,不仅会在第一壁和偏滤器靶板上产生大的热负载沉积。并会由于晕电流而产生强烈电磁力。这种电磁力能够对偏滤器室及真空室内的部件造成损害。因此,如何避免大破裂放电是托卡马克运行中一个重要课题。为了减轻和控制大破裂,必须清楚地认识其产生机制和发生特性。  相似文献   
928.
HL-1M托卡马克中的电子温度空间分布   总被引:1,自引:1,他引:0  
叙述了用电子回旋辐射测量电子温度的原理和方法,并给出了在HL-1M托卡马克上的不同放电条件下的实测结果。在某些实验条件下,如电流上升、弹丸注入和重杂质聚集,出现了电子温度的中空分布。在托卡马克等离子体边缘加上直流偏压的情况下,观测到电子温度分布变陡。这些现象与等离子体中心的输运有密切的关系。  相似文献   
929.
由同顺 《东北数学》2004,20(1):68-74
By combing the three-step modified method of characteristics and MMOCAA difference method with UNO interpolation, the three-step UNO-MMOCAA finite difference method is established for convection-dominated diffusion problems in this paper. The scheme is two-order accurate in space and time and is free from the oscillation near the steep front, with which the problem is solved by three-step MMOCAA finite difference method based on two-order Lagrange interplation. Using the new method, we give an estimate analysis of the scheme and a numerical example.  相似文献   
930.
于全芝  李玉同  张杰 《物理》2003,32(9):585-589
超短超强激光与液体靶相互作用时表现出许多有趣的特点,这明显区别于激光脉冲与固体或气体靶的相互作用情况.文章分别介绍了激光诱发等离子体所产生的高压冲击波、激光空泡、X射线、高能超热电子以及白光,对它们的产生机制及其各自的显著特征进行了综合描述.文章最后对超短超强激光脉冲与各种不同形态的液体靶相互作用的应用前景作了简单介绍。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号