基于TPG2000的三路输出线理论设计与仿真

基于单台脉冲功率源产生多路电子束驱动多路微波器件的构想,提出了一种三路螺旋线输出方案,三路脉冲是由同一主脉冲产生,具有时间同步精度高的特点。以Tesla型脉冲功率源TPG2000为基础,经过理论计算,给出了三路输出线理论设计结果,对脉冲传输过程进行了建模仿真和结构优化,得到了三路参数相同的脉冲,其中两路脉冲比另一路延迟20 ns。     

新课标视角下高中数学新旧教材对比研究——以人教A版“平面向量”为例

通过对比人教A版新旧教材中平面向量内容的结构、栏目设置、例题难度等,总结新旧教材的异同,并针对新教材的优点提出“多角度理解向量、发展学生核心素养,挖掘向量运算本质、促进学生思维发展,经历向量发展过程、感悟数学研究方法”的教学建议.     

脑自发性神经振荡低频振幅表征脑功能网络静息态信息流

已有研究表明,任务诱发的局部脑区激活可通过全脑功能网络中脑区间的神经活动信息流（activity flow,AF）预测,然而静息态下自发脑神经振荡与AF的关系仍不清楚。本文旨在研究静息态自发神经活动是否也反映脑区间在功能连接(functional connectivity,FC)路径上的信息传播。用来自千人脑功能连接组计划中的197名健康被试的静息态功能磁共振成像（RS-fMRI）数据,计算全脑160个感兴趣区的自发性神经振荡低频振幅（amplitude of low-frequency fluctuation,ALFF）,采用相关性分析和多元回归分析2种方法计算脑区间FC;基于AF模型,通过ALFF与FC的加权和估计汇聚到目标脑区的AF,利用Pearson相关性分析在全脑层面和默认网络脑区层面ALFF与AF之间的空间相关性。结果表明,在全脑层面和默认网络（default-mode network,DMN）脑区层面,AF与ALFF的分布模式显著相关;用多元回归改进FC估计可改善预测效果。低频振幅不仅体现脑区局部的神经振荡和功能情况,同时也反映自发性脑神经活动通过FC通道在脑区间进行信息交互。     

电沉积制备金属锡薄膜负极材料及其电化学性能研究

通过电沉积法,控制电流密度在铜箔上得到不同形貌的金属锡薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射、恒流充放电测试、循环伏安、交流阻抗法对其进行物理和电化学性能表征。结果表明:当电流密度为2 mA/cm²,所得金属锡薄膜表面最为致密,结晶度最高;将其作为负极材料组装成CR2025扣式电池,首次放电比容量为752 mAh/g,库伦效率为81.65%;30个循环后,放电比容量仍然维持在350 mAh/g。此外,该金属锡薄膜电极具有较高的电子导电性和锂离子扩散能力,其电荷转移电阻和锂离子扩散系数分别为113.3 Ω和8.968×10^-17 cm²/s。     

三维多孔碳负载氧化锡并协同氟化锂制备高性能锂离子阳极

新型多孔碳纳米片/碳纳米管（PC/CNT）材料表现出丰富的分级孔隙结构,具有较高的氧化锡（SnO₂）负载量。通过PC和CNT交联形成的三维结构能够有效地提高锂离子传输速率和电子的传导。此外,在电极中掺杂的氟化锂（LiF）不仅能够降低SnO₂-PC/CNT-LiF电极的电荷转移电阻,而且还能补充SEI膜形成时消耗的Li⁺,降低不可逆容量,增强SEI膜的稳定性。研究表明,SnO₂-PC/CNT-LiF电极在电流密度为100 mA·g^-1时,首次可逆比容量达到1 642.98 mAh·g^-1,活性物质的利用率高达90.12%,循环100次后,放电比容量仍然达到745.11 mAh·g^-1,且库仑效率仍然保持在95.1%以上,显示出优异的倍率和循环性能。