固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ的合成及性质研究

利用溶胶-凝胶方法合成了Ce0.8Pr0.2O2-δ固溶体, XRD结果表明,经200 ℃焙烧就已经形成立方萤石结构固溶体,晶粒尺寸为8.1 nm, 随焙烧温度的升高,晶粒尺寸增大. X射线光电子能谱(XPS)结果表明,样品中存在氧离子缺位,铈离子主要为Ce4 离子,镨离子以混合价态Pr3 和Pr4 存在. 固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ的拉曼谱(Raman)观察到4个峰,458和1140 cm-1峰为特征F2g振动谱带,较宽的570和187 cm-1峰对应氧离子缺位及引起的不对称振动. 交流阻抗谱表明固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ在600 ℃时的电导率为1.44×10-3 S·cm-1, 活化能为Ea=0.67 eV (650～800 ℃), Ea=0.91 eV (400～600 ℃).     

自抗扰控制技术在捷联惯导动基座初始对准中的应用研究

提出并设计了应用自抗扰控制技术(ADRC)的捷联惯性系统动基座初始对准方案。通过数字仿真，将卡尔曼滤波与自抗扰控制的性能进行了详细的比较，证明该方法具有对准时间快，精度高，抗干扰能力强等特点。     

熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟

建立了坑点型划痕的旋转抛物面模型, 用三维时域有限差分方法研究了熔石英后表面坑点型划痕随深度、 宽度、 间距以及酸蚀量变化对波长λ =355 nm入射激光的调制.研究表明, 这类划痕调制最强区位于相邻两坑点的连接区, 且越靠近表面调制越强.当其宽深比为2.0---3.5、 坑点间距约为坑点宽度的1/2时, 可获得最大光场调制, 最大光强增强因子(LIEF)为11.53; 当坑点间距大于坑点宽度时, 其调制大为减弱, 相当于单坑的场调制.对宽为60δ (δ =λ/12), 深和间距均为30δ的坑点型划痕进行刻蚀模拟, 刻蚀过程中最大LIEF为11.0, 当间距小于300 nm时, 相邻坑点由于衍射形成场贯通.     

横向划痕对光场调制的近场模拟

熔石英亚表面划痕对入射激光的近场调制是导致光学元件低阈值损伤的主要因素之一. 用三维时域有限差分方法研究了连续横向划痕的近场分布, 对比了尖锐截面与光滑截面场调制的差异, 着重探讨了光场调制与划痕宽深比R的关系. 研究表明: 酸蚀后的光滑截面有助于减弱近场调制, 这类划痕的R>10.0时调制较弱且相互接近, R<5.0时调制显著增强. 当R取1---3时, 亚表面的调制达最大值, 最大电场幅值为入射波幅值的4.3倍. 当R取1.0---3.5时, 缺陷附近有80%以上取样点的最大电场幅值超过入射波幅值的2倍. 随着深度的增大, 强场区具有明显的"趋肤效应": 位于划痕正下方的强场区首先往左右两侧移动, 然后移向抛物口界面以及水平界面, 同时衍生出的多条增强线诱导整个亚表面层的光场增强.     

实用智能卡操作系统的认证系统

阐述了一种实用的智能卡操作系统MAXCOS的认证系统,包括对持卡人的身份认证、卡与读写设备之间的认证、安全报文传送,对这几种认证机制进行了详细的阐述和分析．     

新型甘氨酸尾式卟啉及其锌(Ⅱ)配合物的合成与表征

用甘氨酸和5-[邻-(2-溴乙氧基)苯基]-10，15，20-三苯基卟啉为原料合成了一种新型甘氨酸尾式卟啉及其锌(Ⅱ)配合物．通过元素分析、红外光谱、紫外-可见光谱和质谱等对其进行了结构表征。测试并研究了它们在4000-400cm^-1范围内的傅里叶变换红外光谱。     

用“双棱镜位移法”测光波长

利用干涉现象测定光波长的双棱镜实验是一个基本的普物光学实验。如图有λ=l/Dδ。l为虚光源S_1S_2的距离,D为光源到屏P的距离,δ为干涉条纹间距,在教学中存在一个很棘手的问题,这就是实验结果的重     

一种简便测量超导材料R-T曲线的装置

Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ系列高Ｔｃ氧化物超导材科的出现,使超导研究成为当前最热门的课题．随着Ｔｃ超过液氮温度,不但使该类超导材料的应用成为可能,而且使缺少低温液氦设备的单位也可以加入到超导研究的行列中．本文介绍一套十分简易的装置,可以用来快速测量超导材料的Ｒ－Ｔ曲线,并有较满意的精确度和准确度．测量装置如图１（ａ）所示．在普通的暖水瓶或杜瓦瓶中装入液氮作为低温装置．图１中１为紫铜片作成的传热片,其?...     

熔石英亚表面杂质颗粒附近光场调制的三维模拟

熔石英亚表面缺陷是光学材料低损伤阈值的主要因素之一.本文建立了熔石英亚表面三维球形杂质颗粒模型,采用三维时域有限差分方法对杂质附近的光场进行了数值模拟,分析了杂质的介电常数与尺寸对光强增强因子的影响,结果显示:介电常数小于熔石英的杂质,其光强增强因子不随尺寸、介电常数的改变而改变,均保持为4左右;当介电常数为6.0时,半径为1.5λ,2λ及2.5λ的杂质,相应的光强增强因子分别为50.1588,73.3904及102.9953,即增强因子随杂质尺寸的增大而增大;恰 关键词： 杂质颗粒 三维时域有限差分 数值计算 光强增强因子     

Orientation dependence of structural transition in fcc Al driven under uniaxial compression by atomistic simulations

By molecular dynamics simulations employing an embedded atom method potential,we have investigated structural transformations in single crystal Al caused by uniaxial strain loading along the [001],[011] and [111] directions. We find that the structural transition is strongly dependent on the crystal orientations. The entire structure phase transition only occurs when loading along the [001] direction,and the increased amplitude of temperature for [001] loading is evidently lower than that for other orientations. The morphology evolutions of the structural transition for [011] and [111] loadings are analysed in detail. The results indicate that only 20% of atoms transit to the hcp phase for [011] and [111] loadings,and the appearance of the hcp phase is due to the partial dislocation moving forward on {111} fcc family. For [011] loading,the hcp phase grows to form laminar morphology in four planes,which belong to the {111} fcc family; while for [111] loading,the hcp phase grows into a laminar structure in three planes,which belong to the {111} fcc family except for the (111) plane. In addition,the phase transition is evaluated by using the radial distribution functions.