静电场和压电振荡对α-碘酸锂等晶体中子衍射强度的影响

用中子衍射进行晶体结构的研究,是一个与常规的x射线结构分析方法各具特点、相辅相成的学科要[1].在通常情况下,被研究的晶体样品是处在自然状况下(室温,不加其他物理条件)的,但也有人作过晶体在特殊情况下(低温、高温、高压、磁场……等)的结构分析,目的是探索在这些特殊条件下晶体内部的变化规律.1960年间,在中国科学院原子能研究所自制的中子晶体谱仪上,曾试用过处在压电振荡(即超声振荡)下的石英单晶进行中子衍射,发现衍射中子束的强度可以由于晶体的振荡而成倍增长[2].这一现象在 1966年以后国外也有工作报导[3,4],1973年后,我们继续开…     

追忆恩师王竹溪先生和我的机缘

在此文中,我只闲话家常式地写出我和恩师王竹溪先生的交往.至于先生学风的严谨、多方面的长才和高尚的人格无须我来多说了.     

α-LiIO_3单晶中离子输运引起的高强度准弹性光散射

激光束通过加c向直流电压的α-LiIO_3单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起了介电张量的涨落,使得在晶体主轴坐标系中出现非对角元,对角无数值也随空间和时间涨落,从而引起这三种散射。     

LiKSO4的无公度相

本文用多晶X射线衍射配合差热分析的方法研究了LiKSO₄室温以上的相变。发现当温度在熔点以下到675℃之间,晶体结沟与α-K₂SO₄的高温相同构,α相最可能的空间群为P6₃/mmc.在T_i=675℃以下出现调制结构,类似K₂WO₄,K₂MoO₄等的无公度相;参数κ的值由0.492(640℃)而随温度变化。在470℃出现整合相变κ=0.500,整合后的结构为室温相的超点阵。然后在439℃转变为室温相(空间群为P6₃)。 关键词：     

杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅰ)

将晶格振动的平面波线性组合得到一组充分反映杂质格位对称性的正则模(对称“驻波”)。任一对称类型的驻波的频谱分布只与整个格波的频谱分布差一个常数因子。使用对称分析得出电声子耦合导致杂质中心吸收或荧光带变宽的位差效应中的对称驻波选择定则,指出参与电声子耦合的声子的频率基本上遍布于全部格波的频谱,并且定性地估计了纵波声子的耦合强度对波长的函数关系的轮廓;从而对Williams位形坐标理论的本质作出了批判性的阐述。其次,讨论了在掺有铁族元素的刚玉晶体的宽带上出现先行线(或称系列线)的问题,指出了一般文献在这一问题上存在着的某些错误概念和格波频谱上临界点(k=0的除外)与先行线之间可能有的联系。文中也给出了有关对称驻波的数学分析,并以具体图象表明了对称驻波与孤立集团模型中的振动模之间的联系。     

空间色散:旋光性、旋声性和其他

一般教科书中对物质的旋光性的阐述与晶休光学的电磁理论是割离的.只要认识到极化张量不仅是频率ω的,而且也是波矢k的函数(二者分别称为时间色散和空间色散),则电磁理论的线性物质方程不仅有比例于E的,而且也应有比例于 E的项;从后一项的存在,我们很容易导出旋光性.物质的弹性波现象中存在平行于旋光性的旋声性.本文介绍近年来国内外对旋声性的研究.最后提到电磁理论中非线性物质方程中比例于E E的项所产生的倍频效应及其实验观测.撰写本文的目的之一是为大学教学工作提供参考,并希望我国大专院校新编写的光学和电磁学教材在适当的章节里…     

铁磁理论的发展:s-d交换作用的问题

一、引论 对于铁磁性成因的解释自上一世纪之末就有现在所谓的分子场假说的提出,这个假说认为铁磁体内有效场强度是外加磁场H与分子场之和,后者比例于铁磁体磁化强度M,即 H_i=H+λM。这个比例常数λ的数量级要10~4才能使理论符合实验事实的要求。如所周知,磁偶极矩的作用仅产生相应于λ=4π/3的分子场,不能成为常见的铁磁性的成因。直到20年代量     

铁磁体中缺陷对自旋波的影响

本文提出了一个处理磁性杂质或其他缺陷在磁性晶体中对自旋波频谱的影响的一般理论方法,并特别着重讨论了局域模自旋波。以一维线性格子为例进行计算的结果显示出:一个代位磁性杂质,可能产生不只一个高于连续带顶的局域模。其产生的条件和其能级位置均通过J′S′/JS和J′/J表达出来,这里S′和S各为杂质原子和基质原子的自旋量子数,J′和J各为杂质与近邻之间和一般近邻之间的交换作用系数。高度集中的应变和间隙原子如致使邻近处的交换作用增大,也导致局域模的出现。我们也考虑了磁偶极矩相互作用的影响,证明其并不破坏这些局域模的     

α碘酸锂的生长机制和绝对构型

在过饱和溶液中生长的α－ＬｉＩＯ３单晶沿Ｃ轴方向两端生长率的显著差异来自晶体的电极性．用对碘原子有反常散射的ｘ射线衍射分析方法测定了我们生长的单晶的绝对构型,并由正负离子分布的偏向,推知其快生长端是正电极．实验显示出籽晶片负极面周缘上长出的寄生晶体是由过饱和溶液中的微晶以正极向上的方位落在负极面上发育而成的．我们观察到寄生晶体与主晶体的旋光方向相反．因之,寄生晶体和主晶体的关系既是电孪生又是反构型孪生．从化学物理的一般认识,可以认为α－ＬｉＩＯ３的生长机制由以下几个因素所决定：（１）靠近正电极表面的溶液中ＩＯ３－的浓度局部地高于Ｌｉ＋,而在负极表面则与此相反．（２）Ｌｉ＋在溶液中热骚动速度比ＩＯ３－约大８倍,而ＩＯ３－在进入点阵时必须逐渐调整其方位．前者对进入点阵的阻碍可能大于后者．（３）生长的过程是正电极表面先吸附ＩＯ３－,然后因电荷不平衡再促使Ｌｉ＋进入点阵位．这两个步骤循环往复形成晶体的生长．负极表面的生长过程恰好是相反的次序．这一设想的机制曾经预见到快生长端为正电极并可以说明负极上的寄生晶体大多数在其周缘长出的事实．最后,从孪生边界应变大小的差别解释了反构型电孪生较之同构型电孪生占优势和电孪生不自     

一维离子导体α—LiIO3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释(Ⅱ)——各向同性模

本文进一步用文献[1]中建立的理论,处理α-LiIO₃单晶在c向加静电场后出现的偏振不变的两类衍射带:(1)垂直于c轴的广角衍射带(第一类);(2)与c轴成倾角的小角衍射带(第二类)。理论证明了前者在入射光垂直于c轴时有可能产生很弱的o→o和e→e衍射;而当转动晶体使入射方向与c轴夹角α由90°减小时,o→o模的强度不变而e→e模则单调地成倍增加。我们还发展了比文献[1]中给出的更为普遍的理论表达式,并针对第二类现象讨论了近乎平行于锥面的生长层上离子富集和涨落所引起的衍射带。从衍射带角宽不大于8°这一事实估算出,生长层方向偏离程度不超过2°,平均间隔不小于5μm。同样的模型也解释了o→e和e→o的衍射光斑的现象。 关键词：