基于多目标模糊优化算法的边坡变形组合预测模型

为提高边坡变形时间曲线预测精度,提出了基于多目标模糊优化算法的边坡变形组合预测模型.首先通过经验阈值法优选单一预测模型进行组合;然后采用均方误差描述预测模型的拟合误差,采用灰色关联度描述预测模型与边坡实际变形曲线的发展相关性,以"拟合误差小"和"发展相关性好"为目标,引入模糊优化算法确定多目标模糊满意度综合评价函数,建立多目标优化模型;最后采用粒子群优化算法(PSO)求解组合预测模型的最优权重,实现边坡变形的多目标精细化预测.采用该模型对宜巴高速路段老屋包坡体CX19测斜孔变形数据进行预测分析,预测结果表明该模型的拟合误差和发展相关性均优于传统的单一预测模型,能有效提高预测的精度,具有工程应用价值.     

求解双材料裂纹结构全域应力场的扩展边界元法

在线弹性理论中,复合材料裂纹尖端具有多重应力奇异性,常规数值方法不易求解.该文建立的扩展边界元法(XBEM)对围绕尖端区域位移函数采用自尖端径向距离r的渐近级数展开式表达,其幅值系数作为基本未知量,而尖端外部区域采用常规边界元法离散方程.两方程联立求解可获得裂纹结构完整的位移和应力场.对两相材料裂纹结构尖端的两个材料域分别采用合理的应力特征对,然后对其进行计算,通过计算结果的对比分析,表明了扩展边界元法求解两相材料裂纹结构全域应力场的准确性和有效性.     

AsI3电子结构与弹性性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究。研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好。AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征。R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2 GPa, 9.8 GPa和23.9 GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163 K。能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34 eV的间接带隙半导体。AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合。     

基于肟-氨基甲酸酯的超强自修复水性聚氨酯胶粘剂的制备及性能分析

基于肟-氨基甲酸酯热可逆成键原理, 利用可工业批量获得的二甲基乙二肟为构建单元, 设计合成了一类具有高强动态网络结构的水性乳液, 制备出综合性能与重复利用兼顾的聚氨酯胶粘剂; 通过变温红外光谱结合差式扫描量热仪分析了肟-氨基甲酸酯升温过程的可逆成键特性, 并利用动态力学谱仪对变温过程的网络松弛行为进行了研究. 结果表明, 合理的硬段含量与结构设计赋予了胶粘剂极高的粘结强度(25 MPa, 一般商业通用热熔胶的粘结强度< 6 MPa)、 优异的乳液稳定性(粒径<100 nm)以及接近97%的修复效率(160 ℃, 10 min下的剪切搭接实验). 该类乳液具有超强、 稳定及工艺可放大等特性, 为水性自修复胶粘剂的商业化开发提供了新途径和新思路.     

Sc掺杂SnO2稀磁半导体的第一性原理研究

采用第一性原理方法,对Sc掺杂SnO2以及含有O空位的Sc掺杂SnO2的电子结构和磁学性质进行了计算。结果表明SnO2晶格中存在两种本征磁性来源,分别为Sc掺杂诱导的未配对O-2p态电子的自旋极化和O空位诱导的未配对Sn-5p态电子的自旋极化。由于两种未配对的弱束缚电子分别由电离施主和受主诱导产生,因此二者之间存在电荷补偿效应,在特定配比下能够使SnO2晶格出现磁性猝灭。     

毛细管电泳-电致化学发光法测定兔血浆中的羟考酮

基于稀土Eu(Ⅲ)掺杂的类普鲁士蓝膜修饰的铂电极为工作电极,建立了测定羟考酮的毛细管电泳-电致化学发光分析方法。考察了检测电位、运行缓冲溶液的酸度及浓度、分离电压、进样条件等对电泳分离效果及检测灵敏度的影响。在最佳的实验条件下,羟考酮可在4 min内得到分离,其ECL强度值与羟考酮的质量浓度在7.0×10-2～7.0μg/mL和7.0～70.0μg/mL范围内呈良好的线性关系,检出限为4.2×10-2μg/mL(3σ),峰高和迁移时间的相对偏差分别为3.6%和0.48%(n=6)。方法用于兔血浆中羟考酮含量的检测,加标回收率在99.7%～101.0%之间。     

对称熵损失下成功概率P的E—Bayes估计

研究对称熵损失下成功概率P的Bayes估计和E—Bayes估计,证明了前者的存在性及唯一性．模拟结果表明E-Bayes估计优于极大似然估计和Bayes估计．并将E—Bayes方法应用在证券投资预测之中,预测效果较好．     

Analytical model including the fringing-induced barrier lowering effect for a dual-material surrounding-gate MOSFET with a high-κ gate dielectric

By solving Poisson’s equation in both semiconductor and gate insulator regions in the cylindrical coordinates, an analytical model for a dual-material surrounding-gate (DMSG) metal–oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a high-κ gate dielectric has been developed. Using the derived model, the influences of fringing-induced barrier lowering (FIBL) on surface potential, subthreshold current, DIBL, and subthreshold swing are investigated. It is found that for the same equivalent oxide thickness, the gate insulator with high-κ dielectric degrades the short-channel performance of the DMSG MOSFET. The accuracy of the analytical model is verified by the good agreement of its results with that obtained from the ISE three-dimensional numerical device simulator.     

非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

为抑制短沟道效应和热载流子效应, 提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构. 通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程, 推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型. 结果表明, 新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应, 并具有较小的关态电流. 此外, 分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响, 而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大. 解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.     

增光子二模纠缠相干态的纠缠特性及其通过腔量子电动力学的制备

分析了增光子二模纠缠相干态的纠缠特性,得到共生纠缠度的解析表示式.结果表明:增光子二模纠缠相干态的共生纠缠度与叠加态的相位有非常灵敏的关系.提出了一种制备增光子相干态和增光子二模纠缠相干态的方法,其制备过程为首先把增光子相干态转化为相干态与真空态一种特殊的叠加态(叠加系数与相干态振幅有关),再通过位于高Q腔内的原子与经典激光场的相互作用,从而实现增光子相干态的制备.通过一个飞行原子先后与两个光腔中光场相互作用可以实现增光子二模纠缠相干态的制备.