TP-801程控变色矩阵字符显示

本文介绍了应用TP-801单板计算机实现对LED点阵显示器进行控制。实验结果表明,本显示器可以简单、灵活地实现三种颜色的变色显示,不但美观、醒目而且可以满足一些特殊场合的显示需要。字符大小、形状、颜色及字数可以由程序随意改变,从而显示出计算机控制——“万能逻辑电路”的优越性。在国内尚未见到同类工作的报导。     

适用于液膜分离的磺化液体聚丁二烯型聚合物表面活性剂

液膜技术作为一种高效、快速的分离工艺已应用于工业废水处理,分离和浓缩金属离子和某些有机化合物,它的成功应用有赖于性能优良的表面活性剂的研究和开发。聚合物表面活性剂可增加液膜的强度,可提高所得乳液的稳定性,受到     

在不同温度下Cu|CuSO_4|Hg_2SO_4-Hg电池标准电动势的确定

许多作者利用铜电极和汞-硫酸亚汞电极组成电池,研究硫酸铜的热力学性质,但该电池的标准电动势都是用扩展的Debye-Hükel公式外推得到的,由于Debye-Hükel公式中的离子大小参数无法实验直接测定,在选用时会给结果带来某些不确定性。本文测定了5～45℃间隔为10℃的电池。Cu|CuSO_4|Hg_2SO_4~-Hg (A)的电动势,在Pitzer电解质溶液理论基础上,提出了新的确定电池电动势的方法。     

乙醇—水混合溶剂中次氮基三乙酸离解平衡的研究

次氮基三乙酸(NTA)在非水或混合溶剂中离解常数的测定尚未见报道,本文用电位法测定了乙醇-水混合溶剂中溶解度较小的NTA的离解常数,用标准盐酸溶液返滴定其钾盐可增加NTA浓度,提高测定准确度,测量系统防止CO_2装置和数据处理方法也比文献简单。     

Study on the Gas Phase Stability of Heme-binding Pocket in Cytochrome Tb_5 and Its Mutants by Electrospray Mass Spectrometry

Ｃｙｔｏｃｈｒｏｍｅｂ5(Ｃｙｔｂ5)ｉｓｆｏｕｎｄｂｏｔｈａｓａｃｏｍｐｏ ｎｅｎｔｏｆｔｈｅｍｉｃｒｏｓｏｍａｌｍｅｍｂｒａｎｅｓａｎｄａｓａｓｏｌｕｂｌｅｆｏｒｍｉｎｅｒｙｔｈｒｏｃｙｔｅｓ .Ｉｔｐｌａｙｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｏｌｅｉｎｂｉｏｌｏｇｉｃａｌｓｙｓｔｅｍｓ ,ｉｎｗｈｉｃｈＣｙｔｂ5ｆｕｎｃｔｉｏｎｓａｓａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｃａｒｒｉｅｒ,ｐａｒｔｉｃｉｐａｔｉｎｇｉｎａｓｅｒｉｅｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ,ｉｎ ｃｌｕｄｉｎｇｒｅｄｕｃｔｉｏｎｏｆ…     

驻区效应对激光大气传输的影响

 对聚焦、转动束的驻区效应作了理论分析，并用激光大气传输四维程序作了校算。理论分析与程序计算结果均表明：在许多情况下，驻区效应的影响并不严重， 原因是驻区长度上的激光束热畸变数不大，热畸变扩束半径小于衍射扩束半径。     

原子阱,氪-81,撒哈拉的地下水

自放射性碳年龄测定法在1949年首次在实验中得以证实以来,长寿命的由宇宙射线产生的放射性核素痕量分析这一领域,无论是在分析技术还是在可利用的核素种类上,都取得了长足的进步.它所产生的影响已经渗透到广泛的科学和技术领域.文章介绍了一种新的痕量分析方法——原子阱痕量分析(atomtraptraceanalysis,ATTA).这种方法已经用于分析环境样品中的氪-81(半衰期为23万年;同位素含量约为1×10-12)和氪-85(半衰期为10.8年;同位素含量约为2×10-11)核素.氪-81主要由宇宙射线产生于大气层上部.它是理想的测定年代范围从5万年到100万年的水和冰样品的放射性核素.另一方面,氪-85是铀-235和钋-239的核裂变产物.对氪-85的同位素含量测定可以用于监督国际核公约的执行情况.在ATTA中,一个由激光光束和磁场共同产生的原子阱可以有选择地捕陷特定核素的原子.被囚禁的原子可以通过观察其荧光来进行探测.作为ATTA技术的第一次实际应用,一个国际合作小组确定了撒哈拉沙漠地区Nubian含水土层中地下水的寿命.利用ATTA对地下水寿命的成功测定,标志着放射性氪年龄测定法在地球科学中的广泛应用已经具备了可行性.     

GaN基异质结缓冲层漏电分析

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电. 关键词： AlGaN/GaN异质结 GaN缓冲层 漏电 成核层     

背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响

首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的 关键词： AlGaN/GaN 双异质结构 限域性 寄生沟道