大气压离子化技术/飞行时间质谱联用进展

综述了大气压离子化技术/飞行时间质谱联用技术及其应用的进展     

环糊精对手性药物伪麻黄碱分子识别的电喷雾飞行时间质谱研究

用电喷雾正交飞行时间质谱仪分别研究了以α－环糊精、β－环糊精和γ－环 糊精作为手性拆分剂对手性药物伪麻黄碱的分子识别效应,同时还分别研究了 Nozzle电的变化对α－环糊精和γ－环糊精的手性识别的影响。在质谱图中能明显 反映出三种手性拆分剂都具备很强的手性识别能力,随Nozzle电压的改变,三种手 性拆分剂双分别具有各自的手性识别特征。     

分析结构跳跃问题的自适应参数增量迭代方法

通过对Riks切线弧长法和Crisfield圆弧长法的综合及改进,本文提出分析结构跳跃问题的自适应参数增量迭代方法,并建立相应理论基础。最后文中给出中心分布压力作用下圆底扁球壳跳跃问题的数值结果,以验证它的有效性。     

基于主成分分析重建图像的互信息视觉伺服

基于互信息的视觉伺服使用图像全局信息来实现伺服控制,避免了对传统几何特征的提取、匹配和跟踪,并且对光照变化、部分遮挡具有鲁棒性,但由于其任务函数的高非线性,该方法具有收敛域较小的缺点。提出了基于主成分分析(PCA)重建图像的互信息视觉伺服方法,有效降低了任务函数的非线性。通过实验比较了基于PCA重建图像的互信息视觉伺服和基于原始图像的互信息视觉伺服收敛域大小及收敛速度,并考虑了PCA中主成分个数的影响,结果表明基于PCA重建图像的互信息视觉伺服有效地扩大了互信息视觉伺服的收敛域,且具有更快的收敛速度。     

毛细管电泳安培检测法在中草药分析中的应用

由于毛细管电泳安培检测法（CE-AD）具有高的分离效率和低的检测限的优势,现已在分析科学的各个领域,特别是在药物行业中得到广泛应用。中草药的研究在我国医药事业中占有重要的地位,采用CE-AD分离并检测中草药中有效成分对于促进中草药的药理药效研究及中草药的定量分析和质量监测等有重要意义。本文综述了CE-AD在中草药及中药复方制剂中有效成分分析中的应用,评述了该法与其他分离分析方法相比在中草药分析中的优越性,并对CE-AD在中草药分析中的发展进行了展望。     

非共价复合物的电喷雾质谱分析

非共价复合物一直是质谱分析的难点,因为这些复合物大多以氢键、范德华力、疏水作用、静电作用、金属配位作用等非共价弱键形成,常规质谱相对过于剧烈的离子化条件不利于非共价复合物的检测.但由于在许多生命现象、药物筛选以及超分子化合物中都涉及到分子之间的相互作用以及相互识别过程,而且人们普遍认识到非共价复合物是这些过程形成的基础,因此许多科学工作者都致力于非共价复合物该前沿课题的开发研究,并且迫切需要发展一种分析工具来辅助解析这种现象.电喷雾离子化(ESI)技术作为一种"软"电离技术,以及它在分析极性生物大分子中得天独厚的优势,近年来被广泛的应用在非共价复合物研究上.国内由于生物质谱技术起步较晚,这个领域至今没有获得充分的发展,本论文在ESI正交离子引入飞行时间质谱上,开展了非共价复合物分析的一些初步研究.     

毛细管区带电泳柱端安培检测抗癌药物巯嘌呤

报道了一种高效快速检测抗癌药物巯嘌呤的方法－毛细管区带电泳柱端安培检测。考察了巯嘌呤的电化学行为。在最佳操作条件下,获得此药物的检测限为１×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ;线性赤５×１０＾－４－５×１０＾－６ｍｏｌ／;相关系数为０．９９５,重现性良好。并用该法检测了人尿样及牛血清蛋白中的巯嘌呤。     

6-溴咪唑并[1,2-b]哒嗪-3-甲酸的合成

6-溴咪唑并[1,2-b]哒嗪-3-甲酸是一种重要的杂环化合物,具有较高的生物活性,其合成方法尚无文献报道。本文以水合肼和马来酸酐为起始原料,在酸催化下发生缩合反应,再与三溴氧磷进行溴代,与氨水发生氨解反应,再与N,N-二甲基甲酰胺二甲基缩醛进行亚胺化反应,与溴乙酸乙酯缩合成环,最后发生碱水解共6步反应制得6-溴咪唑并[1,2-b]哒嗪-3-甲酸,总收率52.0%,其结构经¹H NMR、 ¹³C NMR、 IR和元素分析确证。该合成路线具有方法新颖、操作简便、收率高、无需柱层析分离纯化等优点。      

GaN基异质结缓冲层漏电分析

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电. 关键词： AlGaN/GaN异质结 GaN缓冲层 漏电 成核层