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71.
72.
采用经典XY模型,阐明了三角格子上层状超薄膜磁性材料的相变和临界现象.并用Monte-Carlo方法对该模型的内部能量、比热、chirality等热力学量进行了计算.使用finite-size scaling 分析法对临界现象的性质进行了论述.通过上述分析和计算,发现该模型在反强磁性层与强磁性层内的chirality在一定范围内随温度的变化急剧增加,这是一种新的chirality相变;而在另一范围内存在Kosterliz-Thouless相变和通常的chirality相变.这种新的chirality相变的
关键词:
层状XY模型
临界现象
Monte-Carlo模拟
磁性薄膜 相似文献
73.
这是一个如何安排加工次序的组合优化问题,文章首先建立了一般问题的数学模型,在对其求解过程中我们采取了分枝限界法,保证了所得结果的最优性,且具有很高的时效性.其次针对某部门所采取的贪婪算法给以了评价,在评价中以其近似解与最优解的接近程度、得到最优解的概率为标准,利用计算机模拟对其进行评估,发现对于该问题贪婪算法并不能保证解的最优性,但近似程度较好。而后我们对调整刀具费用为0的情形进行了讨论,首先给出了一个引理,然后给出了一个简明的优化准则:当对各切割平面按其厚费比以不升序排列时,所得次序为最优加工次序,最后利用题中所给数据进行了验证,再次表明了所得结论的正确性。 相似文献
74.
讨论了无源超高频射频识别(UHF RFID)系统的信号传输过程及性能测试方法,以软件定义无线电方式实现了符合ISO/IEC18000-6C标准的无源标签的部分性能测试,研究了部分通信参数动态变化时标签应答功率的变化,并对不同标签的灵敏度进行了测试.所有实验在常规条件下完成,测试研究表明在基带编码采用较小的Tari值、PW为50%以及较高的调制系数时,阅读器能够接收到标签反射回来的最大功率,系统的识别距离最远.
关键词:
射频识别
无源电子标签
标签灵敏度
性能测试 相似文献
75.
在常温下合成了以邻苯二酚为配体,分别以乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺为抗衡离子的7种手性钼钨八面体配合物(NH2CH2CH2NH3)3[Mo(V)O2(OC6H4O)2](1),(NH2CH2CH2NH3)2[W(VI)O2(OC6H4O)2](2),(NH2CH2CH2NH3)2.5[Mo(V)0.5W(VI)0.5O2(O2C6H4)]2](3),(NH3CH2CHNH2CH3)3[Mo(V)O2(OC6H4O)2](4),(NH3CH2CHNH2CH3)2[W(VI)O2(OC6H4O)2](5),(NH3CH2CHNH2CH3)2.5[Mo(V)0.5W(VI)0.5O2(OC6H4O)2](6),(NH3CH2CH2CH3NH2)2.5[Mo(V)0.5W(VI)0.5O2(OC6H4O)2](7),并在生理条件下对其与ATP的相互作用进行了液体NMR研究,发现标题配合物的中心金属离子在纯D2O溶剂中大多数以+5价形式存在,W(VI)被还原为W(V),但与ATP混合后又转化为+6价,配合物原有的顺磁性特征完全消失.研究还发现ATP可以促进中心离子与原配体发生解离. 相似文献
76.
本文研究一类具有移民项和潜伏期时滞的传染病模型,讨论了模型平衡点的存在性和解的一致持续性,利用Lyapunov泛函和Lyapounov-LaSalle不变性原理,建立了唯一的平衡点的全局渐近稳定性. 相似文献
77.
78.
惯性导航系统水平误差对静电陀螺监控器的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
本文通过对监控器的工作原理进行分析,研究了惯导系统水平误差对监控器精度的影响关系,并对它们之间的误差关系进行了分析与仿真。误差分析与仿真表明,要保证监控器的精度优势,必须提高其水平基准精度,10"的水平精度是必需的 相似文献
79.
80.
本文采用直接熔渗法制备二硅化钼-碳化硅(MoSi2-SiC)复合材料.以碳化硅(SiC)(粒度为0~2.5 mm、≤240目)为主要原料,水溶性树脂为结合剂,经混炼、成型、烘干后得到SiC坯体,再用二硅化钼(MoSi2)(D50 =3μm)粉末掩埋SiC坯体,在真空条件下2000℃保温3h进行熔渗烧结,制备出MoSi2-SiC复合材料.采用阿基米德排水法研究了MoSi2-SiC复合材料的显气孔率、体积密度;采用三点抗弯法测试了MoSi2-SiC复合材料1400℃抗折强度;采用热线法测试了MoSi2-SiC复合材料导热系数;采用X射线衍射测试了MoSi2-SiC复合材料的物相组成;采用SEM测试了MoSi2-SiC复合材料的显微结构;分别采用风冷法和水冷法对比研究了MoSi2-SiC复合材料、重结晶碳化硅(R-SiC)、氮化硅-碳化硅(Si3N4-SiC)三种材料抗热震性.结果表明:MoSi2在烧结过程中部分发生分解,生成了Mo5Si3,MoSi2、Mo5Si3填充于SiC的内部并实现烧结致密化,使MoSi2-SiC复合材料的显气孔率显著降低至5.7;,体积密度为3.59 g.cm-3.MoSi2-SiC复合材料中MoSi2、Mo5Si3含量分别为10wt; ~ 15wt;、3wt; ~ 5wt;.1000℃下MoSi2-SiC的导热系数为46.5W·m-1 ·K-1,显著高于R-SiC(28.3 W.m-1.K-1)材料、Si3N4-SiC(16.8 W.m-1.K-1)材料.综上所述,MoSi2-SiC复合材料的抗热震性能显著优于R-SiC材料、Si3N4-SiC材料. 相似文献