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本文对自激脉冲射流喷嘴进行试验设计和数据分析,以自激频率、振幅以及打击力等作为响应函数,研究喷嘴结构与工作压力的配套关系。通过对自激频率和振幅的分析,揭示自激振荡腔内部周期性空化现象及其对自激脉冲形成的影响,从而从解释自激脉冲射流发生机理。根据试验数据,拟合打击力随参数变化的经验公式。最终得出工业应用中典型尺寸范围的自激脉冲喷嘴与自激频率及打击力的关系,为工业设计中的频域调制理论提供了试验数据。 相似文献
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采用优化的DREIDING力场参数, 通过巨正则系综蒙特卡洛(GCMC)模拟方法对H2在IRMOF-1、IRMOF-61和IRMOF-62共3种金属有机骨架(MOFs)材料中的吸附平衡性能进行了比较研究. 结果表明, 该力场能够在全压力范围内很好地复制H2在IRMOF-62材料中的等温吸附曲线; 但对低压下H2在IRMOF-61中的等温吸附曲线预测出现低估. 与IRMOF-1相比, 具有互穿骨架结构的IRMOF-61和IRMOF-62材料在常温下的储氢能力并无明显提高. 进一步比较77 K时100 kPa、3.0 MPa下H2在上述MOFs材料中达到吸附平衡时的几率密度分布发现, H2会优先吸附在Zn4O骨架附近靠近苯环的位置;对具有互穿结构的MOFs材料而言,由于其孔腔尺寸缩小, 使得H2优先吸附位区域零散化. 适当长度的有机配体形成的互穿骨架结构能增强与H2分子之间的相互作用, 具备较高的储氢能力; 而有机配体尺寸过长则会增加骨架结构中H2吸附死角, 对H2的吸附能力反而出现下降. 相似文献
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We present a review of the development of a compact and high-power broadband terahertz (THz) source optically excited by a femtosecond photonic crystal fiber (PCF) amplifier.The large mode area of the PCF and the stretcher-free configuration make the pump source compact and very efficient.Broadband THz pulses of 150 μW extending from 0.1 to 3.5 THz are generated from a 3-mm-thick GaP crystal through optical rectification of 12-W pump pulses with duration of 66 fs and a repetition rate of 52 MHz.A strong saturation effect is observed,which is attributed to pump pulse absorption;a Z-scan measurement shows that three-photon absorption dominates the nonlinear absorption when the crystal is pumped by femtosecond pulses at 1 040 nm.A further scale-up of the THz source power is expected to find important applications in THz nonlinear optics and nonlinear THz spectroscopy. 相似文献
35.
根据新疆轻工机械公司的实际情况和先进制造技术的理论提出了一个基于PDM的集成化设计系统采用系统集成的思想,利用PDM将集成化设计中的各个模块有机的集成起来.并研究了其体系结构和特点.该集成化设计系统具有并行性、集成性、开放性、快速性、敏捷性、分布性和高度的柔性等特点. 相似文献
36.
南极适冷菌Pseudoalteromonas sp. S-15-13胞外多糖的分离、纯化和结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
从一株南极海冰中分离出来一种适冷菌Pseudoalteromonas sp. S-15-13, 其胞外多糖具有良好的免疫活性.为了探讨南极菌S-15-13胞外多糖结构与功能之间的相互关系, 对其胞外多糖进行了分离纯化和结构分析. 粗多糖经DEAE-Sephadex A-50离子交换层析及Sephadex G-100凝胶层析纯化后得到组分EPS-Ⅱ, 经HPLC分析验证EPS-Ⅱ为单一组分, 其分子量为62000; 单糖组成、甲基化分析及核磁共振结果表明, EPS-Ⅱ的主体结构由(1,2)α-D-Man组成主链, 并在6位上有分支的新甘露聚糖. 相似文献
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38.
用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1 μm左右、长数十微米的ZnO纳米带. 采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件, 由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 MΩ, 电阻率约0.4 Ω·cm. 研究了在20–280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化. 结果表明: 在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同, 存在两种不同的输运机制. 在130–280 K较高的温度范围内, 单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制, 随着温度继续降低(< 130 K), 近邻跳跃传导为主导输运机制.
关键词:
ZnO
纳米带
低温
输运机制 相似文献
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学完勾股定理后,对"32+42=52"这一结果引发了我的探究兴趣,得到如下结果.1.只有正整数n=4才能使(n-1)2+n2=(n+1)2成立.证明由(n-1)2+n2=(n+1)2化简,得n2-4n=0,于是有n=0或n=4,显然0不是正整数,n=4是唯一的,即3,4,5是唯一的连续正整数勾股数. 相似文献
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