高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征

利用MOCVD外延生长技术, 对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节, 获得了高密度(~5×1010 cm^-2)的InAs量子点. 室温荧光光谱表明, 覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346 μm, 光谱线宽为24 meV. 研究结果表明, 利用较低温度生长InAs量子点, 结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移, 有效地改善材料的光学特性.     

Structural, Optical and Electrical Properties of Hydrogen-Doped Amorphous GaAs Thin Films

Amorphous CaAs films are deposited on substrates of quartz glass and sificon by rf magnetron sputtering technique in different gas ambient. First, the amorphous structure of the prepared samples is identified by x-ray diffraction. Second, analysis by radial distribution function and pair correlation function method is established to characterize the microstructure of the samples. Then, the content and bond type of hydrogen are analysed using Fourier transform infrared absorption spectroscopy. It is found that the bonded hydrogen content increases with increasing partial pressure PH of H2. However, the hydrogen content saturates at PH 〉 1 × 10^-1 Pa. Hydrogen addition shills the optical absorption edge to higher energy, decreases the dark conductivity and improves the photo-sensitivity. The optical gap, dark conductivity and photo-sensitivity of the films are dependent on the bonded hydrogen content. These results demonstrate that hydrogen has obvious passivation effects on rf sputtered amorphous GaAs thin films.     

NaCl-KCl熔盐体系中AlF3氟化Tb4O7电化学制备Al-Tb合金

在NaCl-KCl-Tb₄O₇-AlF₃体系中为了制备Al-Tb合金,首先对熔盐中的上清液和沉淀物进行了分析,X射线衍射（XRD）结果确定了Tb₄O₇能被AlF₃氟化生成TbF₃。采用一系列的电化学方法对NaCl-KCl-AlF₃-Tb₄O₇体系在Mo电极上的电化学行为进行了研究。循环伏安、方波伏安、计时电位和开路计时电位等电化学方法的研究结果表明Tb（III）在预先沉积的Al电极上发生欠电位沉积。在不同条件下进行恒电流电解制备了Al-Tb合金,并对所得合金样品进行XRD和扫描电镜-能量散射谱（SEM-EDS）表征。结果表明在-2.5 A进行恒电流电解得到的Al-Tb合金是由Al和Al₃Tb两相组成。采用电感耦合等离子体-原子发射光谱仪（ICP-AES）对实验所得沉积物的组成进行分析,研究了电解条件对合金组成和电流效率的影响。在电流强度为-1.5 A进行恒电流电解2 h,电流效率可达76.5%。     

45°内反射镜高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs面发射半导体激光器结构设计和制备

研究了具有45°内反射镜的0 98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用MBE方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,低温(10K)光致发光(PL)和电化学C V方法检测和分析了外延薄膜的光电和结构特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长0 919μm的谱峰,谱峰范围跨跃0 911～0 932μm,双晶回摆曲线、电化学C V分布曲线显示所设计的结构基本得到实现。     

石墨炉原子吸收信号的动力学因素与校正曲线的关系

通常在原子吸收中使校正曲线弯曲的主要因素是: (1) 光谱通带中存在非特征辐射;例如:杂散光、空心阴极灯的非特征谱线等。(2) 绕过火焰的特征辐射; (3) 光源辐射线自吸变宽; (4) 高浓度时,吸收线产生罗仑兹位移;即吸收线和发射线轮廓的中心位置不在同一波长。(5) 光谱通带内存在两条或两条以上待测元素特征谱线,其辐射能量和吸收系数不相同; (6) 使用一个宽光束系统,光束以不同的方向,即以不同的光程长度通过火焰;     

高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限GaAs/AlGaAs单量子阱激光器，室温单面连续输出光功率超过500mW,激射波长为820.3nm,并讨论了注入电流和温度改变对波长的影响。     

利用溶剂热压方法制备羟基磷灰石多孔纳米固体

利用溶剂热压方法,以羟基磷灰石（HAP）纳米颗粒为原料制备了一种介于纳米粉体和纳米陶瓷体之间的过渡态——体块HAP多孔纳米固体,并用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、压汞仪和热分析（DSC和TGA）等方法对样品进行了表征,初步研究了溶剂的种类、分布均匀性等因素对HAP多孔纳米固体的孔容和孔径分布的影响,并对HAP多孔纳米固体的热稳定性进行了分析.     

塞曼原子吸收校正曲线的实验和探讨

塞曼效应用于原子吸收背景校正后,许多作者研究了其校正曲线的“翻转”(roll over)现象。也有作者对大量元素的曲线“翻转”作了实验研究,并对此作了理论解释,在解释中还考虑到分析线精细结构和超精细结构的影响。然而这些实验和讨论都忽略了杂散光来源和自吸等因素对校正曲线形状的复杂影响。本文仅就横向恒定磁场偏振分离调制方式商品ZAA仪器(CPMPM)中校正曲线的形状作进一步的研究和解析。     

科研训练作为一种教学方式的探究与实践

相对于国家重点高校,地方性高校科研条件较差,学生参与科研训练机会较少,这在一定程度上影响了学生创新思维的培养.通过调研石家庄学院学生的科研训练参与情况发现,大多数学生都有很强的科研训练兴趣,这与学校有限的科研资源存在较大矛盾.针对此问题,我们尝试性地构建了半导体功能材料仿真科研小组,经过两年的发展,已经形成了导-高-...