Lp空间中随机变量的g-期望与条件g-期望

利用倒向随机微分方程的Lp解定义了Lp空间中随机变量g-期望与条件g-期望,扩张了g-期望与条件g-期望的定义空间;证明了用Lp解定义的g-期望与文[5]用算子连续扩张方法定义的一般g-期望的一致性,得到了Lp空间中随机变量的g-期望与条件g-期望的一些性质.     

Box-Cox变换在教学评估中的应用

本文主要对做Box-Cox非线性变换之后的教学质量评估问卷的数据进行因子分析和有序样本聚分析.和未作Box-Cox变换的结果相比,Box-Cox变换之后的因子分析给出了指标更明显,更有意义的分类,有序样本聚类分析可以将在原始数据中无法分开的高分数据进行更好的分类.     

能量修正的Glauber模型对中能反应总截面的影响

叙述了对Glauber模型中的透射系数进行半经验的能量修正,并利用该修正模型计算了^12—14C,⁶Li,⁷Be,⁸B+¹²C和⁶Li,⁷Be,⁸B+⁹Be以及²⁰Ne+¹²C,¹²C+²⁷Al等系统的激发函数(能区范围10—1000MeV/u),经与实验值比较,能量修正的Glauber理论计算值能够很好地描述中能条件下的反应总截面实验测量值.     

蒿属三种药用植物营养器官的解剖学研究

本文对大籽蒿、野艾、椒蒿的营养器官进行了组织形态学的观察.分析了药用植物的解剖学特征与药用成份的贮藏、运输和分泌的关系.并总结出这三种植物的茎与叶的显微结构特征可做为鉴别不同种和药材真伪的依据.     

钛-硅系快速热退火固相反应机制的研究

钛膜在10^-7Torr真空中用电子束蒸发沉积在硅单晶片上,以快速热退火方式进行团相反应。转靶X射线衍射分析发现,540—600℃退火后,有两个亚稳相Ti₅Si₄的衍射峰。延长退火时间,第一成核相Ti₅Si₄可持续存在到钛被消耗完,随即转变成稳定相TiSi₂。退火温度高于640℃,形成稳定相TiSi₂。薄层电阻和喇曼散射的测量研究结果表明,与X射线衍射有很好的对应。207和244cm^-1波数处的两个喇曼峰为TiSi₂的特征喇曼峰,而270,297和341cm^-1的三个喇曼峰似乎是由Ti₅Si₄引起。 关键词：     

香豆素440/荧光素钠/藏红混合染料体系的光谱研究

通过对C440/Fl.Na/Saf.-T三元混合染料体系的荧光光谱研究,了解到这三种染料之间有较充分的能量转移。又通过对C440/Fl.Na和Fl.Na/Saf.-T两个混合染料体系的荧光寿命测量,讨论了分子间能量转移过程和机理,并做了一些定量的分析。     

一道课本例题的研究性学习

课本例题是通过精心编拟的，它具有代表性、典型性和可塑性，故在学习中，我们要善于研究它们，为此，本文以一例说明，供同学们参考．     

也谈一道高考题

2005年全国高考浙江卷理17（文19）题：     

Preparation of Cu（In,Ga）Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere

Cu（In, Ga）Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu（In,Ga）Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu（In, Ga）Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.     

用“双棱镜位移法”测光波长

利用干涉现象测定光波长的双棱镜实验是一个基本的普物光学实验。如图有λ=l/Dδ。l为虚光源S_1S_2的距离,D为光源到屏P的距离,δ为干涉条纹间距,在教学中存在一个很棘手的问题,这就是实验结果的重