用自制仪器演示光通信

介绍一种新的小型演示仪器.该仪器用于普通物理光通信实验教学,能形象生动地演示光信号的耦合、传输、解调以及还原。仪器结构简单,思路清晰,可操作性强,对学生有很强的演示性。     

甲烷湍流射流火焰锋面结构的激光PLIF测量

利用OH-PLIF技术,研究了甲烷空气预混射流火焰,在不同出口雷诺数下,不同氮气稀释比例下火焰OH自由基的二维分布以及火焰的前锋面结构特性,以此实现对柔和燃烧的基础特性研究。实验结果显示,在获得大量氮气稀释后,预混火焰的OH浓度峰值减少了30%以上,并且整个燃烧反应明显延迟,但火焰面面密度没有发生明显变化。同时发现,改变出口雷诺数对火焰OH浓度影响较小,但是增加出口雷诺数可以扩大燃烧反应区。     

NbTi、Nb_3Sn超导线拉伸性能研究

超导线材的力学特性是决定超导线使用性能的主要因素之一.超导电缆绞制过程中的张力、扭矩,和电缆载流时产生的电磁力都会使超导线发生各种应变,从而对其临界性能造成影响.因此研究单根超导线的力学性能对分析预测超导电缆的临界性能有重要参考意义.本文主要对以Nb系低温超导材料为基础的NbTi、Nb3Sn超导线在不同温区进行了拉伸实验,测得不同种类、不同状态的超导线在不同温度下的杨氏模量和抗拉强度.并对部分实验结果进行了对比分析和数值拟合.     

矿化剂对铝酸钙粉的结构与光谱性能的影响

研究了矿化剂对制备铝酸钙粉的结构与性能的影响.研究中以铝矾土和石灰石为原料,加入一定量的矿化剂,混合均匀,经高温煅烧制得铝酸钙粉.借助于红外光谱、X射线粉末衍射、差热-热重分析等手段对不同原料的铝酸钙粉的结构、组成及性能进行了表征和研究,并对矿化剂在合成铝酸钙中的矿化机理进行探讨.研究表明:加入矿化剂后,可在更低温度条件下煅烧制备出铝酸钙粉,有利于节能减排.红外光谱分析、XRD分析、DTA-TG分析显示:未加矿化剂煅烧时,生成的产物主要是Ca3Al10O18,CaAl2Si2O8.加入矿化剂后煅烧生成的产物主要是易浸出Al2O3的CaAl3BO7和Ca3Al10O18,而不易浸出Al2O3的CaAl2Si2O8的含量大大降低.同时显示,加入矿化剂后,原料中的方解石(CaCO3)分解更容易;CaCO3与铝矾土反应更充分;更有利于促使铝矾土中的Al-Si键断裂,将铝矾土中的Al释放出来;并可降低铝酸钙的煅烧温度.研究还显示:加入矿化剂后,可以改变原产物的晶体结构与成分,有利于降低煅烧反应温度.     

A Scheme for Atomic Entangled States and Quantum Gate Operations in Cavity QED

We propose a scheme for controllably entangling the ground states of five-state W-type atoms confined in a cavity and realizing swap gate and phase gate operations. In this scheme the cavity is only virtually excited and the atomic excited states are almost not occupied, so the produced entangled states and quantum logic operations are very robust against the cavity decay and atomic spontaneous emission.     

谈基础物理的渗透式教学

构建新型课堂教学模式是提高教学质量、推进素质教育的重要环节和有效途径．文章以万有引力定律的讲解为例，阐明在基础物理教学中，如何结合知识内容，对科学精神、学科前沿、学科交叉、方法思路及学科发展等进行全面渗透，以促进教学质量的全面提高．     

小波变换在载频条纹相位分析法中的应用研究

为了克服在非平稳信号分析中傅里叶变换的全局性缺陷,以及窗口傅里叶分析的单一分辨率和伸缩窗口傅里叶分析的尺度不确定性问题,采用伽博解析小波变换技术对空间载频光栅条纹进行相位分析,有效地提取出相对于载频条纹基频的完整相位信息,从本质上解决了上述问题。以三维轮廓术为例,与傅里叶分析进行了对比研究,给出了小波分析应用在空间载频条纹相位分析中详细而完整的理论推导证明、计算机模拟以及实验验证结果。     

nc-Ge/SiN_x多层膜的光致发光特性

通过将a-Ge∶H/a-SiN_x多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiN_x多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制,认为该发光源于氧化后的a-SiN_x介质层中带尾态之间的辐射复合,最有效的激发能量约为介质层的带隙。     

Interface states in Al_2O_3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique

Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE).