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51.
异质富勒烯C58BN的结构与光谱研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用AM1、MNDO和INDO半经验方法研究了异质富勒烯C58BN各异构体的结构、稳定性和电子光谱.所有这些半经验方法给出了相似的稳定性顺序.结果表明,在6-6位置取代的异构体是最稳定的,异构体的稳定性随杂原子间距离的增加而降低;与C60相比,硼氮杂富勒烯C58BN具有较低的前线轨道能级差、较小的电离势和较低的稳定化能.C58BN很可能具有与C60分子相似的反应活性,易发生亲核反应,但比C60更易失去电子形成正离子.以AM1优化构型为基础,利用INDO/CIS方法计算了各异构体的电子光谱. 相似文献
52.
53.
初等变换是线性代数的基本变换,在线性代数课程中常常被用来计算,例如求解线性方程组、计算方阵的行列式、矩阵的求逆以及更一般的矩阵方程AX=B的求解、计算整数矩阵和域上多项式矩阵的Smith标准形、以及计算对称阵的相合标准形等.本文说明如何灵活利用初等变换,给出线性代数课程中一些重要理论结果的系统而又简洁的证明. 相似文献
55.
室温条件下,采用CFT-Ⅰ型多功能材料表面综合性能测试仪对AISI 4340钢进行了往复干摩擦磨损试验,研究了其摩擦磨损特性.采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对磨痕和亚表层进行了观察和检测,分析了磨损表面微观形貌、亚表层塑性变形和碳氧元素含量演化.结果表明:磨损形式以磨粒磨损为主,并伴随轻微黏着磨损和剥落磨损;磨损表面分布着长度、宽度、深度不一的划痕以及鳞片状和颗粒状磨屑;磨损表面出现轻微氧化,磨屑呈现不同程度的碳富集和氧化;亚表层出现明显摩擦影响层,距表层越近,塑性变形越明显,晶界角逐渐汇聚于表面,在表面处趋于平行;往复运动导致塑性变形方向不一致,磨痕中部,塑性变形向某位置聚集. 相似文献
56.
基于HSI高光谱和TM图像的土地盐渍化信息提取方法 总被引:5,自引:0,他引:5
选择黄河三角洲垦利县代表性盐碱化区域为研究区,以2011年3月15日HJ-1A卫星HSI高光谱影像和2011年3月22日TM影像为信息源,经几何纠正、图像裁剪、大气校正等预处理,分析不同盐渍化程度土地、水体、滩涂等主要地类的光谱特征,确定地类信息提取特征波段。结合土壤盐分含量,采用定量与定性相结合规则,构建地类信息提取模型,以决策树分类方法进行图像分类,提取土地盐渍化信息。利用地表点位土壤含盐量数据对地表土地盐渍化程度的化学分析结果,对遥感解译数据进行精度验证,并对高光谱和多光谱影像的分类精度进行比较分析。结果表明:HSI图像的总体分类精度达96.43%,Kappa系数为95.59%,而TM图像的总体分类精度为89.17%,Kappa系数为86.74%,说明相比多光谱TM数据,基于高光谱图像可以更为准确有效地提取土地盐渍化信息;由分类结果图可以看出,高光谱影像土地盐渍化的区分度高于多光谱影像。该研究探索了高光谱图像土地盐渍化信息的提取技术方法,提供了不同盐渍化土地的分布比例数据,可为黄河三角洲滨海盐碱土地资源的科学利用与管理提供决策依据。 相似文献
57.
We investigate the effect of torsion on DNA condensation with the covalently closed circular DNA as the torsionconstrained system, using an atomic force microscope. It is found that there are two stages in the DNA condensation process under torsional constraint. At the early stage, the low torsion will accelerate DNA condensation by promoting the formation of micro-loops or intersection structures; while at the later stage, the increasing torsion will slow it down by preventing the crosslinking of cisplatin and DNA since the DNA molecule becomes more rigid. Our results show the important role of torsion in DNA condensation and sheds new light on the mechanism for DNA condensation. 相似文献
58.
Growth condition optimization and mobility enhancement through inserting AlAs monolayer in the InP-based In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMT structures 下载免费PDF全文
The structure of In P-based In_xGa_(1-x) As/In0.52Al0.48 As pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)was optimized in detail.Effects of growth temperature,growth interruption time,Si δ-doping condition,channel thickness and In content,and inserted Al As monolayer(ML) on the two-dimensional electron gas(2DEG) performance were investigated carefully.It was found that the use of the inserted Al As monolayer has an enhancement effect on the mobility due to the reduction of interface roughness and the suppression of Si movement.With optimization of the growth parameters,the structures composed of a 10 nm thick In0.75Ga0.25 As channel layer and a 3 nm thick Al As/In0.52Al0.48 As superlattices spacer layer exhibited electron mobilities as high as 12500 cm~2·V-1·s~(-1)(300 K) and 53500 cm~2·V~(-1_·s~(-1)(77 K) and the corresponding sheet carrier concentrations(Ns) of 2.8×10~(12)cm~(-2)and 2.9×1012cm~(-2),respectively.To the best of the authors' knowledge,this is the highest reported room temperature mobility for In P-based HEMTs with a spacer of 3 nm to date. 相似文献
59.
60.
本文研究了活动轮廓模型初始化的问题.利用EM算法和小波多尺度边缘检测的方法,获得了活动轮廓模型的外部能量函数和初始曲线,并对于具体的X射线图像给出了实验结果和该算法的有效性. 相似文献