全文获取类型
收费全文 | 204篇 |
免费 | 60篇 |
国内免费 | 92篇 |
专业分类
化学 | 155篇 |
晶体学 | 4篇 |
力学 | 17篇 |
综合类 | 7篇 |
数学 | 24篇 |
物理学 | 149篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 12篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 11篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 17篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 14篇 |
2009年 | 13篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 14篇 |
2006年 | 14篇 |
2005年 | 20篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 2篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
1955年 | 3篇 |
排序方式: 共有356条查询结果,搜索用时 343 毫秒
101.
102.
103.
Kanglemeisu A (C_(50)H_(63)O_(19)N·CH_3OH) is the product of an actinomyces species from a soil sample gathered in China. Kanglemeisu A belongs to the triclinic system, space group P_1,unit cell:a=12.760(3), b=10.287(2), c=9.926(2) , α=88.39(2),β=78.64(2), γ=89.14(2). RANTAN direct method is used to solve the structure.The final discrepancy factor is R=0.0689, after atom coordinates and temperature factors have been refined with full matrix least squares.The structure skeleton consists of four parts, the naphthalene nucleus connected to the 5-membered ring, a 17-membered ring connected to C_2, a dimethyl butane diacid extended out from C_(20), β-D-3,4-OO' methylenedigitoxose passing through an oxygen bridge O_6 and linked to C_(27) of ansa ring. 相似文献
104.
105.
A Monte Carlo simulation,with the energetics described by the embedded atom method,has been employed to study the physical behaviour of boron atoms during relaxation of the Ni3AlBx grain boundary,It has also been used to calculate not only the peak concentrations of Ni and B and the valley concentration of Al at the grain boundary,but also the dependence of the grain boundary cohesion on the B bulk concentration.During relaxation of impure Ni3Al grain boundaries,we suggest that,as the segregating species,the B atoms either insert into interstices in the grain boundary or substitute Ni atoms.Meanwhile,as the inducing species,they induce Ni atoms to substitute for Al atoms.Calculations show that in the equilibrium,when the B bulk concentration x increases from 0.1 to 0.9 the peak concentration of B increases,the peak concentration of Ni maximizes while the valley concentration of Al minimizes at x=0.5,The calculations also show the best cohesion of the grain boundary at x=0.5。 相似文献
106.
利用硼酸功能化的磁性碳纳米管作为反应基质, 采用一种简便、 绿色的硼酸亲和表面定向印迹法制备了槲皮素磁性分子印迹聚合物, 并将其应用于银杏叶提取物中槲皮素的特异性识别. 透射电子显微镜、 X射线光电子能谱仪、 X射线衍射及振动样品磁强计测试结果表明, 制备的分子印迹聚合物具有良好的形貌和晶型结构. 吸附实验结果表明, 该分子印迹聚合物对模板分子槲皮素具有较好的吸附容量(4.57 μg/mg)、 良好的印迹效果(IF=8.44)和再生能力. 对实际中药样品银杏叶提取物的吸附实验结果表明, 所建立的方法能达到预期的槲皮素检测效果, 可作为中药有效成分槲皮素的特异性识别工具. 相似文献
107.
QuEChERS-四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱测定动物性食品中氟虫腈及其代谢物残留 总被引:2,自引:0,他引:2
基于低温处理和QuEChERS方法,采用超高效液相色谱-四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱建立了动物性食品中氟虫腈及其代谢物残留的分析检测方法。样品采用乙腈提取,经低温处理,N-丙基乙二胺(PSA)和C18粉分散固相萃取(d-SPE)净化,以BEH C18色谱柱为分析柱,乙腈-0.1%乙酸溶液为流动相进行梯度洗脱分离,外标法定量。采用高分辨质谱平行反应监测(PRM)扫描模式,以负离子采集进行定性筛查和定量分析。氟虫腈及其代谢物在0.02~2μg/L和0.2~20μg/L质量浓度范围内均呈良好的线性关系,相关系数(r2)大于0.992。对液体或半液体样品(如牛奶和鸡蛋)和固体样品(如鸡肉),方法的定量下限分别为0.1μg/kg和0.2μg/kg。在不同浓度的加标水平下,氟虫腈及其代谢物在鸡蛋中的平均回收率为81.6%~96.9%,相对标准偏差(RSD)为1.3%~11.5%;在鸡肉中的平均回收率为81.2%~96.0%,RSD为3.4%~11.4%;在牛奶中的平均回收率为79.1%~100.1%,RSD为1.5%~10.7%。该方法简单、灵敏、准确,适用于动物性食品中氟虫腈及其代谢物的快速筛查和定量检测,方法的灵敏度满足欧盟的残留限量要求。 相似文献
108.
以微波传输线等效二端口网络模型等效电路理论近似分析了含有横向电感膜片矩形波导的结构。计算发现,矩形波导内置一对膜片时膜片的宽度会影响散射参数的相位和振幅,而膜片放置的位置对散射参数的幅值及带宽没有影响。根据微波无反射传输的条件,研究了微波矩形波导内置两组横向电感膜片结构的转移矩阵。采用Matlab编程计算,得到在插入衰减最小时两组膜片在波导中的最佳间距。等效电路理论计算结果与用CST软件仿真的结果相符。研究发现,在膜片间距取最佳值时,两种方法得到的相对带宽差值仅为0.59%。 相似文献
109.
110.
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×1015 cm-2条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射... 相似文献