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171.
172.
173.
通过石英圆柱模型,理论研究了小芯径光子晶体光纤中混合声波模式的色散、模式耦合以及声光相互作用,理论计算出了布里渊散射增益系数谱的双峰结构及其随抽运光波长和温度的演化规律. 理论分析表明光子晶体光纤中布里渊散射增益系数谱的双峰结构源于小芯径光子晶体光纤中混合声波模式之间的模式耦合. 通过温度改变导致的材料参数变化对声波模式色散特性的影响,特别是声波模式耦合点的移动,解释了双峰结构随外界温度的变化规律. 并且,通过理论计算与实验结果的对比讨论了石英圆柱模型的局限性和适用范围.
关键词:
布里渊散射
声光相互作用
模式耦合
光子晶体光纤 相似文献
174.
反射式内掩日冕仪的光学设计与杂散光分析 总被引:1,自引:0,他引:1
日冕仪的工作特点决定了其对杂散光抑制要求极其严格。根据反射式日冕仪的工作特点,通过分析其光学特性以及其抑制系统杂散光的基本原理,设计了反射式内掩日冕仪系统。其中,视场0.67°、口径47mm、焦距768mm、系统总长1200mm,系统在30lp/mm处的MTF值大于0.6,弥散斑半径小于2.5um,成像质量达到衍射极限。通过分析系统杂散光特点,建立了消杂散光结构,使得系统的主要杂散光源被全部抑制。本系统可做到大约10-6-10-8B⊙的杂散光抑制水平,可以实现对日冕的清晰成像观测。 相似文献
175.
量子纠缠是量子信息领域的核心资源,目前利用β型硼酸钡(BBO)晶体参量下转换制备的纠缠光子对的亮度较低,它直接制约了量子通信的最远距离,已无法满足星地实用化量子通信的发展需求.利用周期极化KTiOPO4晶体,采用准相位匹配技术设计产生了一种后选择的纠缠源,测得的符合计数达到了16×103s-1 mW-1,极化对比度达到27∶1,在亮度上比基于BBO的量子纠缠光源提高了一个数量级以上.这一高亮度的纠缠源可以广泛应用于量子密钥分发、量子隐形传态以及量子计算等新兴量子信息领域,为实现全球化量子通信提供了有力的保障. 相似文献
176.
在考虑耦合器插入损耗的情况下,理论分析了环中环结构谐振腔的耦合谐振透明效应.利用迭代法推导了整个结构的透过系数和有效相移,从而得到考虑了插入损耗的该结构的色散.研究表明,整个结构的有效相移,群速度和带宽,可通过耦合器的插入损耗、环中环结构中环与环周长之间的倍数以及环的个数来控制,这在旋转传感、光学时延线、光缓存、滤波等方面的应用有重要意义.
关键词:
环中环结构
耦合谐振透明
色散
慢光 相似文献
177.
It was supposed that, the nucleus was composed of α-cluster, pn-pair, and nn-pair. The reciprocity of the α-cluster, pn-pair, and nn-pair caused the regular change of the separating energy to separate the nn-pair in the exotic nuclei. The regular change was that the separating energy was high behind low to separate the nn-pair in the light and exotic nuclei. This phenomenon must had more profound physical meaning. 相似文献
178.
在1.0~4.0 GPa压力、1 073~1 573 K温度和10-1~107 Hz频率条件下,利用SARLTON-1260阻抗-增益/相位分析仪,就位测定了二辉橄榄岩的阻抗谱。实验结果表明:二辉橄榄岩的阻抗谱对频率具有很强的依赖性,并从阻抗谱的测试原理(颗粒内部、颗粒边缘、样品与电极间的导电机制)上做出了解释;温度是决定二辉橄榄岩电导率的一个重要物理参数,电导率随着温度的升高而增大,lg σ与1/T之间符合Arrenhius关系式;在高压实验中第一次将压力作为测量二辉橄榄岩电导率重要的约束因素,随着压力的增大,电阻率升高、电导率降低。 相似文献
179.
光生态膜的荧光光谱对番茄生态的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过番茄叶片的荧光光谱和激发光谱测量 ,能够得到番茄的光合作用之作用光谱。模拟番茄的作用光谱制备出荧光助剂 ,将荧光助剂分散进高分子树脂中制成棚膜。用这种光生态膜苫盖日光温室 ,在哈尔滨市道里区新发乡建国村进行了温室番茄种植的示范推广 ,番茄产量提高了 5 3 7% ,产值提高了 6 1 4 %。 相似文献
180.
锂喹啉配合物作为电子注入层对有机电致发光器件性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡/锂喹啉配合物铝{ITO(indium tin oxidc) TPD(N,N′-di-phenyl-N,N′-bis(3-mmethylphenyl)-l.l′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3[tris-8-hydroxy-quinolinato)aluminum] Liq AI的电致发光器件。通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响。实验表明Liq厚度大约为0.5nm左右时器件的性能最佳、电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alqs之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故。Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的。 相似文献