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81.
GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化. 关键词: α-GaN外延薄膜 红外反射光谱 载流子浓度 迁移率 LO声子与等离子体激元耦合模 Raman光谱  相似文献   
82.
在B3LYP/6-311++G**及UMP2/6-311++G**水平上对单电子锂键复合物H3C…Li-H的甲基非加和性进行了理论研究.通过对复合物构型、能量、电荷转移及拓扑参数进行分析的基础上,讨论H3C…LiH、H3CH2C…LiH、(H3C)2HC…LiH及(H3C)3C…LiH的作用强度.结果表明,(H3C)3C自由基与LiH间形成的单电子锂键复合物的强度最强,其次为(H3C)2HC和H3CH2C,而H3C自由基与LiH间形成的复合物的强度最弱,甲基非加和性使得体系的作用强度增强,这也通过自然键轨道和分子中的原子理论分析得到了证明.另外,单电子锂键体系中参数间存在着几种线性/非线性关系,单电子锂键的作用模式与单电子氢键及单电子卤键有所不同.  相似文献   
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