激光束诱导电流法提取HgCdTe光伏探测器的电子扩散长度

由于得到HgCdTe扩散长度L_p的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流（LBIC）提取的等效扩散长度L来代替L_p.本文通过二维数值模拟,分析了等效扩散长度L和扩散长度L_p 的关系.二者的比例关系为L/L_p=1.1,该基本关系不受器件的关键参数如掺杂浓度、载流子寿命、载流子迁移率等的影响.最后将激光束 关键词： 碲镉汞 激光束诱导电流 扩散长度     

吸收层特性和异质结界面电荷对12.5 μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究

研究了12.5 μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度增加单调增加,并逐渐饱和.响应率峰值对应的波长随吸收层厚度增加,有向长波偏移的趋势.最佳吸收层厚度值随少子寿命或入射光波长的增大而增大.同时,研究了衬底、钝化层与HgCdTe材料之间异质界面电荷对光响应率的影响,发现正的界面电荷在衬底异质结界面处形成诱导pn结,对响应率影响显著 关键词： 长波HgCdTe器件 光伏型红外探测器 光响应率 少子寿命     

高血压性左室肥厚患者全血镁的测定

通过对比观察了50例高血压性左室肥厚患者和60例高血压性无左室肥厚患者全血镁含量的变化。结果表明,左室肥厚组全血镁明显低于无左室肥大组（P＜0．05）。提示高血压性左室肥厚患者镁的缺乏,可能是形成左室肥厚的因素之一。建议高血压性左室肥厚患者,在降压治疗过程中,同时给予适量补充镁剂,有利于左室肥厚的逆转。     

肺心病患者全血锌、铜和外周血T淋巴细胞亚群的关系探讨

对28例住宅的肺心病患者和40例健康人分别进行了全血锌、铜的检测,并对28例肺心病患者全血锌、铜与其T淋巴细胞亚群（CD3、CD4、CD8,CD4／CD8）分别做线性相关分析。结果表明：（1）肺心病组全血锌低于健康人组（P＜0．01）,全血铜高于健康人组（P＜0．05）。（2）全血锌与T淋巴细胞亚群CD3、CD4、CD4／CD8呈明显正相关（P＜0．05）,与CD8呈负相关（P＜0．05）。提示慢性肺心病急性期患者全血锌下降,造成T淋巴细胞免疫功能低下,导致肺心病患者易合并肺部感染,使肺心病病情加重。认为慢性肺心病急性加重期患者在予以积极抗感染、对症的同时适当补充锌剂,能改善外周血T淋巴细胞亚群功能,提高机体免疫力,有助于慢性肺心病急性期患者的康复。     

老年老年前期高血压病患者血液流变学改变

通过随机对比观察了40例老年期高血压患者和30例老年前期高血压患者血液流变学改变及其临床类型的比较。结果显示：（1）老年期高血压病患者比老年前期高血压患者血液粘度、红细胞压积、血液还原粘度、血浆粘度、纤维蛋白原、红细胞变形系数、血细胞聚集系数均增高,有显著性差异（P＜0．05）。（2）老年期与老年前期的高血压病患者临床类型比较,老年组单纯性收缩高血压的百分率较老年前期组高,有显著性差异（P＜0．01）,而两组的单纯舒张期高血压及混合型高血压的百分率无显著性差异（P＜0．05）。提示老年期高血压患者的处理,不仅应控制血压（特别是单纯性收缩期高血压）,还应注意降血粘度。     

老年及老年前期高血压病患者血液流变学改变

通过随机对比观察了40例老年期高血压病患者和30例老年前期高血压病患者血液流变学改变及其临床类型的比较。结果显示：(1)老年期高血压病患者比老年前期高血压病患者血液粘度、红细胞压积、血液还原粘度、血浆粘度、纤维蛋白原、红细胞变形系数、血细胞聚集系数均增高,有显著性差异(P＜0.05)。(2)老年期与老年前期的高血压病患者临床类型比较,老年组单纯性收缩期高血压的百分率较老年前期组高,有显著性差异(P＜0.01),而两组的单纯舒张期高血压及混合型高血压的百分率无显性差异(P＜0.05)。提示老年期高血压患者的处理,不仅应控制血压(特别是单纯性收缩期高血压),还应注意降低血粘度。     

GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化. 关键词： α-GaN外延薄膜 红外反射光谱 载流子浓度 迁移率 LO声子与等离子体激元耦合模 Raman光谱     

NMR STUDIES OF HYDROGEN MICROSTURUCTURES IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON FILMS

Four kinds of a-Si: H films deposited in the PECVD system with different T_s are studied by ¹H NMR technique. Direct evidence is given to confirm hydrogen atoms in the diluted and clustered phases. The local bonding configurations for hydrogen and the density of dangling bonds are analyzed by ESR and infrared absorption spectroscopy. The behaviour of hydrogen in a-Si; H films is discussed.     

ZnqCl2及其衍生物的电子光谱性质的含时密度泛函理论研究

采用从头算法(abinitio)和密度泛函理论(DFTB3LYP)方法,对二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)及其2种衍生物的基态结构进行优化,同时用abinitioHF单激发组态相互作用(CIS)法在6-31G(d)基组上优化其最低激发单重态几何结构,用含时密度泛函理论(TD-DFT/B3LYP)及6-31G(d)基组计算吸收和发射光谱。计算表明,该类物质电子在基态与激发态间的跃迁,主要是在配体8-羟基喹啉(q)环内的电荷转移,电子从含O的苯酚环转移至含N的吡啶环上,发射光谱的计算值与实验值基本符合。该类化合物的电子亲和能较大,都是优良的电子传输材料,改变中心金属原子对配合物光谱性质影响不大。     

ZH3,ZH+4及ZH4X(Z=N,P,As,Sb,Bi,X=F,Cl,Br,I)的结构与电子性质质

采用MP2/def2-TZVP理论方法考察了ZH3,ZH+4及ZH4X(Z=N,P,As,Sb,Bi,X=F, Cl, Br, I)的结构与电子性质。结果表明,随着氮族元素原子序数的递增,其氢化物(ZH3)中心原子杂化轨道中s成分减小,p成分逐渐增大,杂化轨道偏离平面的程度依次增大,导致NH3空间构型的最为“平面”,而BiH3最为“锥形”。尽管阳离子ZH+4由ZH3中Z的一个不等性sp3杂化轨道提供孤对电子与H+形成,但ZH+4中4个Z-H键等价,Z总体呈现等性sp3杂化。ZH4X均为C3v对称的四面体结构,ZH3与HX之间的作用驱动力来源于离子型的氢键(H3Z…H*-X)而非ZH+4与X－阴阳离子对(ZH+4X－)间的静电作用,H3Z…H*-X内的电子转移主要发生在轨道LP1(Z)与σ*(H*-X)之间。