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We analyse the influence of properties of organic/organic interface (OOI) on the characteristics of recombination efficiency of organic double-layer light-emitting diodes. Based on the disordered hopping theory model, spatial and energetic disorder of hopping states are also discussed for the case of space charge limited currents in hole transmitting layers but injection-limited currents in electron transporting layers. The results show that the recombination efficiency increases firstly and then decreases for different OOI parameters, and there is a maximum value changed with different spatial disorder parameters and energetic disorder scale. Different spatial disorder parameters make carrier mobilities change greatly, and the energetic disorder scale causes various localized state densities. Our calculated results are qualitatively in agreement with the experimental data. 相似文献
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13.
本文在分析应用文写作课普遍存在的问题的基础上,探讨成人高校应用文写作课的特点、目的,提出解决的办法,提高学生写作能力,使学生写出合乎规范的文章,适应实际工作的需要。 相似文献
14.
动能反导技术作为新型的反导技术,原理是在拦截弹和目标的相对速度方向上,抛射出大量动能杆条毁伤目标。其核心技术之一就是动能元素的抛撒,特别是定向抛撒。国外研究一般集中针对既定抛撒装置结构的杆条抛撒结果验证性报道,缺乏对杆条抛撒影响因素的详细研究。本文提出了采用周向弧形状药选择区域爆炸驱动中心杆条束定向侧向飞散的动能扦定向抛撒装置方案,设计不同结构参数的杆条定向抛撒装置的试验,研究抛撒结构参数对动能杆的驱动特性影响规律,为新概念反导战斗部设计提供技术帮助。 相似文献
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18.
求相同因数乘积的运算叫做乘方;求一个数方根的运算叫做开方。乘方与开方运算可用珠算,亦可用笔算,但运算过程比较烦琐,稍不当心就容易出错,因此答数需要检查,而检查的方式往往复算,甚至多次复算,这是非常乏味的。现介绍一种简捷的"去9余数验算法",不论是多少次乘、开方运算,只要按此法验算, 相似文献
19.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献
20.