磁场对氩原子ArI5p[3/2]2能态碰撞消激发与碰撞消取向的影响

在空心阴极放电激光诱导荧光实验中，当加强外磁场于观察方向，采用“魔角”激发，对氩原子ArI5p［3/2］₂能态，外磁场强度越强，则碰撞消激发速率越快，而碰撞消取向速率反而越慢，其总的效果是导致弛豫曲线的衰减速率随磁场强度增强而变缓．ArI5p［3/2］₂的自然能级寿命在不加外磁场情况下为120±5ns． 关键词：     

一类非经典扩散方程整体解的存在唯一性及长时间行为

本文讨论非经典扩散方程第一初边值问题整体解的存在唯一性及长时间行为，建立了一系列新的结果，较好地改进许多已有的结论．     

高温超导薄膜微波非线性研究的进展

文章介绍了高温超导薄膜微波非线性的主要特征，阐述了高温超导薄膜微波非线性产生的原因和相关的研究现状，指出了高温超导薄膜非线性研究中遇到的困难和尚未解决的问题．     

小波变换及其应用

科学技术的迅速发展使人类进入了信息时代。在信息社会中人们在各种领域中都会涉及各种信号 (语音 ,音乐 ,图像 ,金融数据 ,…… )的分析、加工、识别、传输和存储等问题。长期以来 ,傅里叶变换一直是处理这方面问题最重要的工具 ,并且已经发展了一套内容非常丰富并在许多实际问题中行之有效的方法。但是 ,用傅里叶变换分析处理信号的方法也存在着一定的局限性与弱点 ,傅里叶变换提供了信号在频率域上的详细特征 ,但却把时间域上的特征完全丢失了。小波变换是 80年代后期发展起来的新数学分支 ,它是傅里叶变换的发展与扩充 ,在一定程度上克…     

小数乘法位数的取舍对精确度的影响

小数乘法在珠算运算中是常见的，在具体问题中为了运算等诸方面的便利，在不影响大局的前提下往往采用近似计算，只需近似结果就可以了，不然将增添不必要的麻烦。那么珠算运算能否在运算中对某些位数的计算取舍，而又不影响结果的精确度呢?这个问题早已被人们所关注，如果可以做到这一点无疑会提高珠算的运算速度。     

类氖锗X光激光双程放大实验研究

本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps.     

物理测量中的不确定度表示指南

不确定度表示是计量工作标准化,也是科学实验中的重要问题,1980年国际计量局作出了关于实验不确定度的规定建议书INC-1,并于1981被国际计量委员会采纳,1986年国际计量委员会又作出决议,要求将INC-1 用于有关工作.为了在更广泛的基础上取得统一,国际标准化组织(ISO)、国际计量委员会(CIPM)、国际法制计量组织(OIML)、国际电工委员会(IEC)共同商定成立了不确定度表示组 ISO/TAG4/WG3,并着手起草一个较详细的具有指导性的文件,以加强不确定度如何得到的完整信息和提供测量结果国际比对的基础.1989年10月工作组在西柏林召开会议,工…     

Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films

With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.     

数学知识综合应用——小学四年级校本课

师:同学们!这节数学课我们运用所学过的数学知识,来解决实际生活中的问题好吗? 生:好!(齐答) 师:学校要美化校园,我们来当学校的“管理人员”,计算一下需要向学校申请多少资金,当然要以节约为原则,大家有没有信心把这件事情做好?