HL-1M装置的杂质线辐射特性

给出了HL－1M装置放电实验中杂质线辐射的测量结果。氢分子束注入, 子体电子密度n。明显提高,而杂质浓度大大降低。对应于分子束注入脉冲,分子束的“团族”效应引起了杂质辐射峰化时间的错位。     

用钛吸气方法改善HL-1装置的等离子体性能

用钛吸气方法减少了HL-1托卡马克等离子体中的杂质和气体再循环率,使Z_(eff)降低到1.6;在程序控制送气技术的配合下,有效地控制了密度变化,获得线平均密度元_max=4.9×10~(19)m~(-3)的较高密度的稳定放电;成功地扩展了运行参数空间。     

HL-1装置掠入射真空紫外杂质谱线观测

本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离子体杂质有一定效果。通过分析谱线、软X射线和m=2模式信号扰动之间的关系,指出杂质对等离子体不稳定性的影响。     

C、N、O、AL的真空紫外光谱

我们用自制的三电极真空火花光源和真空紫外谱仪,在各种实验条件下,观测到大量C、N、O、Al的真空紫外光谱。本文发表240(?)至2300(?)范围内得到的高离化态原子光谱。     

HL-1装置等离子体真空紫外光谱研究

本文叙述在HL-1装置上做的真空紫外区(300-2000A)光谱实验。用微通道板象增强器摄出了等离子体光谱,对光谱进行了辨认和分析;采用光电法测量了谱线随时间的变化和改变孔栏半径时杂质的变化情况,观察了等离子体发生小破裂时出现的光谱现象,对杂质的来源及某些性质作了分析研究;使用两条CⅣ谱线强度比,测出了放电初期的电子温度。     

HL—1装置几种杂质特性

本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。     

HL－1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后的ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响     

HL—1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

用真空紫外光谱研究HL—1装置上氧杂质浓度和输运

本文叙述用真空紫外光谱确定HL-1装置杂质浓度的方法,详细描述了用于解释光谱测量的杂质输运模型S1TCODE。为了在每次放电结束后就容易、迅速地获得这些结果,引入了一种快速分析方法。对HL-1装置在通常放电,器壁碳化和抽气孔栏等不同特性放电情况下氧杂质浓度和输运特性进行了初步分析。     

利用分支比方法作真空紫外光谱仪的强度校准

托卡马克等离子体中存在C、N、O、Fe、Mo、Ni等杂质,这些杂质的存在对等离子体的特性有着重要的影响。在高温等离子体中,尤其是在中心区,杂质辐射主要在真空紫外光谱区。所以,对托卡马克等离子体的真空紫外光谱研究是十分重要的。它常用于测定杂质的种类、含量,也能测量等离子体参数如电子温度、离子温度等。这就需要对光谱强度进行定量的测量。为此必须对整个测量系统、包括谱仪及探测器等进行绝对标定。目前可见光区光谱的绝对校准已经解决,使用的黑体辐射源和次级标准源如钨带灯和碳弧等都是比较好的标准源。但是,在真空紫外光谱区尤其是在小于100nm的波段里,在国内还缺少比较好的方便的标准源。虽然迄今已建成电子同步辐射加速器,其高能电子发射从远红外线到X射线区的