“神龙二号”气体火花开关中绝缘结构的电场分析与优化

气体火花开关作为重要部件被大量地应用于直线感应加速器和Z箍缩等大型脉冲功率装置中。绝缘结构设计不合理会使得气体火花开关中出现局部电场畸变和电荷积聚等现象。在高电压脉冲下长时间或高频次运行时,火花开关中的绝缘子会发生沿面闪络现象,直接影响到脉冲功率装置的正常运行。鉴于此,对气体火花开关中的绝缘结构进行了有限元电场分析,用表面电荷的积聚定性解释了沿面闪络发生的原因。通过对绝缘子的几何结构和电极尺寸的优化设计,有效降低了绝缘子表面和电极表面的电场强度,其中阳极三结合点场强从9.4 kV/mm降至1.5 kV/mm,阴极三结合点场强从2.95 kV/mm降至0.98 kV/mm,绝缘子表面最高场强从10.8 kV/mm降至4.95 kV/mm。优化后的绝缘结构电场分布较为合理,降低了由于表面电荷的积聚而引发沿面闪络的概率。     

NCO异构体结构与分析势能函数

在B3LYP/6-31+G(d)水平上,对NCO分子的各种可能结构进行几何优化,得到了NCO及其异构体分子CNO和CON基态结构都是C∞v,电子态为X 2Π,NCO分子的平衡核间距RNC=0.1230nm, RCO=0.1186nm,离解能De=13.40eV,并计算出谐振频率ω1=1293.44cm-1, ω2(A΄)=484.73cm-1,ω2(A˝)=559.72cm-1,ω3=1988.41cm-1,Renner-Teller参数ε=-0.1429,计算值与实验值吻合较好．在此基础上,应用多体项展式理论,单体项中首次引入开关函数,三体项以NCO,CNO基态结构与性质为依据,拟合给出了NCO分子的基态分析势能函数,其等值势能图准确再现了NCO,CNO分子基态结构与特征,并与优化结果完全一致．     

“神龙一号”新型束位置探测器研究

介绍了钮扣电极的应用原理, 并且在原理上与电阻环探测器作了比较, 分析了 这两种探测器各自的优缺点. 根据原理实验的结果, 重新设计了钮扣电极测量 装置. 对原测量盘结构上不合理的地方进行了改进, 并且在新设计中考虑 了“神龙一号”加速器的高真空密封. 在“神龙一号”的强流束实验中, 钮扣电极如实地反映了束流的波形以及束心的偏移量, 其束位置曲线与电阻环曲线 基本吻合, 亦证明了钮扣电极的测量数据是可信的. 在实验中钮扣电极的测量 不确定度达到0.5mm, 满足“神龙一号”强流束实验的测量需要.     

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

采用两只DEI公司的1kV、24A MOSFET器件及安捷伦公司的高带宽光纤收发对HFBR-1119T和HFBR-2119T，研究固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串、并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV、60A、2MHz的重复频率脉冲输出。两器件并联获得了1kV、130A、2MHz的输出。两器件串联开关获得了1．5kV、80A的单脉冲输出。     

应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

为了描述生长在弛豫Si_1-xGe_x层上应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该 关键词： 应变Si/SiGe 电子迁移率 反型层 模型     

基于双相不锈钢制备超级电容器电极材料MnO2

用恒电位沉积法在2304双相不锈钢基板上制备了纳米结构MnO₂薄膜. 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及X射线能量色散谱(EDS)表征了MnO₂薄膜的结构、表面形貌和成分. 用循环伏安(CV)、恒流充放电和电化学阻抗谱(EIS)对MnO₂电化学性能进行测试和分析. 结果表明, 沉积得到了由100-200 nm纳米棒组成的无定形MnO₂薄膜. 随着MnO₂质量的增加, 其绝对电容增加, 而比电容逐渐下降; 随着循环伏安扫描速率的增加, 其比电容也逐渐下降. 当MnO₂的质量为0.09 mg, 扫描速率为20 mV·s^-1时, 比电容达到最大值288.9 F·g^-1. 在100 mV·s^-1的扫描速率下进行500次CV循环, 其比电容维持在一个稳定值, 且随着循环次数的增加, 比电容略有提高.     

ITO在NaOH溶液中阳极与阴极极化过程的电化学行为

通过循环伏安法等方法研究了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的电化学行为. 获得了ITO薄膜在NaOH溶液中阴极和阳极极化处理前后的循环伏安曲线. 采用透射光谱, 方块电阻测试, 扫描电子显微镜(SEM), 能量色散X射线荧光光谱(EDS)与X射线衍射(XRD)表征ITO薄膜经电化学处理后的反应产物. 结果表明, ITO薄膜在阳极处理后(约为+1.5 V(vs SCE))保持了稳定的成分和结构. 但经阴极处理后(约为-1.5 V(vs SCE))发生了严重的电化学腐蚀, 可见光透射率大幅下降, 方块电阻增加一个数量级. 经SEM、EDS和XRD表征分析, 证明阴极处理过程使ITO薄膜中的In3+还原成了In单质.     

微机模拟计算各种类型酸的滴定曲线以及滴定误差

本文对三元酸滴定曲线的精确计算公式加以改进,设计出适合各种类型酸的滴定曲线和滴定误差的模拟计算程序,通过在Rainbow-100机上运行,计算结果与文献报道相符。此法简单、快速,对选择滴定条件,优化实验方法具有很重要的应用价值。     

三脉冲功率系统模块

采用基于并联Blumlein脉冲形成线的MHz重复频率脉冲功率技术和基于激光触发气体开关的多级触发系统,设计了脉冲功率系统模块,该模块具备6路输出能力,每路均可以MHz重复频率猝发方式输出三脉冲,幅度可达300 kV。对模块中的Blumlein装置、脉冲汇流、隔离网络、触发系统等部件参数进行了设计。以多脉冲直线感应加速器感应腔作为负载,对该模块的性能进行了分析,结果表明:模块中每个脉冲的输出时间抖动小于2.3 ns（标准差）,脉冲间最小时间间隔大于500 ns时可在负载上获得高品质波形。     

Electrical characteristics of SiGe-on-insulator nMOSFET and SiGe-silicon-on-aluminum nitride nMOSFET

This paper investigates the electrical characteristics and temperature distribution of strained Si/SiGe n-type metal oxide semiconductor field effect transistor(nMOSFET) fabricated on silicon-on-aluminum nitride(SOAN) substrate.This novel structure is named SGSOAN nMOSFET.A comparative study of self-heating effect of nMOSFET fabricated on SGOI and SGSOAN is presented.Numerical results show that this novel SGSOAN structure can greatly eliminate excessive self-heating in devices,which gives a more promising application for silicon on insulator to work at high temperatures.