Mid—Infrared Optical Parametric Oscillator Based on All—Solid—State—Pumped Periodically Poled LiNbO

We report the tunable mid-infrared generation with a periodically poled LinbO3(PPLN).Using an all-solid-state pumped Nd:YVO4 laser as the pump source and a PPLN nonlinear crystal with grating periods of 28.2-30.8μm,we have achieved wavelength conversion in the 2.90-4.05μm spectral range by period tuning.The use of confocal cavity design has brought a compact,all-solid-state configuration with an average output powers of idler up to -200mW.The maximum power of 277mW was obtained at the wavelength of 3.35um.     

Eu(p-PBA)_3phen1/2H_2O的高分辨光谱和Raman光谱Eu(p-PBA)3phen1/2H2O的高分辨光谱和Raman光谱*张颖唐波金林培(北京师范大学化学系,北京100875)吕少哲黄世华(中国科学院激发

配合物Ｅｕ（ｐ－ＰＢＡ）３ｐｈｅｎ１／２Ｈ２Ｏ（ｐ－ＰＢＡ：对苯基苯甲酸酸根离子；ｐｈｅｎ：邻菲咯啉）在紫外光激发下，能发出很强的红色荧光．以Ｅｕ（Ⅲ）离子为光谱探针，７７Ｋ下测得其高分辨激发和发射光谱，选择激发配合物的５Ｄ０能级，得到两组不同的发光光谱，表明配合物中Ｅｕ（Ⅲ）离子有两种不同的化学环境．配合物的喇曼光谱中，羧基阴离子的反对称伸缩振动和对称伸缩振动谱带是明显分裂和带肩峰的宽带，说明配合物中羧基同时存在多种配位方式     

多壁碳纳米管修饰电极检测盐酸氯丙嗪的研究

制备了多壁碳纳米管修饰玻碳电极,采用循环伏安法(CV)研究了盐酸氯丙嗪在修饰电极上的电化学特性,发展了一种新的检测盐酸氯丙嗪的电化学分析方法。在最佳实验条件下,用循环伏安法检测盐酸氯丙嗪,其响应电流与盐酸氯丙嗪的浓度在8.0×10-5~1.0×10-3mol/L范围内有很好的线性关系,线性方程为Ip(A)=0.0106c(mol/L)-8×10-8(R2=0.999,n=6),检出限为6.2×10-6mol/L(S/N=3)。方法可用于盐酸氯丙嗪片的测定。     

在线扫集-胶束毛细管电动色谱法测定复方氨酚烷胺胶囊中的3种有效成分

以在线扫集-胶束毛细管电动色谱法(Sweeping-MEKC)测定了复方氨酚烷胺胶囊中的马来酸氯苯那敏、咖啡因和对乙酰氨基酚3种有效成分。考察了缓冲溶液pH值、SDS浓度、分离电压及进样时间等对分离效果的影响。优化条件:以未涂层熔融石英毛细管(55 cm×50μm,有效柱长35 cm)为分离柱;环境温度25℃;80 mmol/L十二烷基磺酸钠+20 mmol/L NaH2PO4(pH 2.2)+15%乙腈为缓冲体系,分离电压-20kV,进样时间60 s(H=20.0 cm),测量波长210 nm。在该条件下氯苯那敏、咖啡因和对乙酰氨基酚在25min内出峰,峰面积RSD均小于4%;线性范围分别为2.45～39.17、1.61～25.76、1.58～25.28 mg/L;检出限(S/N=3)分别达139、34、24μg/L,回收率分别为96%～101%、98%～102%、96%～102%。     

Yb：YAG晶体的生长缺陷及位错走向

用同步辐射透射白光形貌和应力双折射法研究了沿（111）方向生长的Yb:YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb:YAG晶体中的生长缺陷主要有：生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。     

液氮温区Y-Ba-Cu-O超导薄膜的研究

我们采用了rf磁控反应溅射的方法,在单晶ZrO_2YSZ和多晶SrTiO_3等基片上成功地制备了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。所获得的零电阻转变温度达81K。膜厚为1—2μm。 本文对膜的成分、基片、R-T曲线和热处理过程等作了叙述。     

场放大进样-胶束扫集法测定升麻中3种有机酸

利用两种在线富集技术,对阿魏酸、异阿魏酸、咖啡酸同时测定的方法进行了研究.在胶束扫集的基础上,联用场放大进样,使富集倍数提高了约100倍;检出限降至4 μg/L,线性范围向下延伸到10 μg/L.胶束扫集电动色谱缓冲体系为90 mmol/L SDS 20 mmol/L Na2PO4(pH=2.20) 10%甲醇,分离电压20 kV.进样电压10 kV,进样时间21 s,进水时间210 s(H=20.0 cm),测量波长214 nm.讨论了SDS浓度、进样长度、进样电压等对分离效果的影响.在优化条件下,3种有机酸在14 min内出峰,峰面积RSD≤3.8%.方法检出限(μg/L)、线性范围(μg/L)、相关系数分别为:阿魏酸4.0、10～400、0.9982;异阿魏酸4.0、10～400、0.9970;咖啡酸5.0、10～400、0.9980.回收率为83.9%～114.3%.     

基于半解析法的钢绞线丝间摩擦学性能研究

为探究钢绞线丝间摩擦学性能,考虑钢绞线丝间摩擦接触和往复滑动行为等因素,基于曲杆理论、Archard磨损理论等,建立了周期弯曲钢绞线丝间摩擦学性能求解模型,采用半解析法实现快速求解,并通过与曲杆理论、有限元仿真结果对比以及磨损试验验证模型有效性,进而研究钢绞线丝间磨损深度、摩擦接触滑移等摩擦学性能参数的分布规律,分析载荷幅值、几何结构以及材料属性等对其丝间摩擦学性能的影响.结果表明：钢绞线丝间磨损发生在弯曲中性层外侧,钢丝未接触或接触但未发生滑移之处不发生磨损;弯曲载荷越大,磨损越严重;侧丝半径、捻角越大,丝间接触压力与接触变形均增大,故而磨损加剧;总磨损深度随钢绞线材料的弹性模量和泊松比增大而增大.     

Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors

The total ionizing dose(TID) response of 65-nm CMOS transistors is studied by 10-ke V x-ray and 3-Me V protons up to 1 Grad(SiO_2) total dose.The degradation levels induced by the two radiation sources are different to some extent.The main reason is the interface dose enhancement due to the thin gate oxide and the low energy photons.The holes' recombination also contributes to the difference.Compared to these two mechanisms,the influence of the dose rate is negligible.     

Crystal Structure and Luminescence of a Europium Coordination Polymer {[Eu(p-MOBA)_3·2H_2O]·0.5H_2O· 0.5(4,4′-bipy)}_∞

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＭｏｎｏｎｕｃｌｅａｒ ,ｄｉｎｕｃｌｅａｒａｎｄｐｏｌｙｍｅｒｉｃｔｙｐｅｓｏｆｃｒｙｓ ｔａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｆｏｒｌａｎｔｈａｎｉｄｅｃｏｍｐｌｅｘｅｓｗｉｔｈｂｅｎｚｏｉｃａｃｉｄａｎｄｉｔｓｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｏｂｔａｉｎｅｄｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｖａｒｉ ａｔｉｏｎｏｆｂｒｉｄｇｉｎｇｆｏｒｍｓｆｏｒｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅｇｒｏｕｐａｎｄｃｏｏｒｄｉｎａ ｔｉｏｎａｂｉｌｉｔｙｏｆｄｉａｍｍｉｎｅｌｉｇａｎｄｓ ,ｓｕｃｈａｓ 1,10 ｐｈｅｎａ…