直线方程题卡

直线方程题卡笑文题过点Ｐ（－１，２）作一直线，在两坐标轴上截得的线段等长，则这样的直线有（Ａ）１条（Ｂ）２条（Ｃ）３条（Ｄ）４条分析只要确定待定直线的斜率，就可以写出所求直线所属的直线系的方程．主解设直线的斜率为ｋ，则有直线系方程ｙ＝ｋ（ｘ＋１）＋２...     

阵列细丝直径实时快速检测系统设计

为实现并行化、非接触、实时的细丝直径测量,设计了一种基于复杂可编程逻辑器件（complex programmable logic device,CPLD）的阵列细丝直径实时快速检测系统。阵列化传感系统,使用CPLD解算直径,并行测量多条细丝。显著降低了系统的数据传输量,缩短了直径解算时间,提高直径检测频率至5 kHz,实现了对24根细丝阵列并行测量。在0.1 mm～0.3 mm及0.3 mm～1.0 mm的直径范围内动态测量重复精度分别为3.5 μm和8.3 μm,动态重复性误差百分比绝对值分别低于1.21%与1.43%,满足了实时快速检测阵列细丝直径的需求。     

正交异性动态光弹性方法的几个基本问题的研究

文章对适用于动态研究的正交异性光弹性复合材料进行了分析，详细说明了光弹性复合材料中残余双折射的确定方法；基于静态下Ｈｙｅｒ和Ｌｉｕ应力－光性定律，提出了正交异性动态应力－光性定律，并对正交异性材料的动态力学参数及动态光弹性常数给出了实用的标定方法；最后，利用三个单轴压缩试件（０°，９０°及４５°），采用动态应变测量方法，证实了单轴应力状态下正交异性动态应力－光性定律的正确性。     

Enhanced Field Emission from Well-Patterned Silicon Nanoporous Pillar Arrays

The silicon nanoporous pillar array （Si-NPA） is synthesized by using hydrothermal etching method, and the electron field emission properties are studied. The results show that Si-NPA has a low turn-on field of 1.48 V/μm at the emission current of 0.1 μA and its field emission is relatively stable. The field emission enhancement of Si-NPA is believed to originate from its unique morphology and structure. Our finding demonstrates that the Si-NPA is a promising candidate material for field emission applications.     

α-硫羰基硫代甲酰吗啉的合成及反应研究

α－硫羰基硫代甲酰胺类化合物于１９８０年被合成［１～３］，但对其性质、反应性及在有机化学中的应用尚未见报道．含有两个硫羰基的化合物为深红或深绿色晶体，反应活性较大，可作为有机合成原料、远红外吸收染料、激光Ｑ开关及有机导体等［４］．对该类化合物的研究具...     

实验室内用接触法制取硫酸的一点经验

教科书上指出,实验室内用接触法制硫酸是以重鉻酸銨来制取新的氧化鉻(Cr_2O_3)作催化剂,因重鉻酸銨不易买到,我改用重鉻酸鉀(K_2Cr_2O_7)来代替重鉻酸銨制取新的氧化鉻;經过多次的实驗都得到了成功。现在將我的实验过程簡單地介紹給同志們参考和指正。     

量子限制受主的光致发光研究

对一系列δ掺杂浅受主铍（Be）原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光（PL）研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品,并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂,量子阱宽度为30 到200 ?.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱,清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s_3/2（Γ₆）到第一激发态 关键词： 量子限制受主 光致发光 多量子阱 δ掺杂