多针对板负电晕放电电离区形貌确定

在前期对常压下多针对板负电晕放电伏安特性研究的基础上,利用光学发射光谱(OES)法检测放电产生的N₂发射光谱,研究其电离区形貌。根据N₂发射光谱中峰值最大的第二正态激发谱峰强度I_SPB在高压针电极周围的空间分布,较精确地确定了电离区形貌;在电离区内体积分I_SPB,获知I_SPB与放电电流I之间的关系。实验结果表明,电离区大小随着外加电压U升高而增大;电子雪崩始于距离针尖半径约1 mm处的球面上,并且只在mm量级范围内发展,即电离区的大小为mm量级;电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大,电离区形貌为“子弹”状;I_SPB的积分值与I成二次相系数很小的二阶线性关系,故放电中受激物质主要是N₂;高能电子主要存在于电离区,迁移区中形成电流的带电粒子为离子。     

乙醚团簇的激光电离质谱及从头计算

应用激光多光子电离质谱与超声脉冲分子束技术研究了乙醚团簇，实验中观测到乙醚的碎片离子以及强度较小的(E)H⁺，(E)^＋₂和(E)₂H⁺(E代表CH₃CH₂OCH₂CH₃)，没有发现更大尺寸的团簇离子.结合从头计算理论，在B3LYP/6-311++G(d,p 关键词： 乙醚团簇 偶极-偶极相互作用 从头计算     

4f结构间距失调对达曼类滤波器输出脉冲特性的影响

 研究了4f结构的飞秒脉冲时空变换整形装置在各元件间距不等的情况下对脉冲输出特性的影响,理论分析了间距失调效应对等间距和不等间距达曼光栅滤波器的脉冲输出特性的影响。结果表明4f结构间距失调后无论是能量还是平均度都不如等间距高,中心脉冲能量变小,其它级次脉冲生出更多旁瓣;失调量越小,输出的脉冲质量越高,对于f为12 cm的装置,当失调量小于1 cm时,对输出脉冲影响较小。     

类铍离子磁四极M2 2s2 1S0—2s2p3P2 (Z=10—103)禁戒跃迁

利用全相对论多组态Dirac-Fock方法系统地计算了高离化类铍离子的磁四极M2 2s²¹S₀—2s2p³P₂ (Z=10—103)自旋禁戒跃迁的能级间隔、跃迁概率和振子强度，计算中考虑了重要核的有限体积效应，Breit修正和QED修正，所得结果和最近的实验数据以及理论值进行了比较，结果表明：高原子序数的高电荷离子(Z≥70)磁四极M2自旋禁戒跃迁几乎可以和中性原子的光学允许跃迁相比拟，不仅在天体等离子体中，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁四极自旋禁戒跃迁和其他自旋禁戒跃迁（磁偶极、电四极）一样不容忽视，在双电子复合、不透明度、自由程等理论计算中应该考虑其影响. 关键词： 磁四极M2 能级间隔 跃迁概率 振子强度     

基于复合绝缘层SiNx/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件

为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件。最后,研究了MIS器件的回滞效应及电性能。实验结果表明,复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5,大约1.4 nm。复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴,但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状。复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象,但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V,界面陷阱电荷密度约为1.16×10~(12) cm~(-2)。复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10~(-2) cm~2/(V·s),比单绝缘层提高了60%,饱和电流提高了345%。基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能,可应用到有机显示领域。     

三维医学模型表面积和体积计算方法研究

应用MATLAB语言描述了测量任意给定的颌、颧骨区域的表面积和体积的方法,并且在临床上用实例给出了计算结果.     

PnN基态分子势能函数与热力学函数的理论计算

在Pu的相对论有效原子实势近似和N原子6—311G*全电子基函数下，用密度泛函B3LYP方法计算得到PuN分子基态X^6∑^+的结构与势能函数、力常数与光谱数据．同时计算得到PuN(g)分子在298K时的标准生成热力学函数ΔfH^0、ΔS^0和ΔfG^0，分别为—487．239kJ／mol、95．345J／mo1 K和—515、6661 kJ／mol．     

基于IrMn/Fe/Pt交换偏置结构的无场自旋太赫兹源

与目前商用的太赫兹源相比,自旋太赫兹源具有超宽频谱、固态稳定以及成本低廉等优点,这使其成为下一代太赫兹源的主要研究焦点.但使用自旋太赫兹源时,通常需要外加磁场使铁磁层的磁化强度饱和,才能产生太赫兹波,这制约了其应用前景.基于此,本文制备了一种基于Ir Mn/Fe/Pt交换偏置结构的自旋太赫兹波发生器,通过Ir Mn/Fe中的交换偏置场和Fe/Pt中的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应相结合,在无外加磁场下产生了强度可观的太赫兹波.在Ir Mn和Fe的界面中插入超薄的Cu,可以使Fe在厚度很薄时零场下实现饱和磁化,并且其正向饱和场最高可达–10 m T,从而进一步提升无场下的太赫兹发射效率.零场下出射的太赫兹波的动态范围超过60 d B,达到可实用化的水平.通过旋转样品,发现产生的太赫兹波的偏振方向也会随之旋转,并且始终沿着面内垂直于交换偏置场的方向.此外,在此交换偏置结构的基础上,引入了一层自由的铁磁金属层Fe,设计了一种以Ir Mn/Fe/Pt/Fe为核心结构的自旋阀太赫兹源,发现产生的太赫兹强度在两层铁磁层反平行排列时比平行排列以及不引入自由铁磁金属层时均大约提升了40%.结果表明,基...     

二代高温超导带材耐高温性能研究

通过有限元软件对由20层高温超导带材所制成的超导叠带在覆铝时的温度分布进行模拟,模拟结果表明在覆铝过程中两侧带材均会经历420°C以上的高温.对几种高温超导带材在不同温度和持续时间下,对其ReBCO侧、哈氏合金侧和双侧分别加热进行高温实验,测试得出了各带材临界电流的退化情况.实验结果表明,高温对带材造成了性能退化,不同...     

基于核运动效应下的H同位素双原子分子的解析势能函

在加入核运动效应修正下的Born-Oppenheimer近似电子能量的基础上, 采用QCISD(T)/ aug-cc-pvqz方法计算出H同位素双原子分子（H₂, HD, HT, D₂, DT,T₂）的势能函数参数, 获得体现H同位素分子质量差异下的势能函数。 并在此基础上导出H同位素分子的力常数和光谱数据。 同时对于OH, OD和OT分子采用QCISD/aug-cc-pvtz方法计算, 同样获得了这些分子对应的势能函数、 力常数和光谱数据。Based on the correction of the electron energy under Born Oppenheimer approximation using nuclear motion effect, the parameters of potential energy functions for hydrogen isotopic diatomic molecules (H₂, HD,HT,D₂, DT,T₂) are calculated with QCISD (T) method and aug-cc-pvqz basis set,and those potential energy functions that indicate the differences from the masses of hydrogen isotopic atoms are obtained. The force constants and spectroscopic data of those molecules are calculated as well. The potential energy functions, force constants, and spectroscopic data of the isotopic diatomic molecules OH, OD,and OT are also derived using QCISD method and aug-cc-pvtz basis set.