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81.
二烯丙基三硫化物键合硅胶的制备、表征及抗菌作用 总被引:2,自引:0,他引:2
采用固液相表面连续反应法,制备含硫的偶联剂γ-巯基丙基键合硅胶(MPS),通过引发剂,使偶联剂键合硅胶表面的巯基与二烯丙基三硫化物发生巯烯加成反应制备二烯丙基三硫化物键合硅胶(DTS)。采用元素分析、红外光谱、热重分析和质谱分析测试技术进行结构表征,MPS和DTS的键合量分别为1.73和0.27 mmol/g。通过抑菌环试验考察了DTS对金黄色葡萄球菌、大肠杆菌、枯草芽孢杆菌、产气杆菌和变形杆菌的抑菌活性,抑菌环分别为9.0、8.1、10.1、9.2和8.9 mm。实验同时采用搅拌涂布平板法考察了牛肉膏蛋白胨基中DTS含量对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌抑菌效果的影响。结果表明,DTS对5种细菌均有良好的抑制活性。消除了蒜素固有的浓烈的大蒜气味,同时保存了二烯丙基三硫化物的抗菌活性。初步探讨了该DTS的抗菌机理。 相似文献
82.
空间悬臂梁的动力学分析与迭代求解 总被引:2,自引:0,他引:2
本文从柔性体的真-伪混合坐标形式的拉格朗日方程出发,导出了空间双柔性连杆机械臂系统的真-伪混合坐标形式的动力学方程.由于采用伪坐标和矩阵运算,避免了繁冗的对方位参数的求导过程,使方程结构紧凑,便于建立递推形式,并且在选择不同参数描述整体刚性运动情况下,方程形式保持不变,因而具有一般性. 相似文献
83.
附面层中马蹄形旋涡的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文用烟流显示和热线方法研究附面层中马蹄形旋涡的形态、生成频率、配对和涡系之间的相互作用。 相似文献
84.
(以CMOS图像传感器LUPA-1300-2为对象,研究了多斜率积分功能)在空间瞬态光探测系统中的应用.以ACTEL公司APA600 Flash型FPGA为硬件载体,分析设计了其驱动控制,验证了LUPA-1300-2的易操作性,结果表明,该功能可以降低系统的复杂程度和提高系统观测的动态范围,有利于观测瞬态光点周围的瞬间变化,从而提高系统的可靠性和信息收集能力. 相似文献
85.
设计合成了2种含炔基的甘露糖衍生物(A-Man和A-DiMan)及2-[2-(2-叠氮乙氧基)-乙氧基]-乙胺(N3-TEG-NH2).以N3-TEG-NH2为引发剂引发Nε-苄氧羰基-L-赖氨酸酸酐(Lys(Z)-NCA)的开环聚合,得到2种分子量不同的端基含叠氮基团的聚赖氨酸,N3-P(Lys(Z))15和N3-P(Lys(Z))35,分别与A-Man和A-DiMan进行点击化学反应得到4种端基含甘露糖的聚合物.用透射电镜研究了4种聚合物在水溶液中的聚集行为,结果表明,基于P(Lys(Z))15的2种糖聚合物聚集形成囊泡,而基于P(Lys(Z))35的2种糖聚合物则聚集形成胶束. 相似文献
86.
采用一根NG1反相色谱柱作为前处理柱在线去除样品中的水溶性有机基质,建立了离子色谱柱切换技术同时测定CrⅢ与CrⅥ的方法。进样前,先将待测样品水溶液与一定浓度的乙二胺四乙酸(EDTA)溶液充分反应,使其中的CrⅢ络合生成阴离子产物,该阴离子产物在可见光范围内有较强吸收;进样后,样品中的离子经前处理柱分离后被收集在2 mL接收环内,通过柱切换技术,淋洗液将接收环内的离子带至阴离子分析柱中分离,CrⅥ与1,5-二苯卡巴肼(DPC)溶液进行衍生化反应后与CrⅢ的EDTA络合物在同一波长下有较强吸收,由此可完成对两种离子的同波长测定。在优化的实验条件下,CrⅢ与CrⅥ的线性范围分别为0.3~10 mg/L(r=0.9991),0.05~2 mg/L(r=0.9992),检出限分别为80.78和6.67μg/L(信噪比S/N=3),将3 mg/L CrⅢ与0.3 mg/L CrⅥ标准溶液连续进样6次,得到的色谱保留时间及峰面积相对标准偏差均小于3%;将本方法应用于皮革中CrⅢ与CrⅥ的检测,加标回收率为88.7%~108.5%。实验结果表明,本方法用于皮革及织物中铬离子的检测,具有快速、灵敏、选择性好等优点。 相似文献
87.
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89.
90.
Tolerance of Photonic Crystal Impurity Bands to Disorder of Defects in Coupled Cavity Waveguides 总被引:2,自引:0,他引:2
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We investigate the tolerance of photonic crystal impurity bands to the disorder of defects in one-dimensional coupled cavity waveguides. Although impurity bands formed by defect modes close to the air band are quasiflat in the absence of disorder, they are easily deteriorated when disorders are introduced into defects. In contrast, impurity bands created by defect modes near the dielectric band are less sensitive to disorder in the defect size. It is found that the sensitivity of defect mode frequency to defect size and the quality factor of defect modes are two crucial factors in determining the tolerance of impurity bands to the disorder of defects. 相似文献