均匀试验设计电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定N36锆合金中微量钠元素含量

建立了电感耦合等离子体发射光谱法测定N36锆合金中微量钠元素含量的分析方法。对样品溶解方法、观测方式、谱线选择、基体效应干扰等对实验的影响进行了讨论。采用均匀试验设计法确定了最佳的等离子体发生器功率、等离子气流量、辅助气流量、雾化气流量。实验结果表明,锆基体对测定结果有较大影响。在本实验中,采用基体匹配消除干扰,在均匀试验设计优化的仪器测定参数下,使用N36锆合金样品对本方法的精密度与准确度进行验证,相对标准偏差(RSD,n=11)＜5%,加标回收率在95%~105%之间。所建立的方法快捷、简便、准确,满足核用N36锆合金中微量钠元素的分析要求。     

江西不同品种柑桔园螨类自然种群消长动态调查

通过对江西不同桔园１９９７年至１９９８年螨类自然种群消长动态的调查结果表明：不同柑桔品种园中螨类组成有所不同,消长规律年与年之间有所差异,特别是种群数量方面。不同柑桔品种之间的柑桔全爪螨发生时间和数量不同,这也许是不同柑桔品种之间对柑桔全爪螨的抗性不同所致,这同时导致了不同柑桔品种之间长须螨和植绥螨发生有所不同。     

ENTROPY PRODUCTION RATE OF THE MINIMAL DIFFUSION PROCESS

The entropy production rate of stationary minimal diffusion processes with smooth coefficients is calculated. As a byproduct, the continuity of paths of the minimal diffusion processes is discussed, and that the point at infinity is absorbing is proved.     

基于学习力培养的问题驱动式复习课教学设计——以“二次函数的复习(第1课时)”为例

<正>1 基于学习力培养的课程分析1.1 内容解读二次函数是描述现实世界变量之间关系的重要数学模型,也是初中阶段研究的三种基本函数之一.本章学习是以已学的一次函数为基础,首先让学生认识二次函数,掌握二次函数的图象和性质,进而用函数的观点来看待方程和不等式,最后解决一些简单的实际问题.二次函数的学习集数形结合、分类讨论、函数与方程、化归等多种思想于一体,在中学数学中有着非常重要的地位,也为学生后续学习打下良好的基础.     

我国口腔生物力学研究进展与展望

本文综述了我国口腔生物力学研究现状、研究手段、达到的水平以及临床应用状况、并作了展望。      

二-(2-乙基己基)磷酸从盐酸介质中萃取铀(Ⅳ)的动力学研究

采用上升单液滴法研完了二-(2-乙基己基)磷酸-环己烷从盐酸介质中萃取铀(Ⅳ)的动力学。测定了不同萃取条件对萃取速率的影响,提出了速率方程,并对萃取反应机理进行了讨论。     

用于心磁图测量的基于高温超导量子干涉仪磁强计的有源补偿

我们建立了一套基于高温超导量子干涉仪(SQUID)的可靠的、经济型的单通道心磁图(MCG)系统,该系统在一个简易的磁屏蔽室(MSR)中运行.实验结果表明,对于消除心磁测量中的环境噪声,简易磁屏蔽室和有源补偿相结合是一个很合适的方案,这种方案对心磁图的普及有实际的帮助.同时,本文给出了一个有源补偿的简单模型,并将计算结果与实验数据进行了比较.     

脉冲磁控溅射MoS2-Ti涂层常温及高温真空摩擦磨损性能

利用脉冲磁控溅射法,以铝青铜合金(C63200)和硅片为基底,制作不同Ti含量的MoS₂-Ti复合涂层。通过XRD、SEM、EDS、光学显微镜、多环境摩擦试验机等表征了涂层的结构成分和摩擦性能。结果表明：随Ti含量的增加,涂层致密度提升,S、Mo原子比上升。Ti的掺入使涂层由高度结晶态向非晶态转变。Ti含量增加,涂层摩擦磨损性能先上升再下降,常温真空下含3%Ti的涂层拥有稳定和低至0.015的摩擦系数,23%Ti的涂层失去润滑性。温度升高到400℃,涂层摩擦系数由0.015~0.04上升至0.07~0.1,含13%Ti的涂层高温真空下在800s后润滑失效。磨痕形貌显示,含3%Ti的涂层磨痕最窄,温度升高宽度增加不大,含13%Ti的涂层磨损严重,400℃真空环境下很快磨穿,纯MoS₂和13%Ti涂层摩擦时发现大量磨粒和破碎磨屑。     

中高温热泵工质的理论研究

在60～140℃的冷凝温度范围,对21种环境友好、温度压力水平适宜的流体及CFC11、CFC114进行了中高温热泵理论循环对比分析。结果表明,HFC254cb、HC600、HFC143、HFE134、HFC236ea、HFC236ca、HFC245ca、HFE143、HFE245fa、HFC245fa等工质的理论循环性能较优。     

Enhanced resistance switching stability of transparent ITO/TiO2/ITO sandwiches

We report that fully transparent resistive random access memory(TRRAM) devices based on ITO/TiO2/ITO sandwich structure,which are prepared by the method of RF magnetron sputtering,exhibit excellent switching stability.In the visible region(400-800 nm in wavelength) the TRRAM device has a transmittance of more than 80%.The fabricated TRRAM device shows a bipolar resistance switching behaviour at low voltage,while the retention test and rewrite cycles of more than 300,000 indicate the enhancement of switching capability.The mechanism of resistance switching is further explained by the forming and rupture processes of the filament in the TiO 2 layer with the help of more oxygen vacancies which are provided by the transparent ITO electrodes.