低阻抗大面积二极管的研制

采用高纯石墨环状阴极和有机玻璃绝缘子,研制了一套低阻抗大面积二极管系统。使用理论计算和数值模拟方法对二极管进行优化设计,在保证绝缘要求的同时,尽量优化二极管轴向长度和内外筒距离以减小二极管的回路电感。实验结果表明,优化后的二极管能在200 kV左右的电压上稳定工作,绝缘结构未发生击穿现象;实验中最高输出电压为213 kV,电流为221 kA,特性阻抗约为1 ,电流密度为8 kA/cm2,脉宽(FWHM)为50 ns。     

Tunable Superconductivity in 2H-NbSe_2 via In Situ Li Intercalation

Using the newly-developed solid ionic gating technique,we measure the electrical transport property of a thinflake NbSe₂ superconductor(T_c=6.67 K) under continuous Li intercalation and electron doping.It is found that the charge-density-wave transition is suppressed,while at the same time a carrier density,decreasing from7×10¹⁴ cm^-2 to 2×10¹⁴ cm^-2 also occurs.This tunable capability in relation to carrier density is 70%,which is 5...     

聚焦光在亚表面损伤介质中的散射特性

针对光学元件的亚表面缺陷,结合基于激光共焦层析的亚表层检测方法,建立聚焦光束在亚表面损伤介质中的传输模型,并采用有限元分析方法,仿真研究K9玻璃光学元件亚表层缺陷对聚焦光束的散射调制特性,特别对颗粒状和微裂纹两类特殊缺陷的光学调制特性进行研究和分析,探索了波长、缺陷大小、缺陷折射率及缺陷方向对聚焦光束散射特性的影响规律,通过分析包含亚表面损伤缺陷信息的光场分布图和强度变化曲线,获得了亚表面损伤缺陷的信息,并对其进行评价。     

灰色关联度法在工业企业去库存中的应用

工业企业为了赢得市场竞争地位,必须向市场提供质量好、人民满意的产品,这就需要处理企业库存中市场过剩的、不对路的产品,也就是开展“去库存”工作。论文通过设置与库存相关的指标,计算临界值来判断工业企业产品是否“过剩”,再通过灰色关联度法进行优化排序,确定整个工业行业“去库存”的主要抓手。研究结果表明,工业企业去库存的主要抓手有三个:一要加速库存商品资金周转;二要提高产品销售率;三要降低库存商品占流动资产的比例。论文将研究结论用于徐工集团工程机械股份有限公司,得到有效的验证。     

Si3N4陶瓷与灰铸铁配副的摩擦学性能

在Ｍ－２００磨损试验机上于无润滑、蒸馏水润滑、乳化液润滑和１０＾＃机构油润滑４种条件下，对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷分别与灰铸铁ＨＴ和Ｔ８钢配副进行了摩擦损性能的对比试验研究。结果表明：Ｓｉ３Ｎ４陶瓷与灰铸铁ＨＴ配副时的摩擦因数和磨损体积在几种润滑环境中均表现出同样的顺序     

重离子物理实验数据在线获取及处理系统开始研制

在重离子核物理研究领域中,随着加速器能量的提高和实验技术的发展,测量的参量和数据采集量越来越多,一般核反应实验同时测量的参数达40—50个,而在束γ实验则多达数百个,一轮实验采集的数据多达亿计。为完成大数据量、高数据率、多参量的同时获取以及实验过程的实时监测,必须配备以电子计算机为中心的容量大、速度快、具有图象处理功能的在线数据获取系统。     

三维Navier-Stokes方程基于压力在最大Besov空间中的对数型正则性准则

利用Meyer-Gerard-Oru插值不等式,对三维不可压缩Navier-Stokes方程的解建立了基于压力在最大Besov空间中的对数改进型的正则性准则.结果推广了已有的基于压力的正则性结果,尤其是提高了Zhang-Jia-Dong在文献[J.Math.Anal.Appl.393(2012)]中的结果,并给出了他们...     

初高中化学演示实验中的点滴经验

为了使授课时达到高度的直观性,使学生能逐步的从感性认识进入理性认识;因此在演示实验和学生实验,一定要作到:现象清楚,手续简单,结果正确,才不致中途失败而影响计划教学。现在把我们在实验中摸索获得的一些小经验,拉杂的搜集起来,请同志们批评指导。一、电解水     

宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展

本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。