Hilbert空间线性二次最优控制问题中的一个算子的可逆性

对于如下出现在Hilbert空间线性二次最优控制问题中的线性算子■其中F_3,F_5是自伴算子．本文得到了它具有有界逆的充分必要条件,并举例验证了结果的有效性．     

PbMoO4晶体生长基元和生长习性的高温拉曼光谱研究

应用高温拉曼光谱研究了PbMoO4熔体中的生长基元.通过对不同温度下PbMoO4晶体拉曼光谱和熔点温度附近熔体高温拉曼光谱的研究,发现PbMoO4熔体中存在Pb2 阳离子和[MoO4]2-阴离子生长基元.进一步讨论了PbMoO4晶体生长基元和各个低指数晶面间的相互作用,解释了晶体的生长习性和枝晶生长的原因,并指出:PbMoO4晶体生长的最佳籽晶取向是平行于其{101}面所围成的棱锥表面的方向.     

可圈的一个充分条件

本文我们证明如下结果:设G=(V,E)是一个n(n≥3)阶k-连通(k≥2)图,记X1,X2,…,Xk为V的子集,X=X1∪X2∪…∪Xk.若对每个I,I=1,2,…,k,满足:对任意的u,v∈Xi,有d(u) d(v)≥n或|N(u)∪N(v)|≥n-δ或|N(u)∩N(v)|≥α,这里δ是G的最小度,α是G的独立数,则G是X-可圈的.     

压装密实炸药装药非冲击点火反应传播与烈度演化实验研究进展

简要概述了国内外同行最近二十多年来对炸药安全性精密物理实验研究认识进展历程，聚焦分析了炸药安全性研究领域一些传统流派在事故反应机理认知和反应行为建模理论方法上的通常误区。本文中还引证了本研究团队近年开展的一组分解实验进行案例点评，对非冲击点火事故反应在装药结构中的传播及反应演化行为的复杂表现背后共同的基本行为机制进行了集中解读。本文中介绍的系列实验从主导机理视角展示了非冲击点火事故演化物理图像的诸多关键细节。对典型密实炸药而言，非冲击点火反应的本质是炸药表面层燃烧反应主体行为，因高压气体产物流动与炸药间隙及基体中裂纹演化耦合，使反应烈度走向呈现极度非线性特征，同时会因主炸药的燃速特性及约束结构的变形、破裂而存在限制，使得密实炸药DDT转化难于在典型装药结构中发生。     

“化二为一”在最值问题中的应用

“化二为一”法本质上是一种化归思想,常常用于一些与不等式有关的最值问题,本文结合实例介绍“化二为一”在解题中的应用     

低温液氢储存的现状及存在问题

储氢是氢能发展中的一个重要方面。低温液化储氢由于其储氢密度大、能量密度高等特点,具有很大的优势。首先分析了三种主流储氢方式的优缺点与发展现状,并针对低温液态储氢技术进一步展开,从被动绝热与主动绝热两个方面介绍了当前已广泛应用,以及新发展的绝热技术,指出其各自不足与未来的发展方向。另外还从低温容器设计的角度,对低温液氢容器的结构设计、选材以及安全性保障等方面进行了描述。     

固相萃取-高效液相色谱法测定土壤中19种农药残留

土壤样品（5.000g）用乙腈-水（80＋20）混合溶液超声波提取2次,每次用20mL,提取时间为20min。提取液滤入已盛有氯化钠3g的100mL具塞量筒中,剧烈振摇1min,并静置10min,待乙腈与水分相后,移取上层乙腈溶液10.0mL,于40℃吹氮蒸至0.5mL,加水4mL。将溶液通过已活化的C18固相萃取小柱...     

Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method

A new modified Angelov current–voltage characteristic model equation is proposed to improve the drain–source current（Ids） simulation of an Al Ga N/Ga N-based（gallium nitride） high electron mobility transistor（Al Ga N/Ga N-based HEMT） at high power operation. Since an accurate radio frequency（RF） current simulation is critical for a correct power simulation of the device, in this paper we propose a method of Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor（HEMT）nonlinear large-signal model extraction with a supplemental modeling of RF drain–source current as a function of RF input power. The improved results of simulated output power, gain, and power added efficiency（PAE） at class-AB quiescent bias of Vgs =-3.5 V, Vds= 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.     

Chip-Based Square Wave Dynamic Micro Atom Trap

We propose a scheme for a chip-based dynamic micro atom trap where the trap potentials are created by square wave radiation and an inhomogeneoas static magnetic field. The parameters of this kind of trap array can be modulated dynamically. Both one-dimensional （I-D） and two-dimensional （2-D） trap array potentials for 6Li atoms are discussed. The 1-D trap is combined by a square wave radiation （6 kHz） and a gradient magnetic field （300G/cm）, the array constant of 1-D trap is 0.85 μm. Since the trap array does not require any laser field, it can be easily integrated on a chip and it is useful in applications of scalable quantum information processing.