含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

本文报道了采用分子束外延技术制备的三色InAs/GaAs量子点红外探测器. 器件采用nin型结构, 吸收区结构是在InGaAs量子阱中生长含有AlGaAs插入层的InAs量子点, 器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值: 6.3, 10.2和11 μm. 文中分析了它们的跃迁机制, 并且分别进行了指认. 因为有源区采用了不对称结构, 所以器件在外加偏压正负方向不同时, 光电流谱峰值的强度存在一些差异. 不论在正偏压或者负偏压下, 当偏压达到较高值, 再进一步增大偏压时, 都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象, 这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.     

发铅含量与维生素D缺乏性佝偻病关系的探讨

探讨了铅与维生素Ｄ缺乏性佝偻病的关系。采用示波极谱法同时检测维生素Ｄ缺乏性佝偻病患儿１１８例及健康儿７６例发铅浓度。结果表明,维生素Ｄ缺乏性佝偻病患儿发铅浓度高于健康儿,且婴儿组中度佝偻病发铅浓度高于轻度佝偻病患儿,提示发铅浓度与佝偻病有一定的关系,高铅参与了营养性维生素Ｄ缺乏性佝偻病的发病机制,预防铅吸入可减少维生素Ｄ缺乏性佝偻病的发生。     

p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为175 cm^-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. 关键词： 最大模式增益 p型掺杂 InAs/GaAs量子点激光器     

光纤陀螺启动过程标度因数补偿方法

针对光纤陀螺启动过程标度因数变化大、稳定时间长的问题,提出标度因数补偿方案。分析了光纤陀螺启动过程中标度因数误差及超辐射发光二极管平均波长随温度变化误差产生的物理机制,建立了启动过程中标度因数误差的数学模型。进一步提出了一种通过测量温控电桥电路THERMIN端电压实时补偿启动过程标度因数的方案。试验结果表明,启动过程中(2 s内)光纤陀螺标度因数误差峰峰值从约25 000×10~(-6)降低到小于300×10~(-6),大幅提高了启动过程标度因数性能,满足了武器系统的快速启动需求。     

冷凝器动态性能仿真研究

本文应用移动边界法(MB)对冷凝器建立了动态仿真数学模型,模型体现了冷凝器内各个相区长度随时间的变化,模型最终可以化为常微分线性方程组的形式,在求解上更为方便且兼顾了仿真的效率和精度,模型可提供冷凝器详细的性能参数;研究了在系统不同的控制参数阶跃情况下冷凝器的动态响应,获得了冷凝器的动态特性,冷凝器的动态特性是冷凝器动态优化设计和编制系统控制规律的基础。本文中的冷凝器建模方法适合于系统级仿真研究。     

MS-代数的理想和同余关系

给出了MS-代数L的理想I=(d]可以成为某个同余关系核的充要条件;分别给出了以L的理想I=(d]为核的最小同余关系及最大同余关系的充要条件．     

A new three-dimensional chaotic system and its modified generalized projective synchronization

Based on the Chen chaotic system,this paper constructs a new three-dimensional chaotic system with higher order nonlinear term and studies the basic dynamic behaviours of the system. The modified generalized projective synchronization has been observed in the coupled new three-dimensional chaotic system with unknown parameters. Furthermore,based on Lyapunov stability theory,it obtains the control laws and adaptive laws of parameters to make modified generalized projective synchronization of the coupled new three-dimensional chaotic systems. Numerical simulation results are presented to illustrate the effectiveness of this method.     

Describing spatiotemporal couplings in ultrashort pulses using coupling coefficients

Three coupling coefficients are defined to describe spatiotemporal coupling in ultrashort pulses. With these coupling coefficients, the first-order spatiotemporal couplings of Gaussian pulse and beam are described analytically. Also, the first-order and the second-order spatiotemporal couplings caused by angular dispersion elements are studied using these coupling coefficients. It can be shown that these coupling coefficients are dimensionless and normalized, and readily indicate the severity of spatiotemporal coupling.     

石墨烯的光催化研究

石墨烯是一种具有独特的二维平面结构和导电性能好、比表面积大、耐高温等优异性能的新型纳米材料,在物理化学领域应用广泛。本文介绍了利用化学气相沉积法制备单层石墨烯,并以石墨烯和硅作为催化表面,通过表面增强拉曼散射技术研究了对硝基苯硫酚(4NBT)分子的表面催化反应。结果表明,单层石墨烯具有良好的光催化性能。     

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。