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研究了半掺杂锰氧化物Sm0.5Ca0.5MnO3体系的结构、输运和磁特性,结果表明,在半掺杂情况下,该体系呈现O′类正交结构,表明体系存在典型的Jahn-Teller效应畸变;输运结果在整个测量温区均呈现半导体导电行为,没有出现金属-绝缘体(M-I)转变和CMR效应;电荷有序转变发生在T=270K左右,反铁磁转变温度出现在200K附近,且表现出典型的再入型自旋玻璃(spin-glass)行为,自旋玻璃转变温度TSG在41K附近,同时,观察到了存在于该体系中负的磁化异常,表明半掺杂的Sm0.5Ca0.5MnO3基态存在有多种复杂而丰富的磁相互作用之间竞争机制,其研究将为强关联锰氧化物体系物理机理的理解提供丰富的实验资料. 相似文献
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YBCO体系中Ni替代位置分布的转移与正电子寿命参数的变化 总被引:3,自引:1,他引:2
利用正电子湮没和X—射线衍射技术,对Ni替代的YBa2Cu3-xNixO7-δ(x=0.0-0.5)超导体系进行了系统研究,分析了体系的精细结构和正电子寿命参数的变化特征,给出了Ni替代位置在Cu(1)和Cu(2)位之间的可能转移以及与正电子寿命参数之间的关联。结果表明,在小替代浓度下,Ni主要占据Cu(2)位,随替代含量的增加,出现部分Ni向Cu(1)位转移,进一步增大Ni替代含量(x≥0.2),则出现部分Ni在Cu(1)和Cu(2)位之间随机分布,并伴随有杂相出现。同时,讨论了Ni对超导电性抑制的磁散射机理及其解释。 相似文献
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Co掺杂对La5/8Ca3/8MnO3体系铁磁有序的影响与电子的局域化效应 总被引:1,自引:0,他引:1
系统研究了强关联锰氧化物La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x=0,0.05)体系的结构和输运特性.结果表明,样品均为很好的正交O′单相结构,Mn位5%Co掺杂明显影响了样品铁磁-顺磁(FM-PM)转变和金属-绝缘体(M-I)转变,M-I转变温度TM-I从未掺杂时的271K降至227K,对应的峰值电阻率ρp增大;随着TM-I的降低,Tc同时降低,磁电阻MR%亦相应增加;La5/8Ca3/8MnO3样品在Tc以下表现出长程铁磁有序态,Mn位5%Co掺杂样品则表现为团簇玻璃型短程铁磁有序行为.证明Co掺杂引起电子的局域化效应乃是导致体系输运行为发生变化的主要原因.同时,从Mn3 -O2--Mn4 双交换(DE)作用和超交换(SE)相互作用机制等出发,对样品的输运行为、CMR效应以及与Co掺杂之间的关联进行了讨论. 相似文献
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系统研究了(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3(0.0≤x≤0.3)体系的结构和输运行为.结果表明,实验样品具有很好的单相结构,随Y掺杂浓度的增加,金属—绝缘体(M—I)转变温度T-MI向低温区移动,对应的峰值电阻率ρp升高,对x=0.3样品,较未替代样品(x=0.0)增幅达8个数量级.在外加磁场下,材料表现出很强的磁电阻效应.同时,从实验结果出发,直接给出了输运特性与晶体结构之间的关联,并从双交换模型和可变程跃迁理论出发,对实验结果进行了初步讨论.
关键词:
La2/3Ca1/3MnO3锰氧化物
Y替代
晶体结构
输运行为 相似文献
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研究了窄带隙Pr0.6Ca0.4MnO3体系的电荷有序及低温下的团簇玻璃现象.实验表明,样品具有典型的相分离特征,在高温区于241K左右发生电荷有序(Charge Ordering,CO)转变,在高的外加磁场下破坏了样品的电荷有序和反铁磁,使材料发生绝缘-金属转变.在低温下(T~41 K),形成自旋玻璃态(Spin Glass,SG).发现了存在于低温团簇玻璃相中的多重磁化跳跃现象,利用外场作用下AFM团簇中磁矩的翻转而导致铁磁成分的增加对实验结果给予了初步解释,证明了磁场作用对Pr0.6Ca0.4MnO3的CO与团簇玻璃态冻结之间的直接关联作用. 相似文献
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(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3(x=0~0.3)体系的磁特性与平均稀土离子尺寸效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3(0.0≤x≤0.3)体系的磁特性,给出了磁转变温度Tc与La位平均离子尺寸之间的关联.结果表明,随Y掺杂浓度的增加,金属-绝缘转变(M-I)温度TMI向低温区移动,对应的峰值电阻率ρp升高,对x=0.3样品而言,较未替代样品(x=0.0)增幅达8个数量级之多,指出由于Y的掺入而致使La位平均离子半径()减少以及局域晶格结构畸变引起的.磁性测量表明了在x>0.1的高浓度区域,随着x的增加,反铁磁性相互作用逐渐增强,导致x=0.2和x=0.3的样品在35K左右出现了自旋玻璃态. 相似文献
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用固态反应法制备了RBa2Cu3O7δ(R123)系列样品,其中R=Tm,Dy,Gd,Eu,Nd和Y.利用正电子湮没技术以及x射线衍射等实验技术研究了稀土离子半径r对材料局域电子结构和晶体结构以及超导电性的影响.实验结果表明,正电子寿命参量τ1,τ2均随R3+半径增加而单调增加;据此所给出的局域电子密度ne,随稀土离子半径的增加表象出单调减小的趋势.实验证明局域电子密度以及晶格结构的正交性均是影响材料超导电性的因素
关键词:
稀土离子半径
高温超导电性
正电子湮没
局域电子结构 相似文献
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