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91.
推导了在竖向力作用下混凝土框架-配筋砌块砌体混合结构的框架与砌体墙的轴力分配系数计算公式,分析并确定了结构在竖向力作用下协同工作的影响因素;通过有限元模拟研究了框梁截面高度、框柱截面高度、墙高等因素对竖向力作用下框架和砌体墙的轴力分配的影响。结果表明:柱截面高度对框架和墙轴力分配系数的影响最大,变化在10%左右;砌体弹性模量次之;梁截面高度和墙高度的影响都较小。与此同时,将模型分析结果与公式计算结果进行了比较,验证了公式的正确性。  相似文献   
92.
乔成立 《化学教育》2016,37(12):71-73
用离子强度副反应系数、条件稳定常数和准确滴定的条件推导出配位滴定的离子强度允许范围。  相似文献   
93.
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH4/N2O为125/70 cm3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO2薄膜应力相对较小。  相似文献   
94.
利用酰胺化反应在2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧自由基(TEMPO)分子的4位引入乙酰氨基和异烟酰氨基分别获得Acet-TEMPO和isoNTA-TEMPO分子.将Acet-TEMPO、isoNTA-TEMPO和TEMPO分别与MIL-101(Fe)组成共催化体系,以苯甲醇选择性氧化为苯甲醛做模型反应,研究上述3种催...  相似文献   
95.
 分析了高应变率加载下纯铝中氦泡长大的动力学过程,给出了含内压氦泡长大的动力学方程,并且分别研究了氦泡内压、基体材料惯性、粘性、表面张力以及基体环境温度对初始半径为1 nm氦泡长大的影响。研究结果表明:(1)初始内压可以促使氦泡快速长大,当氦泡直径超过1 μm时,内压对氦泡长大的影响可以忽略不计。(2)表面张力在氦泡整个长大过程中的影响都很小。(3)材料惯性对氦泡长大起抑制作用,并且随着氦泡半径的增长,抑制效应越来越明显。(4)在所有因素中,温度对氦泡长大的影响最为明显,温度升高,材料的粘性降低,氦泡的内压增加,促使氦泡加速长大。  相似文献   
96.
许峰  刘堂晏  黄永仁 《物理学报》2006,55(6):3054-3059
根据Liouville-von Neumann方程,对射频场照射下多自旋体系的弛豫进行了理论描述,并用WBR理论推导出了体系的弛豫方程组,给出了各类弛豫速率的理论计算公式.在此基础上,编制了弛豫方程组数值解的计算程序,分别用此程序和Bloch方程计算了双自旋体系在不同情况下的稳态解,并对计算结果进行了简要的分析和讨论. 关键词: 核磁共振 弛豫 射频场 多自旋体系  相似文献   
97.
基于DSM的知识约简方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据对象属性的差异性与相似性,以及对DSM(difference-similitude matrix)矩阵元素m^dij,m^sij;的特性分析,定义了属性的重要度和合并度,给出了最佳属性约简集的修正子集的求解方法,从而提出了基于:DSM的知识约简方法,该方法能在保证规则相容的情况下生成少量规则,同时只使用部分条件属性。通过约简UCI机器学习数据库,并与粗集理论约简的结果比较,表明了该方法的合理性和有效性,并在约简效率和规则的正确率上都要好于粗集理论。  相似文献   
98.
Novel distributed Bragg reflectors (DBRs) with 4.5 pairs of GaAs/AlAs short period superlattice (SPS) used in oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) were designed. The structure of a 22-period Al0.9Ga0.1 As (69.5 nm)/4.5-pair [GaAs (10 nm)-AlAs (1.9 nm)] DBR was grown on an n+ GaAs substrate (100) 2° off toward <111>A by molecular beam epitaxy. The emitting wavelength was 850 nm with low threshold current of about 2 mA, corresponding to the threshold current density of 2 kA/cm2. The maximum output power was more than 1 mW. The VCSEL device temperature was increased by heating ambient temperature from 20 to 100℃ and the threshold current increased slowly with the increase of temperature.  相似文献   
99.
应用控制科学理论离散事件动态系统摄动分析思想,提出了一种基于无时钟事件追踪法进行并行仿真的快速算法.根据被模拟网络在一组参数下的仿真样本轨迹,同时并行构造一簇不同参数集合下的网络系统样本轨迹.实验结果表明该算法大大提高了通信网随机模拟与性能评估的效率.  相似文献   
100.
细胞色素C电化学反应的静电作用模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
首次发现,简单的阴离子Ⅰ~-是细胞色素c电化学反应的良好促进剂。在碘离子修饰的金电极上能观察到细胞色素c的准可逆电化学反应。根据细胞色素c的结构特点和碘离子的吸附特性,提出了一个以静电作用为基础的细胞色素c的电化学反应的模型。  相似文献   
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