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为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH4/N2O为125/70 cm3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO2薄膜应力相对较小。 相似文献
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分析了高应变率加载下纯铝中氦泡长大的动力学过程,给出了含内压氦泡长大的动力学方程,并且分别研究了氦泡内压、基体材料惯性、粘性、表面张力以及基体环境温度对初始半径为1 nm氦泡长大的影响。研究结果表明:(1)初始内压可以促使氦泡快速长大,当氦泡直径超过1 μm时,内压对氦泡长大的影响可以忽略不计。(2)表面张力在氦泡整个长大过程中的影响都很小。(3)材料惯性对氦泡长大起抑制作用,并且随着氦泡半径的增长,抑制效应越来越明显。(4)在所有因素中,温度对氦泡长大的影响最为明显,温度升高,材料的粘性降低,氦泡的内压增加,促使氦泡加速长大。 相似文献
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基于DSM的知识约简方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
根据对象属性的差异性与相似性,以及对DSM(difference-similitude matrix)矩阵元素m^dij,m^sij;的特性分析,定义了属性的重要度和合并度,给出了最佳属性约简集的修正子集的求解方法,从而提出了基于:DSM的知识约简方法,该方法能在保证规则相容的情况下生成少量规则,同时只使用部分条件属性。通过约简UCI机器学习数据库,并与粗集理论约简的结果比较,表明了该方法的合理性和有效性,并在约简效率和规则的正确率上都要好于粗集理论。 相似文献
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Novel distributed Bragg reflectors (DBRs) with 4.5 pairs of GaAs/AlAs short period superlattice (SPS) used in oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) were designed. The structure of a 22-period Al0.9Ga0.1 As (69.5 nm)/4.5-pair [GaAs (10 nm)-AlAs (1.9 nm)] DBR was grown on an n+ GaAs substrate (100) 2° off toward <111>A by molecular beam epitaxy. The emitting wavelength was 850 nm with low threshold current of about 2 mA, corresponding to the threshold current density of 2 kA/cm2. The maximum output power was more than 1 mW. The VCSEL device temperature was increased by heating ambient temperature from 20 to 100℃ and the threshold current increased slowly with the increase of temperature. 相似文献
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应用控制科学理论离散事件动态系统摄动分析思想,提出了一种基于无时钟事件追踪法进行并行仿真的快速算法.根据被模拟网络在一组参数下的仿真样本轨迹,同时并行构造一簇不同参数集合下的网络系统样本轨迹.实验结果表明该算法大大提高了通信网随机模拟与性能评估的效率. 相似文献
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细胞色素C电化学反应的静电作用模型 总被引:1,自引:0,他引:1
首次发现,简单的阴离子Ⅰ~-是细胞色素c电化学反应的良好促进剂。在碘离子修饰的金电极上能观察到细胞色素c的准可逆电化学反应。根据细胞色素c的结构特点和碘离子的吸附特性,提出了一个以静电作用为基础的细胞色素c的电化学反应的模型。 相似文献